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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 納米

        利用Virtex-5 FPGA 降低功耗

        • VirtexTM-5系列產(chǎn)品的推出,使得Xilinx公司再一次成為向FPGA客戶提供新技術(shù)和能力的主導(dǎo)力量。...
        • 關(guān)鍵字: 工藝  納米  散熱  泄漏  

        納米測量:探索未知的微觀世界

        • 納米技術(shù)概述   納米科技的到來,為人們對傳統(tǒng)客觀世界的認(rèn)知帶來了一場革命。科學(xué)家們發(fā)現(xiàn),當(dāng)物質(zhì)的結(jié)構(gòu)單元(如晶?;蚩紫?小到納米量級(范圍為0.l納米至100納米)時,物質(zhì)的性質(zhì)發(fā)生了重大變化,不僅大大改善了原有材料的性能,甚至?xí)哂行碌牧钊朔艘乃嫉男阅芑蛐?yīng)。如果能在100nm以下空間尺度內(nèi)對這些原子分子進(jìn)行觀察、移動和測量,那就能更近距離地理解這些系統(tǒng)是如何工作的,從而對材料進(jìn)行加工、制造出具有特定功能的產(chǎn)品,或用各種方法來改進(jìn)這些系統(tǒng),使它們更加安全、保密、健康。而這種研究100nm以下的技術(shù)
        • 關(guān)鍵字: 安捷倫  測量  測試  納米  

        我國納米科技論文總數(shù)已位居世界前列

        • 毫無疑義,納米科技是當(dāng)今世界科技發(fā)展的一個熱門領(lǐng)域,也是科學(xué)家和百姓眾說紛紜的一個前沿科學(xué)話題。在剛剛創(chuàng)刊的《前沿科學(xué)》雜志上,刊載了中國科學(xué)院院士白春禮和中國國家納米科學(xué)中心研究員裘曉輝撰寫的《中國納米科技研究的進(jìn)展》一文。在這篇論文中,作者總結(jié)了過去十年中國在納米科技的基礎(chǔ)研究和應(yīng)用研究中取得的重要進(jìn)展,概述了中國科技人員近期在納米科技的部分研究領(lǐng)域中所取得的突出成就,并且就我國納米科技發(fā)展過程中存在的一些問題進(jìn)行了分析。     近日,記者采訪了裘曉輝研究員,請他向本報讀者介紹中國納
        • 關(guān)鍵字: 納米  

        幾中較新的納米聚合物傳感器

        • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
        • 關(guān)鍵字: 納米  傳感器  

        納米技術(shù)與生物傳感器

        • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
        • 關(guān)鍵字: 生物傳感器  納機(jī)電系統(tǒng)  納米  

        ARM發(fā)布基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲器接口IP

        • ARM發(fā)布首款可即量產(chǎn)的基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲器接口IP Velocity DDR存儲器接口獲得TSMC IP質(zhì)量認(rèn)證 ARM公司發(fā)布了其Artisan® 物理IP系列中的ARM® VelocityTM DDR1和DDR2(1/2)存儲器接口,支持TSMC的90納米通用工藝。ARM Velocity DDR1/2存儲器接口是第一個通過TSMC IP質(zhì)量安全測試的9
        • 關(guān)鍵字: 90  ARM  DDR1  DDR2  IP  TSMC  存儲器  單片機(jī)  工藝  接口  納米  嵌入式系統(tǒng)  存儲器  

        專家稱納米公司前景黯淡 人才技術(shù)不足

        •       據(jù)某分析師指出,雖然中國半導(dǎo)體制造商納米技術(shù)公司(Nanotech Corp.)在得到Intel的鼎力相助之后得以順利成立,但其前景不被看好。   2004年,Intel和納米技術(shù)公司達(dá)成了協(xié)議,通過納米技術(shù)公司將Intel的CPU制造工藝和設(shè)備首次引入中國。   Intel授權(quán)納米技術(shù)公司使用Intel 0.35微米和0.25微米的CMOS技術(shù)和工藝。Intel還將幫助納米技術(shù)公司培訓(xùn)員工并售賣充足的200mm晶元設(shè)備給該公司以幫助其月產(chǎn)量達(dá)
        • 關(guān)鍵字: Intel  半導(dǎo)體制造  納米  

        英飛凌與中芯國際合作擴(kuò)展至90納米生產(chǎn)領(lǐng)域

        •      英飛凌和中芯國際近日共同宣布,雙方已經(jīng)簽署合作協(xié)議,進(jìn)一步擴(kuò)展在標(biāo)準(zhǔn)記憶芯片(DRAM)產(chǎn)品生產(chǎn)領(lǐng)域中的現(xiàn)有合作,開始90納米標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品合作生產(chǎn)。         根據(jù)新協(xié)議的內(nèi)容,英飛凌將把自己最尖端的90納米DRAM溝槽技術(shù)和300毫米產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)轉(zhuǎn)讓于中芯國際,并可以在未來期間靈活進(jìn)行其70納米技術(shù)的進(jìn)一步轉(zhuǎn)讓。因此,中芯國際將為英飛凌獨(dú)家生產(chǎn)屬于此技術(shù)范圍之內(nèi)
        • 關(guān)鍵字: 納米  英飛凌  中芯國際  

        歐盟對抗功率難題納米級芯片欲破瓶頸

        •    近日,研發(fā)人員在開發(fā)納米級芯片時遇到的重大難題——功率泄漏(power leakage),看起來有了福音。為了解決這一瓶頸問題,歐盟向某一研發(fā)團(tuán)體協(xié)會資助550萬美元以解決這一難題。   該協(xié)會的主要成員STMicroelectronics在當(dāng)?shù)貢r間周二(北京時間周三)發(fā)布的一份聲明中稱,該協(xié)會的研發(fā)項(xiàng)目旨在改進(jìn)下一代芯片系統(tǒng)半導(dǎo)體的設(shè)計,解決65納米及其以下納米CMOS出現(xiàn)功率泄漏的問題。   據(jù)悉,該項(xiàng)稱為CLEAN的計劃將得到歐盟第六次框架項(xiàng)目下納米電子計劃的資助。功率泄漏
        • 關(guān)鍵字: 功率  納米  歐盟  芯片  

        英特爾推出采用65納米技術(shù)四核移動芯片

        •       近日,英特爾正式宣布新處理器的的價格和名稱。新推出的四款四核移動Yonah芯片,分別為T2300、T2400、T2500和T2600,另外一款單核芯片為T1300。這次的產(chǎn)品定價主要是針對英特爾的大宗客戶,即購物數(shù)量在1000以上的用戶。    單核T1300價格為209美元,而四核芯片T2300、T2400、T2500和T2600的價格分別為241美元、294美元、423美元和637美元。上述芯片都采用65納米生產(chǎn)技術(shù),時鐘頻率為T
        • 關(guān)鍵字: 65  納米  芯片  英特爾  

        全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將由硅技術(shù)向納米過渡

        •   日前,最新發(fā)布的一份名為《全球半導(dǎo)體技術(shù)路線圖》的報告顯示,全球主要的半導(dǎo)體廠商正在規(guī)劃“后硅晶體管”時代的藍(lán)圖。據(jù)悉,該報告是由歐洲、日本、韓國、中國臺灣和美國的主要半導(dǎo)體廠商聯(lián)合發(fā)布的,主要致力于尋求未來的半導(dǎo)體制造技術(shù)。   雖然當(dāng)前的傳統(tǒng)硅技術(shù)仍擁有眾多優(yōu)勢,但無法長期適應(yīng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“摩爾定律”。據(jù)最新報告顯示,目前一種新的“納米轉(zhuǎn)換”技術(shù)比較可行,而且制造成本也相對低廉。研究人員預(yù)計到2015年,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將從當(dāng)前的“硅技術(shù)”向“納米技術(shù)”過渡,因?yàn)楫?dāng)前的硅技術(shù)也只能維持到2015年。
        • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  產(chǎn)業(yè)  硅技術(shù)  納米  

        新一代45納米制程量產(chǎn)技術(shù)在京都正式發(fā)布

        •     Crolles2聯(lián)盟日前在京都舉辦的VLSI會議(VLSI Symposium)中發(fā)布的文件中,描述了針對新一代低成本、低功耗、高密度消費(fèi)性電路的超小型制程選項(xiàng)-使用傳統(tǒng)大量CMOS制程技術(shù)與45納米設(shè)計規(guī)則,在量產(chǎn)條件下建構(gòu)面積小于0.25平方微米的6晶體管結(jié)構(gòu)SRAM單元。    Crolles2是由飛思卡爾半導(dǎo)體、飛利浦、意法半導(dǎo)體共同組成的聯(lián)盟。其位于法國Crolles的300毫米試產(chǎn)線曾制造出1.5Mbit陣列。此次合作發(fā)布的文件再次展示
        • 關(guān)鍵字: 納米  IC  制造制程  

        全國納米技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會在北京成立

        •     6月20日上午,全國納米技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會成立大會在北京隆重舉行。中國科學(xué)院常務(wù)副院長、國家納米科學(xué)中心主任白春禮院士任主任委員,國家納米科學(xué)中心副主任王琛研究員任秘書長,該委員會秘書處設(shè)在國家納米科學(xué)中心。     早在今年的4月1日,國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會正式發(fā)文(國標(biāo)委計劃函[2005]14號),批準(zhǔn)成立全國納米技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(SAC/TC279)。     國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員
        • 關(guān)鍵字: 納米  

        借助于低溫技術(shù) 美制成納米導(dǎo)線集成電路

        •     美研究人員日前說,他們借助低溫制造技術(shù),用納米導(dǎo)線在一塊玻璃芯片上制造了最基礎(chǔ)的集成電路--時鐘振蕩電路。這一技術(shù)既不需要高溫,也不需要硅芯片,有望取代硅芯片集成電路制造技術(shù)。    據(jù)悉,這一技術(shù)使用常見的、低成本和輕質(zhì)材料來制造納米導(dǎo)線集成電路,不僅是玻璃可以做芯片,塑料也可以。
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        中科院化學(xué)研究所納米材料領(lǐng)域又添新成果

        •     中國科學(xué)院化學(xué)研究所分子納米結(jié)構(gòu)與納米技術(shù)院重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室在納米功能材料研究領(lǐng)域取得一系列進(jìn)展,他們以環(huán)境和能源需求為研究背景,繼在燃料電池催化劑研究方面,利用簡單、低能耗的方法開發(fā)出高效的金屬納米空心球催化劑之后,又在半導(dǎo)體光催化劑研究領(lǐng)域取得新成果。    與有機(jī)污染物和有毒水污染物相關(guān)的環(huán)境問題一直是環(huán)境保護(hù)及環(huán)境恢復(fù)領(lǐng)域備受關(guān)注的課題。半導(dǎo)體光催化劑具有高效率和潛在的廣泛應(yīng)用性,成為能從環(huán)境中降解并除去有毒化學(xué)污染物的最有效途徑之一。    因
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        共155條 10/11 |‹ « 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 »

        納米介紹

        納米是長度單位,原稱毫微米,就是10^-9米(10億分之一米),即10^-6毫米(100萬分之一毫米)。納米科學(xué)與技術(shù),有時簡稱為納米技術(shù),是研究結(jié)構(gòu)尺寸在1至100納米范圍內(nèi)材料的性質(zhì)和應(yīng)用。納米效應(yīng)就是指納米材料具有傳統(tǒng)材料所不具備的奇異或反常的物理、化學(xué)特性,如原本導(dǎo)電的銅到某一納米級界限就不導(dǎo)電,原來絕緣的二氧化硅、晶體等,在某一納米級界限時開始導(dǎo)電。這是由于納米材料具有顆粒尺寸小、比表面 [ 查看詳細(xì) ]

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