隨著DRAM與NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模大幅成長(zhǎng)，調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights預(yù)估，2017年全球整體IC市場(chǎng)規(guī)模將較2016年大幅成長(zhǎng)16%，創(chuàng)下自2010年增33%以來(lái)，最佳年增紀(jì)錄。亦為2000年以來(lái)，第5度IC市場(chǎng)規(guī)模年增幅度達(dá)到雙位數(shù)百分比。

　　2017年全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模將會(huì)年增55%，NAND Flash年增35%。不過(guò)該機(jī)構(gòu)亦指出，促使DRAM與NAND Flash市場(chǎng)大幅成長(zhǎng)的最主要因素，是來(lái)自于DRAM與NAND Flash平均售價(jià)(ASP)的攀升，并不是受到DRAM與NAND Flash儲(chǔ)存容量單元出貨量成長(zhǎng)的推動(dòng)。

　　如果將DRAM與NAND Flash產(chǎn)品略去不計(jì)的話，預(yù)估2017年全球IC市場(chǎng)規(guī)模年增幅度將僅為6%。

　　隨著DRAM ASP大幅成長(zhǎng)，預(yù)計(jì)2017年全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)642億美元，高于配備在標(biāo)準(zhǔn)PC和服務(wù)器中的微處理器(MPU)市場(chǎng)規(guī)模，成為規(guī)模最大的單一IC產(chǎn)品類(lèi)別。

　　預(yù)計(jì)2017年全球微處理器市場(chǎng)規(guī)模為471億美元，為僅次于DRAM的第二大IC產(chǎn)品類(lèi)別。

　　資料顯示，近年DRAM市場(chǎng)對(duì)整體IC市場(chǎng)規(guī)模的成長(zhǎng)具有顯著影響。如2013與2014年全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模分別年增32%與34%，各當(dāng)年整體IC市場(chǎng)規(guī)模也分別年增5%與7%。

　　如果將DRAM規(guī)模略去不計(jì)的話，2013與2014年全球IC市場(chǎng)規(guī)模將僅分別年增2%與3%。這意味，2013與2014年DRAM市場(chǎng)，分別了推升各當(dāng)年整體IC市場(chǎng)規(guī)模的3個(gè)與4個(gè)百分點(diǎn)。

　　除了存儲(chǔ)器，全球生產(chǎn)毛額(GDP)也與IC市場(chǎng)規(guī)模的成長(zhǎng)，具有相當(dāng)?shù)年P(guān)連性。IC Insights最新預(yù)估，2017年大陸與美國(guó)地區(qū)GDP分別為6.8%與2.1%，全球GDP則是2.7%。