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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 600v氮化鎵(gan)功率器件

        600v氮化鎵(gan)功率器件 文章 進入600v氮化鎵(gan)功率器件技術(shù)社區(qū)

        無錫集成電路設(shè)計產(chǎn)業(yè)要實現(xiàn)新一輪大發(fā)展

        •   無錫基地目前已經(jīng)聚集了超過100家的集成電路設(shè)計企業(yè),企業(yè)產(chǎn)品從原來傳統(tǒng)的工藝向更小線寬、更高復雜度發(fā)展。   隨著世界經(jīng)濟的逐步復蘇,在國家“促發(fā)展、保增長”和拉動內(nèi)需等各項措施激勵下,無錫集成電路產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)快速回升的勢頭,企業(yè)數(shù)量、產(chǎn)業(yè)規(guī)模得到了發(fā)展,產(chǎn)品的技術(shù)水平得到了升級。   
        • 關(guān)鍵字: 模擬IC  功率器件  

        2010中國連接器和功率器件市場供求趨勢調(diào)查

        •   據(jù)連接器市場分析公司Bishopand Associates發(fā)布報告稱,盡管2009年最后兩個季度連接器銷量連續(xù)增長,但是由于整體市場景氣衰退,全球連接器市場在2009年還是下降了大約25%。其中,來自醫(yī)療和軍事/航天OEM的連接器需求下降了5–7%。此外,連接器的價格也出現(xiàn)了疲軟,下降了5%。需求量低和生產(chǎn)能力過剩是連接器價格下降的主要因素。   不過,由于目前各連接器廠商正在積極調(diào)整庫存,并且,隨著消費電子、汽車電子和通信終端市場的快速增長,未來三年,全球連接器市場的發(fā)展?jié)摿σ廊缓艽?/li>
        • 關(guān)鍵字: 連接器  功率器件  USB  

        一種GaN寬禁帶功率放大器的設(shè)計

        • 氮化鎵(GaN)作為第三代半導體材料的典型代表之一,由于其寬帶隙、高擊穿電場強度等特點,被認為是高頻功率半導體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點,基于Agilent ADS仿真軟件,利用負載/源牽引方法設(shè)計制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細說明了設(shè)計步驟并對放大器進行了測試,數(shù)據(jù)表明放大器在2.3~2.4 GHz范圍內(nèi)可實現(xiàn)功率超過15W,附加效率超過67%的輸出。實驗結(jié)果證實,GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點。
        • 關(guān)鍵字: 設(shè)計  功率放大器  GaN  一種  

        基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)

        • 目前國際上商品化的GaN基LED均是在藍寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍寶石由于硬度高、導電性和導熱性差等原因,對后期器件加工和應(yīng)用帶來很多不便,SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處,而價格相對便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導熱導電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢,因此Si襯底GaN基LED制造技術(shù)受到業(yè)界的普遍關(guān)注。
        • 關(guān)鍵字: GaN  LED  襯底  功率型    

        GaN功率半導體市場將迅速增長,2013年市場規(guī)模達1.8億

        •   美國iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導體市場將迅速增長的調(diào)查報告)。報告顯示,2010年的市場規(guī)模近乎為零,但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式,不斷擴大市場規(guī)模。iSuppli預(yù)測,該產(chǎn)品在高性能服務(wù)器、筆記本電腦、手機及有線通信設(shè)備等方面的應(yīng)用將取得進展。   目前,GaN功率半導體正處于在研究室評測階段,或者剛開始商用化的階段。不過,GaN功率半導體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比,具有導通電阻較低等優(yōu)點,可提高電源電路的轉(zhuǎn)
        • 關(guān)鍵字: GaN  MOSFET  

        Microsemi在APEC 2010展示它的全部功率半導體器件產(chǎn)品

        •   Microsemi公司宣布將于本周在加利福尼亞州棕櫚泉(Palm Springs)的棕櫚泉會議中心(Palm Springs Convention Center)所舉行的應(yīng)用功率電子學會議和展覽會 (APEC 2010)上展出它的一系列功率器件產(chǎn)品,并在2個技術(shù)交流會上進行演講。   Microsem所展示的主要產(chǎn)品(展臺 #122):   · 應(yīng)用于太陽能逆變器的一組超薄功率模塊。   · 以太網(wǎng)驅(qū)動(PoE)芯片集和模塊,其中包括Microsem公司第四代的IEE
        • 關(guān)鍵字: Microsemi  功率器件  

        歐姆龍電子將出展2010慕尼黑上海電子展

        •   繼歐姆龍電子部件貿(mào)易(上海)有限公司成功出展“2009慕尼黑上海電子展”之后,又將于2010年3月16~18日在上海新國際博覽中心參加“2010慕尼黑上海電子展”。   慕尼黑上海電子展立足于電子元器件, 快速增長的中國及亞太市場,經(jīng)過8年多的培育,已經(jīng)發(fā)展成為行業(yè)內(nèi)具有重要影響的綜合性專業(yè)電子展覽會。其針對重點領(lǐng)域,包括功率器件、被動元件、連接器、汽車電子等設(shè)立了專區(qū),使得綜合性與專業(yè)性得到完美結(jié)合。   屆時,我們將問您展示歐姆龍電子部件事業(yè)部包
        • 關(guān)鍵字: 歐姆龍  功率器件  被動元件  連接器  汽車電子  

        IR率先推出氮化鎵集成功率級器件iP2010和iP2011

        •   國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出行業(yè)首個商用集成功率級產(chǎn)品系列,采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術(shù)平臺。嶄新的iP2010和iP2011系列器件是為多相和負載點 (POL) 應(yīng)用設(shè)計的,包括服務(wù)器、路由器、交換機,以及通用POL DC-DC轉(zhuǎn)換器。   iP2010和iP2011集成了非常先進的超快速PowIRtune驅(qū)動器IC,并匹配一個多開關(guān)單片氮化鎵功率器件。這些器件貼裝在一個倒裝芯片封裝平臺上,可帶來比最先進的硅集成功率級器件
        • 關(guān)鍵字: IR  功率器件  氮化鎵  DC-DC  

        功率半導體:強化設(shè)計能力 尋求中高端突破

        •   功率半導體包括功率二極管、功率開關(guān)器件與功率集成電路。近年來,隨著功率MOS(金屬氧化物半導體)技術(shù)的迅速發(fā)展,功率半導體的應(yīng)用范圍已從傳統(tǒng)的工業(yè)控制領(lǐng)域擴展到4C領(lǐng)域(計算機、通信、消費類電子產(chǎn)品和汽車電子),滲透到國民經(jīng)濟與國防建設(shè)的各個方面。我國擁有國際上最大的功率半導體市場,擁有迅速發(fā)展的半導體代工線及國際上最大規(guī)模的人才培養(yǎng)體系,但中國功率半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展必須改變目前封裝強于芯片、芯片強于設(shè)計的局面。功率半導體行業(yè)應(yīng)加強技術(shù)力量的引進和消化吸收,大力發(fā)展設(shè)計技術(shù),以市場帶動設(shè)計,以設(shè)計促進芯
        • 關(guān)鍵字: 功率器件  開關(guān)  功率二極管  

        能效需求催生功率器件應(yīng)用熱潮

        •   市場需求逐步恢復   ● 能效需求催生功率器件應(yīng)用熱潮   ● 擴內(nèi)需政策為企業(yè)提供增長空間   陳坤和   從2008年底到2009年初,所有電子產(chǎn)品的需求均有減少,功率半導體也不例外。我們認識到,困難時期可能成為重新把公司塑造成一個更精簡、更專注、更贏利企業(yè)的催化劑。由于各國政府的經(jīng)濟刺激措施紛紛把提升能效列為重點內(nèi)容,許多企業(yè)開始關(guān)注功率產(chǎn)品。在中國,由于政府刺激消費電子市場,中國市場需求增長,推動功率管理和其他半導體產(chǎn)品的需求開始復蘇。從長期來看,功率半導體將與許多其他領(lǐng)域的半導體產(chǎn)品
        • 關(guān)鍵字: 功率器件  MOSFET  

        如何辨別元器件以舊翻新及偽造名牌?

        •   如何辨別元器件以舊翻新及偽造名牌?9月19日,華強電子網(wǎng)邀請兩位行業(yè)專家向近300家元器件賣家講解。   據(jù)元器件賣家反應(yīng),功率器件作為電子元器件行業(yè)不可或缺的角色,在行業(yè)中的地位舉足輕重。由于對功率器件基礎(chǔ)知識以及封裝失效常識的缺失,很多業(yè)內(nèi)人士不能正確識別功率器件不良品出現(xiàn)的原因和特征,比如功率器焊點斷開、焊線斷開、芯片開裂、磨損失效、錫須失效、參數(shù)失效等嚴重問題,給商務(wù)貿(mào)易造成很大的不便。   基于此,在9月19日的華強商務(wù)講堂中,深圳市中意法科技有限公司總經(jīng)理朱軍山先生針對性地就&ldqu
        • 關(guān)鍵字: 元器件  功率器件  

        SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

        • 使用國產(chǎn)6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN/GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型,利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級GaNMMIC,研制出具有通孔結(jié)構(gòu)的GaN MMIC芯片,連續(xù)波測試顯示,頻率為9.1~10.1 GHz時連續(xù)波輸出功率大于10W,帶內(nèi)增益大于12 dB,增益平坦度為±0.2 dB。該功率單片為第一個采用國產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
        • 關(guān)鍵字: MMIC  SiC  GaN  襯底    

        功率器件的散熱計算及散熱器選擇

        • 目前的電子產(chǎn)品主要采用貼片式封裝器件,但大功率器件及一些功率模塊仍然有不少用穿孔式封裝,這主要是可方便地 ...
        • 關(guān)鍵字: 功率器件  散熱器  功耗  
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        600v氮化鎵(gan)功率器件介紹

        您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條600v氮化鎵(gan)功率器件!
        歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對600v氮化鎵(gan)功率器件的理解,并與今后在此搜索600v氮化鎵(gan)功率器件的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

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