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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 1γ dram

        臺媒:大陸DRAM突破技術障礙還得靠臺灣

        •   據臺灣經濟日報報道,大陸積極發(fā)展內存產業(yè),但由于仍難突破三DRAM大廠的技術防線,在政策與時間壓力下,反而凸顯臺廠扮演關鍵少數的重要性,業(yè)界分析臺廠未來勢必成為大陸首要爭取合作的對象。   大陸的內存產業(yè),目前形成紫光集團、合肥睿力及福建晉華等三大勢力,但在美光發(fā)動司法調查,緊盯三大廠竊取專利和營業(yè)秘密行為后,日前紫光已表態(tài)未來將朝自主研發(fā)前進。   另合肥睿力由前華亞科副總劉大維主導的團隊,仍如火如荼進行,并宣示明年要切入19nm生產DRAM;福建晉華則和聯電合作,委托聯電開發(fā)DRAM相關制程技
        • 關鍵字: DRAM  SK海力士  

        第二季PC DRAM合約價漲逾一成,全球DRAM營收季增16.9%

        •   集邦咨詢內存儲存研究(DRAMeXchange)調查顯示,2017年第二季的DRAM產業(yè)營收表現再度創(chuàng)下新高。從價格方面來看,由于客戶端已經將庫存水位逐步往上提升,第二季供不應求狀況雖不至于像第一季度嚴重,但整體仍處于供貨吃緊的狀況。標準型內存與服務器用內存第二季價格上漲逾一成,行動式內存則因中國品牌手機廠下修出貨數量,價格僅小幅上漲5%內。   DRAMeXchange研究協理吳雅婷指出,觀察市場面,受惠于平均銷售單價的上揚與新制程的持續(xù)轉進,大規(guī)模的擴張產能至今年年底仍未見,全球DRAM市場第二
        • 關鍵字: DRAM  NOR  

        并購路不易走 中國芯片產業(yè)如何實現自主替代?

        • 在海外并購道路障礙重重的情況下,我們通過培養(yǎng)積蓄人才來為中國創(chuàng)“芯”積攢力量,向2020年實現芯片自給率40%、2025年自給率70%的目標前進,是更為有效地打破“缺芯”現狀實現自主替代的路徑。
        • 關鍵字: 芯片  DRAM  

        IC Insights:今年全球IC分類增長排行,DRAM達55%

        •   根據市場研究調查機構 IC Insights 的預估,2017 年全球 IC 市場可望成長約 16%。 其中,在DRAM將成長更將達 55%,將是 2017 年中成長幅度最大的 IC 產品。    ?   IC Insights 表示,DRAM 市場 2013 年與 2014 年分別成長 32% 及 34%,也都是當年成長最大的 IC 產品領域。 統(tǒng)計過去 5 年,DRAM 市場經常是成長最大,或者衰退最大的 IC 產品項目,顯示 DRAM 市場變化極端的特性。 不過,DRAM 市
        • 關鍵字: DRAM  IC  

        背靠聯電的技術,晉華存儲DRAM實力能否殺出重圍?

        •   在2016年7月16日,投資370億元人民幣、月產6萬片12吋內存晶圓、年產值達12億美元的晉華存儲器集成電路生產線一期項目開工儀式。        據資料顯示,晉華存儲器集成電路生產項目由福建省電子信息集團和泉州、晉江兩級政府共同投建,總規(guī)劃面積594畝,預計于2018年9月達產。作為國家重點支持的DRAM存儲器生產項目,晉華項目已納入國家“十三五”集成電路重大生產力布局規(guī)劃重大項目清單,并獲得首筆30億元國家專項建設基金支持。   此項目堪稱晉江所有重
        • 關鍵字: 晉華存儲  DRAM  

        全球半導體2017年增速將達16%,其中10種產品增速可達兩位數

        • ,世界半導體貿易統(tǒng)計組織(WSTS)將半導體分為33個大類。近日,市場調研機構IC Insights給出了這33類產品在2017年市場狀況的預期。   33種IC產品2017年增速排名(預計)如下圖所示。增速最快的是DRAM,這并不意外,2017年上半年DRAM價格異常出色,IC Insights預計2017年DRAM總銷售額同比增長55%,從而成為半導體細分市場增長率冠軍。問鼎增長率冠軍對DRAM市場而言并不是新鮮事,2013年和2014年DRAM同樣引領整個產業(yè)增長。在過去5年,DRAM要么是增長率
        • 關鍵字: 半導體  DRAM  

        三星計劃調整Q4Mobile DRAM合約價 漲幅約10%

        •   全球DRAM龍頭韓國三星電子近期通知相關電子委托制造廠,計劃調漲第4季行動式存儲器(Mobile DRAM)合約價,漲幅近一成,反映DRAM供貨短缺仍未紓解,漲勢可望延續(xù)至今年第4季,南亞科和華邦電等同步受惠。   存儲器業(yè)者強調,DRAM從去年起漲,主要受惠資料中心的服務器用DRAM需求強勁,加上網通類產品的需求隨導入嵌入式多芯片封裝存儲器的整合架構,帶動DRAM需求增加,但供給端因DRAM產業(yè)制程已接近極限,前三大廠包括三星、SK海力士和美光等也未增建新廠,造成供貨緊縮,使平均銷售單價居高不下,
        • 關鍵字: 三星  DRAM  

        三大內存罕見同時缺貨,三星DRAM再漲10%

        •   DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大內存持續(xù)供貨短缺,創(chuàng)下史上罕見同缺記錄。 其中DRAM和NAND內存,更寫下史上最長漲勢。   內存業(yè)界表示,2008及2015年都出現過DRAM大漲,但多是因跌深或供貨商發(fā)生爆炸意外所造成的供需失衡,且DRAM和NAND Flash產能會排擠,很少看到兩大內存同漲。   這次DRAM和NAND內存兩大內存缺貨超乎預期且價格上漲,主要來自數據中心、移動設備及計算機三大領域應用需求強,前三大廠包括三星、SK海力士和美光等也未增建新廠,造成供貨緊縮
        • 關鍵字: 三星  DRAM  

        國內存儲器市場分析 該如何走存儲器國產化道路?

        • 近年來,隨著移動通信、物聯網、智能制造等領域的快速發(fā)展,存儲器產品的應用市場也隨之逐步開拓,市場需求越來越大。
        • 關鍵字: 存儲器  DRAM   

        內存價格暴漲一整年:徹底沒法買了

        • 內存、固態(tài)盤這一年來不斷漲價,但究竟上漲到了什么程度呢?統(tǒng)計數據那是相當的嚇人。
        • 關鍵字: 內存  DRAM  

        2017年全球IC市場規(guī)模年增16% 成長幅度創(chuàng)近年新高

        •   隨著DRAM與NAND Flash市場規(guī)模大幅成長,調研機構IC Insights預估,2017年全球整體IC市場規(guī)模將較2016年大幅成長16%,創(chuàng)下自2010年增33%以來,最佳年增紀錄。亦為2000年以來,第5度IC市場規(guī)模年增幅度達到雙位數百分比。   2017年全球DRAM市場規(guī)模將會年增55%,NAND Flash年增35%。不過該機構亦指出,促使DRAM與NAND Flash市場大幅成長的最主要因素,是來自于DRAM與NAND Flash平均售價(ASP)的攀升,并不是受到DRAM與N
        • 關鍵字: IC  DRAM  

        半導體行業(yè)競爭激烈 國內半導體還需渡過哪些難關

        •   過去兩年來,隨著人工智能、物聯網、大數據等應用的火熱發(fā)展,全球半導體產業(yè)迎來了新一輪熱潮。中國半導體制造設備也因此成為全球增速最快的市場,且下游需求良好,前景可期。   通盤來看,全球前十大半導體廠,有 英特爾、三星、SK海力士、美光、博通、高通、德州儀器、東芝、恩智浦、英飛凌。   國外對于中國半導體發(fā)展采取的措施   眾所周知,半導體行業(yè)的技術主要是來自于美日韓半導體廠商的,他們在半導體行業(yè)發(fā)展已有數十載,技術成熟,專利頗多,而對于中國近年內半導體行業(yè)的飛速發(fā)展他們也采取了各種防堵措施,
        • 關鍵字: 半導體  DRAM  

        DRAM 第三季度合約價持續(xù)攀高,七月漲幅約 4.6%

        •   集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)表示,DRAM價格從去年下半年起漲至2017年上半年,依然維持強勁上漲力道,今年第一季的PC DRAM合約均價來到24美元,漲幅逼近四成;第二季均價亦來到27美元,亦有超過一成的漲幅。7月PC DRAM合約價持續(xù)上揚約4.6%,預估下半年價格將會維持小幅上漲態(tài)勢。   旺季需求與七月華亞科氣體事件,DRAM供貨維持吃緊態(tài)勢   DRAMeXchange研究協理吳雅婷指出,時序進入下半年,DRAM產業(yè)供需也進入傳統(tǒng)旺季,原本就呈現吃緊的DRAM市場更
        • 關鍵字: DRAM  

        存儲器分類匯總,DRAM/EPROM/NAND FLASH這些行業(yè)名詞你真的知道嗎?

        •   RAM:由字面意思就可以理解,SDRAM?SRAM?DRAM(下面藍色字體的這幾種)都可以統(tǒng)稱RAM,random?access?memory(隨機存取存儲器)的縮寫,下面是51hei.com為大家整理的目前所有的存儲器的區(qū)別。  SRAM:靜態(tài)隨機存儲器,就是它不需要刷新電路,不像動態(tài)隨機存儲器那樣,每隔一段時間就要刷新一次數據。但是他集成度比較低,不適合做容量大的內存,一般是用在處理器的緩存里面。像S3C2440的ARM9處理器里面就有4K的SRAM用來做C
        • 關鍵字: DRAM  NAND   

        ICinsights:DRAM、NAND售價已暴漲一年

        •   IC Insights的報告顯示,DRAM及NAND Flash售價已經連續(xù)四個季度上漲。    不過因為原廠紛紛提出擴產計劃,IC Insights稍早憂心忡忡認為,未來幾年包括三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝、西部數據、武漢新芯、長江存儲,都大舉提高3D NAND Flash產能,大陸還有新建廠商也會加入戰(zhàn)場,3D NAND Flash產能供過于求的可能性相當高。     近期SK海力士宣布今年資本支出追加至86.1億美元,進行3D NAND Flash和DRAM兩大內存
        • 關鍵字: DRAM  NAND  
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