DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大內(nèi)存持續(xù)供貨短缺，創(chuàng)下史上罕見同缺記錄。 其中DRAM和NAND內(nèi)存，更寫下史上最長漲勢。

　　內(nèi)存業(yè)界表示，2008及2015年都出現(xiàn)過DRAM大漲，但多是因跌深或供貨商發(fā)生爆炸意外所造成的供需失衡，且DRAM和NAND Flash產(chǎn)能會排擠，很少看到兩大內(nèi)存同漲。

　　這次DRAM和NAND內(nèi)存兩大內(nèi)存缺貨超乎預期且價格上漲，主要來自數(shù)據(jù)中心、移動設備及計算機三大領域應用需求強，前三大廠包括三星、SK海力士和美光等也未增建新廠，造成供貨緊縮，DRAM與NAND同時大漲，漲這么久，已寫下史上最長紀錄。

　　除DRAM、NAND Flash外，NOR Flash也因美國二大供貨商淡出，加上OLED面板必須導入作為儲存保持OLED面板顏色飽和度參數(shù)，以及物聯(lián)網(wǎng)及車用半導體等新應用大增，市場供應到明年都處于缺貨。

　　近期全球DRAM龍頭韓國三星電子通知相關電子委托制造廠，計劃調(diào)漲第4季移動內(nèi)存合約價，漲幅近一成，反映DRAM供貨短缺仍未紓解，加上地緣政治緊張的預期心理，漲勢可望延續(xù)至今年第4季。

　　不少分析師預期DRAM價格將在本季創(chuàng)高峰，但受到美光桃園N2廠氮氣廠純化設備毀壞影響，DRAM缺貨不僅短期難解，價格漲勢也超乎預期。

　　稍早集邦調(diào)查，7月DRAM合約價單月漲幅達4.6%，雖然美光桃園N2廠已陸續(xù)恢復生產(chǎn)，美光也計劃在未來幾個月增產(chǎn)，彌補這段時間生產(chǎn)線影響的缺口。 但據(jù)調(diào)查，美光桃園N2廠這次受損及報廢的12寸DRAM晶圓估計達5萬片，且多數(shù)以供貨給蘋果手機和相關服務器用的低功耗移動DRAM，給全球最大移動內(nèi)存供貨商三星填補缺口的機會，并決定在第4季各大手機和移動設備備貨旺季，調(diào)漲移動內(nèi)存售價。