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新一代STT-MRAM容量達(dá)Gb水準(zhǔn)
- 被視為次世代存儲(chǔ)器技術(shù)之一的自旋力矩傳輸存儲(chǔ)器(STT-MRAM)，在2016年12月舉辦的國際電子零組件會(huì)議(International Electron Devices Meeting;IEDM)中公開了若干突破性研究成果，最值得注意的是推出了容量超過1Gb的產(chǎn)品，以及將STT-MRAM嵌入CMOS邏輯芯片的技術(shù)實(shí)證。 MRAM算是次世代非揮發(fā)性存儲(chǔ)器科技中出現(xiàn)較早的一種，其記憶單元以磁隧結(jié)(MTJ)組成，由于占用體積大與耗電量高，最大容量約16Mb，僅適用于若干特殊需求;MTJ水平排列的i
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IEDM：28nm嵌入式MRAM即將問世
- 在今年即將于美國加州舉行的國際電子元件會(huì)議(IEDM)上，來自三星(Samsung)、東芝(Toshiba)、海力士(SK Hynix)等公司的研究團(tuán)隊(duì)預(yù)計(jì)將發(fā)表多項(xiàng)有關(guān)磁阻式隨機(jī)存取記憶體(MRAM)的最新發(fā)展。 此外，三星的研發(fā)團(tuán)隊(duì)以及旗下LSI業(yè)務(wù)部門顯然也將再次發(fā)表其致力于開發(fā)MEMS的最新成果。 三星將分別透過口頭簡報(bào)以及海報(bào)展示雙管齊下的方式，介紹在28nm CMOS邏輯制造制程中嵌入8Mbit自旋傳輸(STT) MRAM等主題。在該公司發(fā)表的論文主題中，研究人員們將這種電路形
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MRAM大勢將至 產(chǎn)學(xué)界吁應(yīng)盡速計(jì)劃推動(dòng)
- 臺灣磁性技術(shù)協(xié)會(huì)邀請產(chǎn)學(xué)人士，11月19日于工研院舉辦自旋電子專題論壇，針對該主題介紹市場與技術(shù)概況。產(chǎn)業(yè)界與學(xué)術(shù)界人士交流該項(xiàng)技術(shù)的看法，對于磁性存儲(chǔ)器(MRAM)的市場前景樂觀，并認(rèn)為臺灣產(chǎn)官學(xué)研有迫切攜手推動(dòng)的必要性。 在市場發(fā)展方面，Digitimes研究中心主任黃逸平指出，至2030年存儲(chǔ)器與儲(chǔ)存市場會(huì)由非揮發(fā)性存儲(chǔ)器所主宰，在低耗電市場上，包括L1 Cache在內(nèi)，嵌入式存儲(chǔ)器可望為embedded MRAM一統(tǒng)，而在重運(yùn)算市場上，MRAM可望拿下L1~L4 Cache、主存儲(chǔ)器以及
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三星+IBM STT-MRAM取代傳統(tǒng)DRAM的節(jié)奏
- 三星電子(SamsungElectronics)與IBM攜手研發(fā)出11納米制程的次世代存儲(chǔ)器自旋傳輸(SpinTransferTorque)磁性存儲(chǔ)器(STT-MRAM)。兩家公司也表示，預(yù)計(jì)在3年內(nèi)展開MRAM量產(chǎn)，也引起了業(yè)界高度的注目。 韓媒指出，STT-MRAM是可望取代傳統(tǒng)DRAM、SRAM的新世代存儲(chǔ)器技術(shù)。與目前的NANDFlash相比，寫入速度快上10萬倍，而讀取速度則是快上接近10倍。由于STT-MRAM只要透過少量電力就可以驅(qū)動(dòng)的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，不使用時(shí)也完全不需要電力。
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28納米FD-SOI制程嵌入式存儲(chǔ)器即將問世
- SamsungFoundry準(zhǔn)備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項(xiàng)。 三星晶圓代工業(yè)務(wù)(SamsungFoundry)準(zhǔn)備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM(spintorquetransfermagneticRAM)以及快閃記憶體，做為嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項(xiàng)。 SamsungFoundry行銷暨業(yè)務(wù)開發(fā)負(fù)責(zé)人KelvinLow在接受EETimes歐洲版訪問時(shí)表示，該公司的技術(shù)藍(lán)圖顯示，28
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IBM和三星助推 MRAM、PRAM 商用
- 據(jù)海外媒體報(bào)道，DRAM 發(fā)展快到盡頭，磁性存儲(chǔ)器(MRAM)和相變存儲(chǔ)器(PRAM)是最有潛力的接班人?IBM 和三星電子最近宣稱，“自旋傳輸磁性存儲(chǔ)器(STT-MRAM)”的研究出現(xiàn)突破，有望加速走上商用之途。 韓媒 BusinessKorea 11 日報(bào)導(dǎo)，IBM 和三星在電機(jī)電子工程師學(xué)會(huì)(IEEE)發(fā)布研究論文宣稱，兩家公司攜手研發(fā)的 STT-MRAM 的生產(chǎn)技術(shù)，成功實(shí)現(xiàn) 10 納秒(nanosecond)的傳輸速度和超省電架構(gòu)，理論上表現(xiàn)超越 DRAM。
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MRAM在28nm CMOS制程處于領(lǐng)先位置
- 在28nm晶片制程節(jié)點(diǎn)的嵌入式非揮發(fā)性記憶體競賽上，自旋力矩轉(zhuǎn)移磁阻式隨機(jī)存取記憶體(STT-MRAM)正居于領(lǐng)先的位置。 比利時(shí)研究機(jī)構(gòu)IMEC記憶體部門總監(jiān)Arnaud Furnemont指出，雖然電阻式隨機(jī)存取記憶體(ReRAM)和相變記憶體(PCM)等其他類型的記憶器也都有其支持者，但這些記憶體都存在著微縮的問題，而難以因應(yīng)28nm CMOS制程的要求。 28nm平面CMOS節(jié)點(diǎn)可望具有更長的壽命，以因應(yīng)更多的“超越摩爾定律”(More-than-Moore
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日本東北大學(xué)，開發(fā)成功超高速小電流MRAM
- 日本東北大學(xué)2016年3月21日宣布，開發(fā)成功了可超高速動(dòng)作的新型磁存儲(chǔ)器(MRAM：Magnetic Random Access Memory)的基礎(chǔ)元件，并實(shí)際驗(yàn)證了動(dòng)作。該元件可兼顧迄今MRAM元件難以實(shí)現(xiàn)的小電流動(dòng)作和高速動(dòng)作。 ? 三種自旋軌道力矩磁化反轉(zhuǎn)元件構(gòu)造。(a)與(b)為以前的構(gòu)造，(c)為此次開發(fā)的構(gòu)造(該圖摘自東北大學(xué)的發(fā)布資料) (點(diǎn)擊放大) PC及智能手機(jī)使用的SRAM及DRAM等半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，因構(gòu)成元件的微細(xì)化，性能獲得了提高，但隨著微
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MRAM接班主流存儲(chǔ)器指日可待
- 記憶體產(chǎn)業(yè)中的每一家廠商都想打造一種兼具靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體(SRAM)的快速、快閃記憶體的高密度以及如同唯讀記憶體(ROM)般低成本等各種優(yōu)勢的非揮發(fā)性記憶體。如今，透過磁阻隨機(jī)存取記憶體(MRAM)，可望解決開發(fā)這種“萬能”記憶體(可取代各種記憶體)的問題 遺憾的是，實(shí)際讓非揮發(fā)性MRAM的速度更快、密度更高且更便宜(MRAM制造商的承諾)的最佳化步驟，似乎總是還得再等三年之久。如今，荷蘭愛因霍芬科技大學(xué)(Eindhoven University of Technolo
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SK海力士與東芝訴訟和解 提升未來技術(shù)發(fā)展力
- 東芝(Toshiba)與SK海力士(SK Hynix)宣布將共同開發(fā)下一代半導(dǎo)體制程技術(shù)，同時(shí)東芝也撤銷對SK海力士提出的1.1兆韓元(約9.1億美元)損害賠償訴訟。兩企業(yè)決定集中火力爭取半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來主導(dǎo)權(quán)，取代相互耗損的專利訴訟。 據(jù)ET News報(bào)導(dǎo)，東芝與SK海力士曾維持很長時(shí)間的合作關(guān)系。2007年締結(jié)專利授權(quán)合約，并自2011年開始共同開發(fā)下一代記憶體STT-MRAM。2014年3月因記憶體半導(dǎo)體技術(shù)外流，東芝向SK海力士提出告訴，要求1.1兆韓元規(guī)模的民事賠償，雙方關(guān)系因此破裂。
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