前言

　　Panansonic電工的PhotoMOS在輸出中采用了光電元件和功率MOSFET，是作為微小模擬信號用而開發(fā)出的SSD，以高功能型的HF型為首，正逐步擴展系列，如通用型的GU型、高頻型的RF型。

　　上次介紹了PhotoMOS的概要，此次將介紹內(nèi)置在PhotoMOS中構(gòu)成控制電路的獨特的光電元件的特點、構(gòu)造、布線等。

　　FET型MOSFET輸出光電耦合器的基本電路

　　圖1是PhotoMOS中具有代表性的、即所謂的FET型MOSFET輸出光電耦合器的最基本電路。在該電路中由于輸出元件的功率MOSFET是電壓驅(qū)動型元件，因此利用光電二極管陣列(P.D.A)所供給的電壓使柵極容量充電，致使柵極電壓上升至接通電壓(閾值)，從而使MOSFET輸出光電耦合器動作。

　　然而，要使MOSFET輸出光電耦合器復(fù)位，則需要做與上述動作相反的工作，即讓柵極內(nèi)充電的電荷盡量快速地放電。在圖1所示的電路中，由于復(fù)位時間過長，故不能作為MOSFET輸出光電耦合器使用。

　　圖1 FET型MOSFET輸出光電耦合器基本電路

　　PhotoMOS利用圖2所示的內(nèi)置于光電元件的控制電路來解決這些問題。該控制電路為實現(xiàn)動作時間與復(fù)位時間保持平衡的良好的轉(zhuǎn)換特性，以及輸入LED電流的良好的靈敏度特性發(fā)揮著最關(guān)鍵的作用。

　　圖2 PhotoMOS 等效電路