目前在下一代存儲芯片的研發(fā)當中，除了3D XPoint芯片外還有ReRAM芯片(非易失性阻變式存儲器)。2016年3月，Crossbar公司宣布與中芯國際達成合作，發(fā)力中國市場。其中，中芯國際將采用自家的40nm CMOS試產ReRAM芯片。近日，兩者合作的結晶終于誕生，中芯國際正式出樣40nm工藝的ReRAM芯片。

　　據(jù)介紹，這種芯片比NAND芯片性能更強，密度比DRAM內存高40倍，讀取速度快100倍，寫入速度快1000倍，耐久度高1000倍，單芯片(200mm2左右)即可實現(xiàn)TB級存儲，還具備結構簡單、易于制造等優(yōu)點。

　　另外，按計劃更先進的28nm工藝ReRAM芯片也將在2017年上半年問世。