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	1γ dram
        

        
	
        
    	
        
    	  	
        
              	
                                
        
                  

                                
        
                    
        集邦咨詢：美光圍堵，無礙中國DRAM研發(fā)進程
        
                                                            
          
                    	
        • 　　近日，有媒體報道美國存儲器大廠在臺灣地區(qū)采取司法手段其防止技術遭遇泄露，目標是前華亞科及前瑞晶關鍵制程和研發(fā)人員，目前已有上百人遭到約談?！　∈袌龈莻鞒觯拦膺@一行動已經(jīng)波及聯(lián)電與大陸廠商晉華的合作事宜，導致后者出資在聯(lián)電臺灣南科廠設置的試產(chǎn)線停產(chǎn)?！　〔贿^，4月5日，聯(lián)電方面對外表示，確實有員工收到了訴訟通知，但只是個人行為，與公司無關。此外，聯(lián)電還表示，目前DRAM仍處制程技術開發(fā)階段，尚無試產(chǎn)線，并無外傳試產(chǎn)線暫停的情況，其DRAM技術的研發(fā)計劃也將持續(xù)不變。　　根據(jù)集邦咨詢觀察，近年來，中國
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        • 關鍵字：
                        美光  DRAM                          
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        IC Insights：存儲器市場前景好，DRAM、NAND報價調(diào)升兩倍
        
                                                            
          
                    	
        • 　　DRAM、NAND 快閃存儲器價格漲不停，促使半導體研究機構 IC Insights 將今年全球芯片成長預估調(diào)升兩倍。
　　IC Insights 最新預期 2017 年全球芯片產(chǎn)值將成長 11%，兩倍高于原先估計的 5%。IC Insights 解釋原因為 DRAM、NAND 快閃存儲器展望明顯上修。
　　IC Insights 現(xiàn)在預期今年 DRAM 銷售額有望跳增 39%、NAND 快閃存儲器有望成長 25%，隨著報價走揚，未來兩者都還有進一步上修的可能。
　　IC Insights 指出
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        • 關鍵字：
                        存儲器  DRAM                          
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        2015年大陸貢獻全球IC需求29%,供給僅4%
        
                                                            
          
                    	
        • 　　2013年，中國從海外進口了2,330億美元的半導體，進口金額首度超越石油，也促成了中國「半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展綱要」的出現(xiàn)，并在2014年9月募集第一波的「大基金」。 2015年，半導體的進口金額維持2,307億美元的高檔，大約貢獻了全球29%的半導體需求量，但中國能自己供應的比重僅有4%。
　　中國政府希望到2020年為止，能夠維持每年20%的成長。 相較于海外的購并工作不斷的受到干擾，中國顯然更積極于自建工廠的努力。 整體而言，我們可以用「自建工廠」，發(fā)展3D Flash，也同步發(fā)展材料設備業(yè)等幾個字
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        • 關鍵字：
                        IC  DRAM                          
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        車用存儲器市場分析
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 在“2017慕尼黑上海電子展”前夕的“汽車技術日”上，ISSI技術市場經(jīng)理田步嚴介紹了車用存儲器市場，包括：信息娛樂、ADAS、儀表總成、connectivity telematics四大類。
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        • 關鍵字：
                        汽車  SRAM  DRAM  SDRAM  e.MMC  201704                           
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        三星美光1xnm DRAM 接連出狀況，市場供貨吃緊仍沒改善
        
                                                            
          
                    	
        • 　　自 2016 年中開始，DRAM 內(nèi)存供貨不足，造成市場價格全面上漲的情況，如今又要多加一個變量。 那就是 DRAM 內(nèi)存的市場龍頭三星，在 2017 年 2 月中旬陸續(xù)召回部分序號的 18 奈米制程的內(nèi)存模塊，并且再重新出貨給客戶之后，仍然發(fā)生有瑕疵的狀況。 而且，此事件已影響了名列前茅的 PC 大廠在 DPPM (每百萬臺的不良率) 有大幅提升的狀況。 再加上，不僅是三星出現(xiàn)這樣的情況，連美光 (Micron) 的 17 奈米制程 PC DRAM 內(nèi)存模塊都有類似的情形發(fā)生，如此也為 2017 年
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        • 關鍵字：
                        三星  DRAM                          
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        紫光國芯第四代DRAM存儲器成功通過科技成果評價
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　2017年3月22日，受工業(yè)和信息化部電子科學技術情報研究所委托，北京中企慧聯(lián)科技發(fā)展中心在北京主持召開由紫光國芯股份有限公司/西安紫光國芯半導體有限公司自主研發(fā)的“高性能第四代DRAM存儲器”科技成果評價會。
　　北京中企慧聯(lián)評價機構嚴格按照《科技成果評價試點暫行辦法》的有關規(guī)定和要求，秉承客觀、公正、獨立的原則，聘請同行專家對該項科技成果進行了評價。評價委員會聽取了項目完成單位的技術總結(jié)報告，對評價資料進行了審查，經(jīng)嚴格質(zhì)詢和充分討論形成了評價意見。
　　

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        • 關鍵字：
                        紫光國芯  DRAM                          
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        韓國與大陸技術差距僅剩3~5年？SK海力士提前應對專利紛爭
        
                                                            
          
                    	
        • 　　大陸存儲器正在迅猛發(fā)展，去年紫光主導的長江存儲在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地引起全球關注，韓國業(yè)界對此評估稱，韓國與大陸廠商間的技術差距僅剩3~5年。有消息指出，為避免再度上演類似過去與Rambus、東芝等半導體同業(yè)間的專利大戰(zhàn)，SK海力士近期特意與專利分析團隊中新成立大陸工作小組，以研究學習大陸商業(yè)法、專利法等相關法律。
　　據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟引述SK海力士內(nèi)部消息稱，SK海力士的大陸專利分析小組將采取無固定編制、相關成員可自由參與研究學習大陸專利法等相關法律的模式。因大陸半導體技術暫時還
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        • 關鍵字：
                        SK海力士  DRAM                          
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        韓國與大陸技術差距僅剩3~5年？SK海力士提前應對專利紛爭
        
                                                            
          
                    	
        • 　　大陸存儲器正在迅猛發(fā)展，去年紫光主導的長江存儲在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地引起全球關注，韓國業(yè)界對此評估稱，韓國與大陸廠商間的技術差距僅剩3~5年。有消息指出，為避免再度上演類似過去與Rambus、東芝等半導體同業(yè)間的專利大戰(zhàn)，SK海力士近期特意與專利分析團隊中新成立大陸工作小組，以研究學習大陸商業(yè)法、專利法等相關法律。
　　據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟引述SK海力士內(nèi)部消息稱，SK海力士的大陸專利分析小組將采取無固定編制、相關成員可自由參與研究學習大陸專利法等相關法律的模式。因大陸半導體技術暫時還
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        • 關鍵字：
                        SK海力士  DRAM                          
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        Micron宣布在臺成立DRAM卓越制造中心
        
                                                            
          
                    	
        • 　　Micron 宣布于本月14日成功標得達鴻先進科技的拍賣資產(chǎn)，并將以此建立Micron在臺之后段生產(chǎn)基地。Micron現(xiàn)已取得這新生產(chǎn)基地之所有權。
　　經(jīng)由此收購案， Micron取得與其臺中廠相鄰的無塵室和設備，并將使Micron 的晶圓制造與后段封測得以集中于同一據(jù)點，并專注于建立集中式的后段封測營運。
　　全球制造副總裁Wayne Allan指出：“此舉為Micron在臺建立DRAM卓越制造中心的重要一步。將晶圓制造和后段封測結(jié)合在同一地點，構建一個完整連貫的高效制造支援組織，
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        • 關鍵字：
                        Micron  DRAM                          
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        DRAM與NAND差別這么大，存儲之爭都爭啥？
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　什么是DRAM?　　DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 (關機就會丟失數(shù)據(jù))　　工作原理　　動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列地址引腳復用來組成的?！　?nbsp; 

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        • 關鍵字：
                        DRAM  NAND                          
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        DRAM邁入3D時代！
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 平面DRAM最重要也最艱難的挑戰(zhàn)，是儲存電容的高深寬比，為了要延長DRAM這種內(nèi)存的壽命，在短時間內(nèi)必須要采用3D DRAM解決方案。
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        • 關鍵字：
                        DRAM  NAND                          
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        內(nèi)存霸主三星擴產(chǎn) 恐讓下半年DRAM漲勢止歇
        
                                                            
          
                    	
        • 　　全球內(nèi)存龍頭三星電子傳出將進行DRAM擴產(chǎn)計劃，業(yè)界認為，由于建廠時間還要兩年，難解今年缺貨窘境，不過受心理層面影響，恐讓下半年DRAM漲勢止歇。
　　三星決定斥資87億美元，擴充南韓華城廠DRAM產(chǎn)能。 三星表示，新產(chǎn)線約需兩年時間建造，將視研發(fā)進度和制程轉(zhuǎn)換良率，決定生產(chǎn)18nm或更先進制程的DRAM。
　　對于今年DRAM供需，稍早包括南亞科總經(jīng)理李培瑛、創(chuàng)見董事長束崇萬，及威剛董事長長陳立白都表示，今年DRAM因主要供應大廠將產(chǎn)能挪移生產(chǎn)儲存型閃存(NAND Flash)，且只做DRAM 
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        • 關鍵字：
                        三星  DRAM                          
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        楊士寧：為何長江存儲決定跨入存儲領域？
        
                                                            
          
                    	
        • 　　長江存儲執(zhí)行長楊士寧點出，為何長江決定跨入存儲領域?他表示，半導體組件可分為四大塊領域：首要運算CPU、存儲、通訊及第四部分涵蓋了物聯(lián)網(wǎng)(IoT)感測器、模擬IC等較為分散的領域。然CPU領域行業(yè)生態(tài)較為復雜、通訊芯片領域也已經(jīng)形成fabless+foundry穩(wěn)固態(tài)勢，大舉跨入存儲這一領域仍是大有可為的。楊士寧精準點出了大陸發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略思考。分析指出，大陸當下大力發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)是正確的。
　　楊士寧分析，從半導體存儲器技術分類來看，目前DRAM和NAND閃存儲存的總產(chǎn)值占全球存儲器產(chǎn)業(yè)的95%
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        • 關鍵字：
                        長江存儲  DRAM                          
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        打造臺灣DRAM中心 美光27億買下達鴻廠房
        
                                                            
          
                    	
        • 　　美光昨(14)日以新臺幣27.52億元標下TPK-KY宸鴻轉(zhuǎn)投資公司達鴻臺中廠房。美光表示，標下的臺中廠房未來將用于DRAM先進封測技術發(fā)展，與美光中科及華亞科廠房進行資源整合，打造中國臺灣地區(qū)DRAM中心。
　　達鴻位在中科后里園區(qū)廠房及設備昨由臺中法院委外法拍，最后由美光以新臺幣27.52億元得標，廠房占地約4公頃，土地面積約20，729坪。達鴻于2015年11月5日向臺中地方法院聲請重整及緊急處分，并于隔年7月22日宣告破產(chǎn)，此后臺中法院隨即進行強制拍賣廠房及設備的流程作業(yè)。
　　達鴻為F-
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        • 關鍵字：
                        美光  DRAM                          
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        2017年整體DRAM市場供貨吃緊 第一季價格漲10~15％
        
                                                            
          
                    	
        • 　　臺灣南亞科總經(jīng)理李培瑛表示，今年整體DRAM市場供貨吃緊，上半年平均銷售單價持續(xù)走揚，預期第一季平均銷售單價季增10~15%，公司的毛利率相較上季可望有顯著的提升，第二季價格也將續(xù)揚，下半年仍看審慎樂觀，預期價格波動不大。
　　南亞科指出，今年DRAM在供給方面，前三大廠皆以提高新制程比例增加產(chǎn)出為主，并未大幅擴張新產(chǎn)能。 預期2017年供給年成長約20%。 在需求方面，預期2017年DRAM需求成長穩(wěn)定，成長主力來自手機及服務器的搭載量增加，預估整體年增率高于22%。
　　因此，今年DRAM市場
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        • 關鍵字：
                        DRAM                          
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