據(jù)最新消息，三星電子已制定明確的技術(shù)路線圖，計(jì)劃在第7代10nm級(jí)DRAM內(nèi)存工藝（1d nm）后引入VCT垂直通道晶體管技術(shù)。相關(guān)產(chǎn)品預(yù)計(jì)將在未來2到3年內(nèi)問世。
在規(guī)劃下一代DRAM工藝時(shí)，三星電子曾面臨兩種選擇：1e nm工藝和VCT DRAM技術(shù)。經(jīng)過深入研究和對(duì)比，三星最終選擇了VCT DRAM技術(shù)。相較于1e nm，VCT技術(shù)在性能和效率方面表現(xiàn)更優(yōu)。為加快研發(fā)進(jìn)度，三星電子還將原1e nm的先行研究團(tuán)隊(duì)并入1d nm研發(fā)團(tuán)隊(duì)，集中力量推進(jìn)1d nm工藝的開發(fā)。
VCT DRAM技術(shù)是一種新型存儲(chǔ)技術(shù)，采用垂直通道晶體管結(jié)構(gòu)，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的存儲(chǔ)密度和更低的功耗，被廣泛認(rèn)為是未來DRAM技術(shù)的重要發(fā)展方向。這一技術(shù)的引入，或?qū)@著提升三星在DRAM領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力。