英特爾公司近日宣布，將在未來(lái)數(shù)年內(nèi)使用2納米技術(shù)制造處理器，這將是其目前10納米和7納米技術(shù)的重大改進(jìn)。英特爾還在研發(fā)1.8納米技術(shù)，這將使其成為全球首家達(dá)到如此先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的公司。這項(xiàng)技術(shù)將成為公司產(chǎn)品和其IFS部門(mén)客戶芯片的重要基礎(chǔ)。

與此同時(shí)，三星和TSMC也在大力投資新技術(shù)，例如3納米和5納米，以保持其競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。這三家公司之間的競(jìng)爭(zhēng)十分激烈，每個(gè)公司都在技術(shù)、性能和效率方面互相競(jìng)爭(zhēng)。

英特爾的20A制造技術(shù)將基于Gate-All-Around RibbonFET晶體管，并將使用背面供電技術(shù)。技術(shù)節(jié)點(diǎn)是描述和比較集成電路制造技術(shù)的最常用參數(shù)之一。此次英特爾宣布的“2納米”和“20埃”都不是芯片的實(shí)際物理特性。在實(shí)際情況下，“2納米”大多用作營(yíng)銷術(shù)語(yǔ)，是指新一代硅半導(dǎo)體芯片的高晶體管密度。

英特爾正在努力完成這兩項(xiàng)技術(shù)的規(guī)格、材料、要求和性能目標(biāo)。雖然這并不意味著次技術(shù)節(jié)點(diǎn)已經(jīng)準(zhǔn)備好商業(yè)生產(chǎn)，但英特爾計(jì)劃在2024年上半年開(kāi)始使用這項(xiàng)技術(shù)。英特爾的18A制造過(guò)程將進(jìn)一步改進(jìn)公司的RibbonFET和PowerVia（背面供電）技術(shù)，并縮小晶體管的尺寸。目前，英特爾的20A和18A工藝技術(shù)正在為公司的產(chǎn)品和第三方芯片緊鑼密鼓的開(kāi)發(fā)中。

英特爾的CEO在最近與分析師和投資者的電話會(huì)議上表示：“我們已經(jīng)與排名前十的七個(gè)最重要客戶建立了積極的聯(lián)系，并穩(wěn)定增長(zhǎng)以涵蓋其他43個(gè)潛在客戶。此外，我們?cè)谟⑻貭?8A方面取得了進(jìn)展，已經(jīng)與我們的主要客戶共享了PDK 0.5的工程版本，并預(yù)計(jì)在未來(lái)幾周內(nèi)發(fā)布最終的生產(chǎn)版本?！?/span>

如果喜歡這篇文章，歡迎關(guān)注芯片行業(yè)，芯片行業(yè)將有價(jià)值的半導(dǎo)體新聞分享給您。

免責(zé)聲明：本文編譯自semiengieering，不代表芯片行業(yè)認(rèn)同或支持其觀點(diǎn)，如有任何疑問(wèn)，歡迎聯(lián)系芯片行業(yè)。

更多原創(chuàng)文章：

最新！重磅！荷蘭宣布對(duì)中國(guó)限制出口部分DUV光刻機(jī)！

荷蘭DUV光刻機(jī)禁令或阻斷中國(guó)芯片先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的研發(fā)

彭博社最新！美國(guó)即將實(shí)施更嚴(yán)厲的芯片設(shè)備制裁措施