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惠普宣布與海力士合作開發(fā)新型內(nèi)存
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，惠普周二宣布與韓國(guó)海力士半導(dǎo)體(Hynix Semiconductor)達(dá)成合作協(xié)議，共同研發(fā)下一代內(nèi)存技術(shù)電阻式內(nèi)存并將其推向市場(chǎng)。 據(jù)一份聲明顯示，兩家公司將合作開發(fā)新型材料和技術(shù)，實(shí)現(xiàn)電阻式內(nèi)存(ReRAM)技術(shù)的商業(yè)化。海力士將會(huì)采用由惠普實(shí)驗(yàn)室研發(fā)出的新型元件憶阻器(memristor)。憶阻器相比現(xiàn)有的固態(tài)存儲(chǔ)技術(shù)能耗更低，速度更快，而且能在斷電時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)?；萜战衲甏杭痉Q表示，憶阻器也能夠執(zhí)行邏輯。 ReRAM技術(shù)的初衷是成為低功耗Flash的替代品。ReRAM
- 關(guān)鍵字： 海力士 內(nèi)存 ReRAM
reram介紹
日本富士通的川崎實(shí)驗(yàn)室透露,他們研發(fā)除了一種新型的非揮發(fā)ReRAM(電阻式記憶體),能提供更低的功耗.
包含鈦鎳氧化物結(jié)構(gòu)的ReRAM,在刷寫時(shí)只需要100mA的電流甚至更少,相比傳統(tǒng)ReRAM,研究人員還降低了90%的波動(dòng)電阻值,這一技術(shù)指標(biāo)在反復(fù)高速寫入和擦除時(shí)會(huì)影響產(chǎn)品質(zhì)量和壽命.
新的技術(shù)可以更快地完成存取,5毫秒內(nèi)存取10000次.
這種ReRAM未來(lái)可以替代目前的 [ 查看詳細(xì) ]
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