近日，日本TDK首次展示了新型存儲(chǔ)技術(shù)MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱磁阻隨機(jī)訪問內(nèi)存，已經(jīng)存在一段時(shí)間了，但是TDK將其帶到了一個(gè)新的高度。它以磁荷為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)，而它的名字來自自旋傳輸矩，也即是寫入數(shù)據(jù)的時(shí)候利用電子角動(dòng)量來改變磁場。

　　MRAM技術(shù)的讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM，當(dāng)同時(shí)又是非易失性的，也就是可以斷電保存數(shù)據(jù)，等于綜合了RAM、Flash的優(yōu)點(diǎn)。

　　TDK多年來一直在研究STT-MRAM，但此前從未公開展示。這次拿出的原型芯片和一個(gè)NOR Flash閃存進(jìn)行了肩并肩對比，讀寫數(shù)據(jù)的速度是后者的7倍多——342MB/s VS. 48MB/s。

　　不過目前測試芯片的容量才8Mb(1MB)，實(shí)在微不足道。

　　TDK已經(jīng)讓手下的Headway Technologies(位于美國加州)試產(chǎn)了一塊8英寸(200毫米)的MRAM晶圓，但它沒有量產(chǎn)能力，商用的時(shí)候必須另外尋找代工伙伴。

　　至于MRAM何時(shí)能夠投入實(shí)用，目前還沒有確切時(shí)間表，但是TDK估計(jì)說可能需要長達(dá)10年。

　　Intel、IBM、三星、海力士、東芝也都在不同程度地研發(fā)STT-MRAM，而美國亞利桑那州的Everspin Technologies甚至已經(jīng)小批量出貨，Buffalo固態(tài)硬盤的緩存就用到了它。