多年來，各大廠商多年來孜孜不倦地追求閃存更高層數和內存更先進制程?，F(xiàn)代社會已經進入大數據、物聯(lián)網時代——一方面，數據呈爆炸式增長，芯片就必須需要具備巨大的計算能力 ；另一方面，依據傳統(tǒng)摩爾定律微縮的半導體技術所面臨的挑戰(zhàn)越來越大、需要的成本越來越高、實現(xiàn)的性能提高也趨于放緩。應用材料公司金屬沉積產品事業(yè)部全球產品經理周春明博士說：「DRAM、SRAM、NAND 這些傳統(tǒng)的存儲器，已經有幾十年歷史了，它們還在一直在向前發(fā)展，不斷更新?lián)Q代，尺寸越來越小，成本越來越低，性能越來越強?！沟且呀涢_始出現(xiàn)無法超越的
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MRAM ReRAM PCRAM
富士通電子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM（可變電阻式存儲器）（注1）產品MB85AS4MT。此產品為富士通半導體與松下電器半導體（注2）合作開發(fā)的首款ReRAM存儲器產品。ReRAM是基于電阻式隨機存取的一種非易失性存儲器，此產品可將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結合于一身，同時具備更低的功耗及更快的讀寫速度。ReRAM作為存儲器前沿技術，未來預期可以替代目前的FlashRAM,并且具有成本更低,性能更突出的優(yōu)勢。ReRAM存儲芯片的能耗可達到閃存的1/20
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合作 ReRAM 半導體
莫斯科物理技術學院(MIPT)宣稱成功為ReRAM開發(fā)出新的制程，可望為其實現(xiàn)適于3D堆疊的薄膜技術… 可變電阻式隨機存取存儲器(ReRAM)是一種可望取代其他各種儲存類型的“通用”存儲器，不僅提供了隨機存取存儲器(RAM)的速度，又兼具快閃存儲器(flash)的密度與非揮發(fā)性。然而目前，flash由于搶先進入3D時代而較ReRAM更勝一籌?！ ∪缃?，莫斯科物理技術學院(Moscow Institute of Physics and Technolo
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ReRAM 存儲器
比NAND閃存更快千倍 40納米ReRAM在中芯國際投產引起業(yè)界關注!曾經一度大舉退出內存生產的中芯國際，為何鎖定瞄準ReRAM?主要原因在于ReRAM應用在物聯(lián)網(IoT)裝置擁有愈長的電池續(xù)航力，一來可節(jié)省維護成本、二來有助提高物聯(lián)網基礎設施可持續(xù)性。
現(xiàn)階段業(yè)界也在尋找可大幅降低物聯(lián)網裝置能源消耗的辦法，為此業(yè)界發(fā)現(xiàn)物聯(lián)網芯片中內嵌“可變電阻式內存”(ReRAM)，有助達成此一節(jié)能目標。
據報導，若要達到物聯(lián)網應用的能源采用要求，需要導入各式節(jié)能策略，即使多數
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中芯國際 ReRAM
非揮發(fā)性電阻式內存(ReRAM)開發(fā)商CrossbarInc.利用非導電的銀離子-非晶硅(a-Si)為基板材料，并透過電場轉換機制，開發(fā)出號稱比NAND閃存更快千倍速度的ReRAM組件，同時就像先前在2016年所承諾地如期實現(xiàn)量產。
根據Crossbar策略營銷與業(yè)務發(fā)展副總裁SylvainDubois表示，專為嵌入式非揮發(fā)性內存(eNVM)應用而打造的CrossbarReRAM提供了更高性能，密度比DRAM更高40倍，耐久度與寫入速度更高1，000倍，單芯片尺寸約200mm2左右，即可實現(xiàn)高達
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NAND ReRAM
中芯未來幾年的擴產布局，可謂遍地開花，包括在北京、上海、深圳、寧波以及杭州等地，都有新的12寸晶圓廠投資計劃，雖然部分投資案目前僅止于土地取得、尚未裝置機臺的階段，但可看出中芯旺盛的企圖心。
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中芯國際 ReRAM
目前在下一代存儲芯片的研發(fā)當中，除了3D XPoint芯片外還有ReRAM芯片(非易失性阻變式存儲器)。2016年3月，Crossbar公司宣布與中芯國際達成合作，發(fā)力中國市場。其中，中芯國際將采用自家的40nm CMOS試產ReRAM芯片。近日，兩者合作的結晶終于誕生，中芯國際正式出樣40nm工藝的ReRAM芯片。
據介紹，這種芯片比NAND芯片性能更強，密度比DRAM內存高40倍，讀取速度快100倍，寫入速度快1000倍，耐久度高1000倍，單芯片(200mm2左右)即可實現(xiàn)TB級存儲，還具
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中芯國際 ReRAM
富士通電子元器件(上海)有限公司今天宣布，推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM(可變電阻式存儲器)(注1)產品MB85AS4MT。此產品為富士通半導體與松下電器半導體(注2)合作開發(fā)的首款ReRAM存儲器產品。
ReRAM是基于電阻式隨機存取的一種非易失性存儲器，此產品可將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結合于一身，同時具備更低的功耗及更快的讀寫速度。ReRAM作為存儲器前沿技術，未來預期可以替代目前的FlashRAM,并且具有成本更低,性能更突出的優(yōu)勢。ReRAM存儲芯片的能耗可達到閃
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富士通 ReRAM
可變電阻式ReRAM 作為新的存儲技術，從研發(fā)到商用總是要歷經漫長的艱難坎坷?，F(xiàn)在ReRAM芯片的研制已經初見成效，日前索尼和Micron就聯(lián)手公布了他們的最新研究成果，稱他們試制的產品在性能上已經非常接近理論數據。
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索尼和Micron聯(lián)手公布的是一款容量為16Gb(2GB)的ReRAM芯片，據稱這款芯片基于27nm CMOS工藝打造，可以用于替換現(xiàn)有的DDR SDRAM芯片，可用于移動設備或者是PC上。
按照公布的信息稱，索尼和Micron聯(lián)手公布的這顆芯片實
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索尼 Micron ReRAM
固態(tài)硬盤供應商SanDisk正在研發(fā)一種新型的系統(tǒng)存儲器，未來也許能一舉替代內存和硬盤。 ReRAM代表電阻式RAM，將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結合于一身。換句話說，關閉電源后存儲器仍能記住數據。如果ReRAM有足夠大的空間，一臺配備ReRAM的PC將不需要載入時間。ReRAM基于憶阻器原理，致力于商業(yè)化ReRAM的企業(yè)包括惠普、Elpida、索尼、松下、美光、海力士等等。
基礎電子學教科書列出三個基本的被動電路元件：電阻器、電容器和電感器;電路的四大基本變量則是電流、電壓、電荷和磁
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惠普 內存 ReRAM
繼Hynix(海力士)和HP(惠普)宣布合作開發(fā)新世代內存ReRAM技術和材料，Elpida(爾必達)與Sharp(夏普)亦宣布共同研發(fā)ReRAM，讓次世代內存技術研發(fā)掀起跨領域結盟熱潮。內存業(yè)者預期，未來ReRAM、3D NAND Flash、PRAM(相變化內存)和MRAM(磁性隨機存取內存)等次世代內存，將會有一番激烈競爭。
值得注意的是，海力士與惠普日前才宣布要共同開發(fā)ReRAM技術，惠普具有新的極小電子組件(Memory resistors;Memristors)技術，采用十字結構，相
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內存 ReRAM
繼海力士(Hynix)和惠普(HP)宣布合作開發(fā)新世代內存ReRAM(Resistive Random-Access Memory)技術和材料，爾必達(Elpida)與夏普(Sharp)亦宣布共同研發(fā)ReRAM，讓次世代內存技術研發(fā)掀起跨領域結盟熱潮，內存業(yè)者預期，未來ReRAM、3D NAND Flash、相變化內存(Phase Change RAM;PRAM)和磁性隨機存取內存(Magnetic RAM;MRAM)等次世代內存，將會有一番激烈競爭。
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爾必達 ReRAM 次世代內存
日經新聞報道，夏普正與爾必達聯(lián)手開發(fā)下一代ReRAM可變電阻式閃存芯片，預計在2013年實現(xiàn)量產。
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夏普 閃存芯片 ReRAM
reram介紹
日本富士通的川崎實驗室透露,他們研發(fā)除了一種新型的非揮發(fā)ReRAM(電阻式記憶體),能提供更低的功耗.
包含鈦鎳氧化物結構的ReRAM,在刷寫時只需要100mA的電流甚至更少,相比傳統(tǒng)ReRAM,研究人員還降低了90%的波動電阻值,這一技術指標在反復高速寫入和擦除時會影響產品質量和壽命.
新的技術可以更快地完成存取,5毫秒內存取10000次.
這種ReRAM未來可以替代目前的 [
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