EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
ddr5 dram
ddr5 dram 文章 進(jìn)入ddr5 dram技術(shù)社區(qū)
英特爾+軟銀聯(lián)手劍指HBM
- 美國(guó)芯片巨頭英特爾已與日本科技和投資巨頭軟銀攜手，合作開(kāi)發(fā)一種堆疊式DRAM解決方案，以替代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）。據(jù)報(bào)道，雙方已合資成立新公司Saimemory共同打造原型產(chǎn)品，該項(xiàng)目將利用英特爾的芯片堆疊技術(shù)以及東京大學(xué)持有的數(shù)據(jù)傳輸專(zhuān)利，軟銀則以30億日元注資成為最大股東（總投資約100億日元）。該合作計(jì)劃于2027年完成原型開(kāi)發(fā)并評(píng)估量產(chǎn)可行性，目標(biāo)是在2030年前實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。Saimemory將主要專(zhuān)注于芯片的設(shè)計(jì)工作以及專(zhuān)利管理，而芯片的制造環(huán)節(jié)則將交由外部代工廠負(fù)責(zé)這種分工模式有助于充分發(fā)揮
- 關(guān)鍵字： 英特爾 軟銀 HBM DRAM 三星 SK海力士
三星考慮進(jìn)行大規(guī)模內(nèi)部重組
- 據(jù)韓媒SEDaily報(bào)道，三星半導(dǎo)體部門(mén)（即DS設(shè)備解決方案部）正對(duì)系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)的組織運(yùn)作方式的調(diào)整計(jì)劃進(jìn)行最終審議，相關(guān)決定將在不久后公布。預(yù)計(jì)在由副董事長(zhǎng)鄭鉉鎬和DS部門(mén)負(fù)責(zé)人全永鉉做出最終決定之前，還將進(jìn)行更多高層討論，并聽(tīng)取董事長(zhǎng)李在镕的意見(jiàn)。系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)主要負(fù)責(zé)芯片設(shè)計(jì)，在三星半導(dǎo)體體系中承擔(dān)著為移動(dòng)業(yè)務(wù)（MX）部門(mén)開(kāi)發(fā)Exynos手機(jī)SoC的核心任務(wù)。然而，近年來(lái)Exynos 2x00系列應(yīng)用處理器在三星Galaxy S/Z系列高端智能手機(jī)中的采用率明顯下降，不僅削弱了MX部門(mén)的利潤(rùn)空間，
- 關(guān)鍵字： 三星 HBM LSI DRAM 半導(dǎo)體 晶圓代工
DDR5上升趨勢(shì)放緩;DRAM價(jià)格在第三季度將適度上漲
- 根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告，DRAM 方面，DDR5 價(jià)格已顯現(xiàn)放緩跡象，預(yù)計(jì) 25 年第三季度整體 DRAM 價(jià)格漲幅將有所緩和。至于 NAND 閃存，現(xiàn)貨價(jià)格在 2 月下旬以來(lái)上漲后已達(dá)到相對(duì)較高的水平，購(gòu)買(mǎi)勢(shì)頭現(xiàn)在正在降溫。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格：與 DDR4 產(chǎn)品相比，DDR5 產(chǎn)品仍然會(huì)出現(xiàn)小幅現(xiàn)貨價(jià)格上漲。然而，DDR5 產(chǎn)品的平均現(xiàn)貨價(jià)格已經(jīng)相當(dāng)高，在某些情況下甚至高于合同價(jià)格。因此，上升趨勢(shì)最近有所緩和。組件公司和現(xiàn)貨交易員仍然更愿意接受 DDR4
- 關(guān)鍵字： DDR5 DRAM
用于DDR5 PMIC的屏蔽式功率電感器
- Bourns 開(kāi)發(fā)了兩款具有納米晶內(nèi)核的屏蔽式功率電感器，以降低 DDR5 內(nèi)存系統(tǒng)的功率損耗。SRP2512CL 和 SRP3212CL 系列屏蔽式功率電感器具有低交流電阻 （ACR） 和低直流電阻 （DCR），可滿足最新的 DDR5 內(nèi)存技術(shù)規(guī)格，例如 DDR5 電源管理集成電路 （PMIC） 和臺(tái)式電腦、筆記本電腦和平板電腦中的客戶端 DDR5 模塊中的規(guī)格。SRP2512CL 和 SRP3212CL 系列電感器采用屏蔽結(jié)構(gòu)制造，可實(shí)現(xiàn)低磁場(chǎng)輻射和納米晶磁芯，以支持高電
- 關(guān)鍵字： DDR5 PMIC 屏蔽式功率電感器
內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格更新：DDR4供應(yīng)緊張大幅漲價(jià) DDR5 逐步啟動(dòng)
- 根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告，關(guān)于 DRAM，現(xiàn)貨市場(chǎng)顯示，由于預(yù)期未來(lái)供應(yīng)趨緊，DDR4 產(chǎn)品的價(jià)格相比 DDR5 產(chǎn)品的價(jià)格上漲幅度更大。至于 NAND 閃存，買(mǎi)家放慢了詢價(jià)和交易的速度。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格：與合約市場(chǎng)的情況類(lèi)似，現(xiàn)貨市場(chǎng)顯示，由于預(yù)期未來(lái)供應(yīng)趨緊，DDR4 產(chǎn)品的價(jià)格與 DDR5 產(chǎn)品的價(jià)格相比上漲幅度更大。DDR5 產(chǎn)品的價(jià)格也繼續(xù)逐步上漲，因?yàn)槟K公司急于增加庫(kù)存。TrendForce 集邦咨詢相信，整體而言，現(xiàn)貨價(jià)格在整個(gè) 2Q25
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存 DDR4 DDR5
Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設(shè)計(jì)中
- 存儲(chǔ)設(shè)備研發(fā)公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術(shù)的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發(fā)布。Neo 表示，它已經(jīng)開(kāi)發(fā)了一個(gè)晶體管、一個(gè)電容器 （1T1C） 和三個(gè)晶體管、零電容器 （3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預(yù)測(cè)該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn) 10ns 的讀/寫(xiě)速度和超過(guò) 450 秒的保持時(shí)間，芯片容量高達(dá) 512Gbit。這些設(shè)計(jì)的測(cè)試芯片預(yù)計(jì)將于 2026 年推出
- 關(guān)鍵字： Neo Semiconductor IGZO 3D DRAM
三星因關(guān)稅前囤積而提高DRAM價(jià)格，DDR4上漲20%
- 在特朗普加征關(guān)稅之前囤積數(shù)據(jù)推動(dòng)的 DRAM 需求激增似乎是真實(shí)的。據(jù)韓國(guó) Etnews 報(bào)道，三星一年多來(lái)首次提高了 DRAM 價(jià)格，其中 DDR4 的漲幅最大。該報(bào)告表明，三星在 5 月初與主要客戶敲定了新的定價(jià)條款，已將 DDR4 價(jià)格提高了約 20%。與此同時(shí)，該報(bào)告補(bǔ)充說(shuō)，DDR5 價(jià)格的漲幅較小，約為 5%。三星第二季度利潤(rùn)或?qū)⒌玫教嵴裰档米⒁獾氖?，Etnews 表示，由于 DRAM 價(jià)格是以數(shù)月為基礎(chǔ)進(jìn)行談判的，因此最近的上漲預(yù)計(jì)將在一段時(shí)間內(nèi)支持盈利能力，從而為三星第二
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM DDR4
Cadence推出突破性DDR5 12.8Gbps MRDIMM Gen2內(nèi)存IP系統(tǒng)解決方案，助力云端AI技術(shù)升級(jí)
- 楷登電子（美國(guó) Cadence 公司）近日宣布率先推出基于臺(tái)積公司 N3 工藝的 DDR5 12.8Gbps MRDIMM Gen2 內(nèi)存 IP 解決方案。該新解決方案可滿足業(yè)內(nèi)對(duì)于更大內(nèi)存帶寬的需求，能適應(yīng)企業(yè)和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中前沿的 AI 處理需求，包括云端 AI。Cadence? DDR5 MRDIMM IP 基于 Cadence 經(jīng)過(guò)驗(yàn)證且非常成功的 DDR5 和 GDDR6 產(chǎn)品線，擁有全新的可擴(kuò)展、可調(diào)整的高性能架構(gòu)。此 IP 解決方案已與人工智能、高性能計(jì)算和數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的多家領(lǐng)先客戶建立合作
- 關(guān)鍵字： Cadence DDR5 MRDIMM Gen2 內(nèi)存IP 云端AI
撐不住, SK海力士DRAM漲12%
- 全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)近期出現(xiàn)顯著價(jià)格上漲，消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)器產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)攀升。 根據(jù)最新市場(chǎng)動(dòng)態(tài)，SK海力士消費(fèi)級(jí)DRAM顆粒價(jià)格已上漲約12%，落實(shí)先前市場(chǎng)的漲價(jià)傳言。美商威騰旗下品牌SanDisk則于先前發(fā)布NAND Flash價(jià)格上調(diào)通知，自4月1日起，對(duì)所有通路商及零售客戶的產(chǎn)品實(shí)施價(jià)格調(diào)整，漲幅將超過(guò)10%。市場(chǎng)分析人士指出，存儲(chǔ)器價(jià)格近期上漲主要受到全球供應(yīng)鏈瓶頸、晶圓產(chǎn)能限制及美系客戶急拉貨的影響。特別是人工智能、云端運(yùn)算及5G技術(shù)的快速發(fā)展，持續(xù)推動(dòng)了對(duì)高性能內(nèi)存的強(qiáng)勁需求，存儲(chǔ)器國(guó)際大廠集中資源，生
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM
三星電子將引入VCT技術(shù)，未來(lái)2到3年推出新型DRAM產(chǎn)品
- 據(jù)最新消息，三星電子已制定明確的技術(shù)路線圖，計(jì)劃在第7代10nm級(jí)DRAM內(nèi)存工藝（1d nm）后引入VCT垂直通道晶體管技術(shù)。相關(guān)產(chǎn)品預(yù)計(jì)將在未來(lái)2到3年內(nèi)問(wèn)世。在規(guī)劃下一代DRAM工藝時(shí)，三星電子曾面臨兩種選擇：1e nm工藝和VCT DRAM技術(shù)。經(jīng)過(guò)深入研究和對(duì)比，三星最終選擇了VCT DRAM技術(shù)。相較于1e nm，VCT技術(shù)在性能和效率方面表現(xiàn)更優(yōu)。為加快研發(fā)進(jìn)度，三星電子還將原1e nm的先行研究團(tuán)隊(duì)并入1d nm研發(fā)團(tuán)隊(duì)，集中力量推進(jìn)1d nm工藝的開(kāi)發(fā)。VCT DRAM技術(shù)是一種新型存儲(chǔ)
- 關(guān)鍵字： 三星電子 VCT DRAM
DDR4加速退場(chǎng)，DDR5成為主流
- 三星已向其供應(yīng)鏈傳達(dá)消息，多款基于1y nm（第二代10nm級(jí)別）工藝制造的DDR4產(chǎn)品本月即將停產(chǎn)，以及1z nm（第三代10nm級(jí)別）工藝制造的8Gb LPDDR4也將進(jìn)入EOL階段。與此同時(shí)，美光已通知客戶將停產(chǎn)服務(wù)器用的舊版DDR4模塊，而SK海力士也被傳將DDR4產(chǎn)能削減至其生產(chǎn)份額的20%。這意味著內(nèi)存制造商正加速產(chǎn)品過(guò)渡，把更多資源投向HBM和DDR5等高端產(chǎn)品。ddr4和ddr5的區(qū)別· 帶寬速度：DDR4帶寬為25.6GB/s，DDR5帶寬為32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度為
- 關(guān)鍵字： DDR4 DDR5 三星 SK海力士 內(nèi)存 HBM
瀾起科技Q1利潤(rùn)翻倍！DDR5市占全球第一
- 4月23日晚間，瀾起科技披露一季報(bào)，2025年第一季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入12.22億元，同比增長(zhǎng)65.78%；凈利潤(rùn)5.25億元，同比增幅達(dá)135.14%；扣非后凈利潤(rùn)為5.03億元，同比增長(zhǎng)128.83%。瀾起科技目前擁有互連類(lèi)芯片和津逮?服務(wù)器平臺(tái)兩大產(chǎn)品線。該季度，瀾起科技互連類(lèi)芯片產(chǎn)品線銷(xiāo)售收入為11.39億元，同比增長(zhǎng)63.92%；津逮?服務(wù)器平臺(tái)產(chǎn)品線銷(xiāo)售收入為0.8億元，同比增長(zhǎng)107.38%。對(duì)于業(yè)績(jī)大幅增長(zhǎng)原因，瀾起科技指出，主要得益于2024年第4季人工智能（AI）市場(chǎng)成長(zhǎng)強(qiáng)勁，高效運(yùn)算（H
- 關(guān)鍵字： 瀾起科技 DDR5 存儲(chǔ)
SK海力士完成基于CXL 2.0的DDR5客戶驗(yàn)證， 引領(lǐng)數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)技術(shù)創(chuàng)新
- 2025年4月23日，SK海力士宣布，公司成功完成CMM（CXL Memory Module）- DDR5 96GB（千兆字節(jié)）產(chǎn)品的客戶驗(yàn)證，是基于CXL* 2.0標(biāo)準(zhǔn)的DRAM解決方案產(chǎn)品。SK海力士表示：“將此產(chǎn)品應(yīng)用于服務(wù)器系統(tǒng)，相較于現(xiàn)有的DDR5模組，其容量增長(zhǎng)了50%，寬帶擴(kuò)展了30%，可處理每秒最多36GB的數(shù)據(jù)。該產(chǎn)品有望顯著降低客戶在構(gòu)建并運(yùn)營(yíng)數(shù)據(jù)中心時(shí)所需的總體擁有成本*?！崩^96GB產(chǎn)品驗(yàn)證，公司正在與其他客戶開(kāi)展128GB產(chǎn)品的驗(yàn)證流程。該產(chǎn)品搭載第五代10納米級(jí)（1b）32Gb
- 關(guān)鍵字： SK海力士 CXL 2.0 DDR5 數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)
高速數(shù)據(jù)中心蓬勃發(fā)展，DRAM內(nèi)存接口功不可沒(méi)
- 高性能人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心正在以前所未有的方式重塑半導(dǎo)體設(shè)計(jì)版圖和投資方向。早在2022年，AI基礎(chǔ)設(shè)施方面的支出規(guī)模就已接近150億美元。而今年這一數(shù)字可能輕松突破600億美元大關(guān)。沒(méi)錯(cuò)，“吸金”，各種資金正從各種投資計(jì)劃中向數(shù)據(jù)中心涌入。顯然，我們正處在一個(gè)人工智能資本支出空前高漲的時(shí)代——盡管DeepSeek等新入局者的潛在影響尚難以被準(zhǔn)確估量。但不可否認(rèn)的是，就在英偉達(dá)（Nvidia）、AMD等公司的高性能計(jì)算（HPC）處理器成為行業(yè)焦點(diǎn)的同時(shí)，用于存儲(chǔ)訓(xùn)練和推理模型的高帶寬內(nèi)存同樣迎來(lái)了屬于
- 關(guān)鍵字： 數(shù)據(jù)中心 DRAM
SK海力士首度超越三星！拿下DRAM季度營(yíng)收第一：HBM市占率高達(dá)70%
- 4月9日消息，根據(jù)Counterpoint Research的2025年第一季度內(nèi)存追蹤報(bào)告，SK海力士首次超越三星電子，以36%的市占率成為全球DRAM營(yíng)收的領(lǐng)導(dǎo)者。在2025年第一季度，SK海力士的DRAM營(yíng)收市占率達(dá)到36%，而三星電子緊隨其后，市占率為34%，美光則以25%的市占率位列第三，其他廠商合計(jì)占據(jù)剩余的5%。SK海力士預(yù)期，營(yíng)收與市占率的增長(zhǎng)至少會(huì)持續(xù)到下一季度，其還表示，公司在關(guān)鍵的HBM市場(chǎng)占有率高達(dá)70%。Counterpoint Research資深分析師Jeongku Choi
- 關(guān)鍵字： SK海力士 三星 DRAM
ddr5 dram介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條ddr5 dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)ddr5 dram的理解，并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)ddr5 dram的理解，并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
ddr5 dram相關(guān)帖子
ddr5 dram資料下載
ddr5 dram專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473