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自動測試設備應用中PhotoMOS開關的替代方案
- 問題人工智能(AI)應用對高性能內存,特別是高帶寬內存(HBM)的需求不斷增長,這是否會導致自動測試設備(ATE)廠商的設計變得更加復雜?回答AI需要高密度和高帶寬來高效處理數(shù)據(jù),因此HBM至關重要。ATE廠商及其開發(fā)的系統(tǒng)需要跟上先進內存接口測試的發(fā)展步伐。ADI公司的CMOS開關非常適合ATE廠商的內存晶圓探針電源測試。這些CMOS開關擁有快速導通和可擴展性等特性,能夠提升測試并行處理能力,從而更全面、更快速地測試內存芯片。簡介隨著AI應用對高性能內存,尤其是高帶寬內存(HBM)的需求不斷增長,內存芯
- 關鍵字: 自動測試設備 PhotoMOS ADI
Panasonic電工PhotoMOS MOSFET的控制電路

- 前言 Panansonic電工的PhotoMOS在輸出中采用了光電元件和功率MOSFET,是作為微小模擬信號用而開發(fā)出的SSD,以高功能型的HF型為首,正逐步擴展系列,如通用型的GU型、高頻型的RF型。 上次介紹了PhotoMOS的概要,此次將介紹內置在PhotoMOS中構成控制電路的獨特的光電元件的特點、構造、布線等。 FET型MOSFET輸出光電耦合器的基本電路 圖1是PhotoMOS中具有代表性的、即所謂的FET型MOSFET輸出光電耦合器的最基本電路。在該電路中由于輸出
- 關鍵字: Panansonic PhotoMOS MOSFET
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