納米 文章 進入納米技術社區(qū)
東芝推出32納米工藝閃存芯片 7月批量生產(chǎn)
- 東芝日前展示了基于32納米制造工藝的單芯片32Gb NAND Flash閃存芯片。首批32Gb芯片將主要被應用于記憶卡和USB存儲設備，未來會擴展到嵌入式產(chǎn)品領域。 隨著越來越多的移動設備在聲音和影像方面的逐步數(shù)字化，高容量、更小巧的內(nèi)存產(chǎn)品在市場上的需求也越來越強勁。 新的芯片產(chǎn)品將在東芝位于日本三重縣四日市的工廠內(nèi)制造。東芝公司將比原計劃提前2個月，從2009年7月起，大批量生產(chǎn)32Gb NAND Flash閃存芯片。16Gb產(chǎn)品則會從2009財年第三季度(2009年10月到12月)開
- 關鍵字： 東芝 納米 閃存芯片
Hynix成功研發(fā)世界最高性能移動DRAM
- 韓聯(lián)社4月27日電稱，Hynix(海力士)半導體成功研發(fā)采用54納米技術的世界最高性能的1Gb移動低電雙倍速率(LPDDR2)動態(tài)隨機存儲器(DRAM)產(chǎn)品。Hynix表示，該產(chǎn)品是世界上第一款可以在平均1.2伏的低電壓下實現(xiàn)1066Mbps超高速數(shù)據(jù)傳輸速度的移動DRAM，在工藝技術、電壓、速度方面具備世界最高性能。 據(jù)介紹，該產(chǎn)品可在平均1.2伏、最低1.14伏的低電壓下工作，接近于現(xiàn)有的1.8伏移動DRAM的50%，并且僅為PC DDR2產(chǎn)品的30%。這意味著，1秒內(nèi)下載5、6部普通長度的
- 關鍵字： Hynix 納米 DRAM
SpringSoft與UMC成功合作完成65nm制程設計套件
- 思源科技(SpringSoft)與聯(lián)華電子(UMC) 4月28日共同宣布，將提供已通過晶圓專業(yè)驗證的LakerTM制程設計套件(PDK)予聯(lián)華電子65nm制程技術使用，從而滿足了雙方共同客戶在特殊設計與尖端制程上的需求。 Laker-UMC PDK能支持聯(lián)華電子的65nm CMOS(互補金氧半導體制程)標準邏輯制程及混合模式技術與低介電值絕緣層。聯(lián)華電子65奈米標準效能制程能讓設計公司為各種不同的應用產(chǎn)品提供動力，包括消費產(chǎn)品與繪圖芯片?？梢詧?zhí)行的技術選項包括混合信號/RFCMOS(射頻互補金氧
- 關鍵字： SpringSoft 納米 設計套件
ARM發(fā)布業(yè)界最廣泛的40納米G物理IP平臺
- ARM公司近日宣布，開始向臺積電的40納米G制造工藝提供業(yè)界最完善的IP平臺。這一ARM® 最新的、已通過流片驗證的物理IP能夠滿足性能驅(qū)動消費產(chǎn)品的高成本效率開發(fā);這些產(chǎn)品要求在不提高功耗的前提下提供先進的功能。這一平臺是為那些期望使用40納米工藝進行設計的開發(fā)者設計的，能夠促進更高水平的技術創(chuàng)新，同時保持性能驅(qū)動消費產(chǎn)品的功耗水平。這些消費產(chǎn)品包括：磁盤驅(qū)動器、機頂盒、移動計算設備、網(wǎng)絡應用、高清電視以及圖形處理器。 通過多通道的邏輯庫，ARM平臺提供了非常高的靈活性。這些庫包括高性
- 關鍵字： ARM 納米 IP平臺
復合型納米發(fā)電機問世 太陽能和機械能同時收集
- 人類一直試圖讓設備自動從周圍環(huán)境中獲取能量。早在20世紀初，研究人員就通過不同的途徑研究此類設備。如今，美國佐治亞理工學院教授王中林的研究小組開發(fā)出能同時收集太陽能和機械能的復合型納米發(fā)電機，并首次實現(xiàn)了能同時收集多種能源的單一集成器件。這一最新的研究成果發(fā)表在《美國化學會志》網(wǎng)絡版上。 王中林、王旭東博士和博士生許晨等在他們2006年發(fā)明的直流納米發(fā)電機的基礎上，集成了染料敏化太陽能電池的功能。兩個發(fā)電單元都基于氧化鋅納米陣列，共用同一個金屬電極。此外，通過不同的設計及組裝步驟，太陽能電池
- 關鍵字： 太陽能 納米 發(fā)電機
美研制出納米級憶阻器芯片
- 本報訊美國密歇根大學科學家開發(fā)出一種由納米級憶阻器構成的芯片，該芯片能存儲1千比特的信息。發(fā)表在《納米通訊》上的此項研究成果將有可能改變半導體產(chǎn)業(yè)，使成功研制出更小、更快、更低廉的芯片或電腦成為可能。 憶阻器是一種電腦元件，可在一簡單封裝中提供內(nèi)存與邏輯功能。此前，由于可靠性和重復性問題，所展示的都是只有少數(shù)憶阻器的電路，而研究人員此次展示的則是基于硅憶阻系統(tǒng)并能與CMOS兼容的超高密度內(nèi)存陣列。CMOS指互補金屬氧化物半導體，是一種大規(guī)模應用于集成電路芯片制造的原料。 雖然1千比特的信息
- 關鍵字： 納米 芯片
納米介紹
納米是長度單位，原稱毫微米，就是10^-9米（10億分之一米），即10^-6毫米（100萬分之一毫米）。納米科學與技術，有時簡稱為納米技術，是研究結(jié)構尺寸在1至100納米范圍內(nèi)材料的性質(zhì)和應用。納米效應就是指納米材料具有傳統(tǒng)材料所不具備的奇異或反常的物理、化學特性，如原本導電的銅到某一納米級界限就不導電，原來絕緣的二氧化硅、晶體等，在某一納米級界限時開始導電。這是由于納米材料具有顆粒尺寸小、比表面 [ 查看詳細 ]
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