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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)

        三菱電機將與安世攜手開發(fā)SiC功率半導體

        • 11月,日本三菱電機、安世半導體(Nexperia)宣布,將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅(SiC)MOSFET分立產(chǎn)品功率半導體。雙方將聯(lián)手開發(fā),將促進SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度,同時滿足對高效分立式功率半導體快速增長的需求。目前芯片供應量尚未確認,預計最早將于2023年內(nèi)開始供應。公開消息顯示,安世半導體總部位于荷蘭,目前是中國聞泰科技的子公司。11月初,安世半導體被迫轉(zhuǎn)手出售其于2021年收購的英國NWF晶圓廠。盡管同屬功率半導體公司,三菱電機與安世半導體的側(cè)重點不同,前者以“多個離散元件組合
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        理想自研芯片進展曝光:在新加坡設立辦公室,團隊規(guī)模已超160人

        • 11 月 21 日消息,據(jù)晚點 LatePost 報道,在芯片自研方面,理想同時在研發(fā)用于智能駕駛場景的 AI 推理芯片,和用于驅(qū)動電機控制器的 SiC 功率芯片。報道稱,理想目前正在新加坡組建團隊,從事 SiC 功率芯片的研發(fā)。在職場應用 LinkedIn 上,已經(jīng)可以看到理想近期發(fā)布的五個新加坡招聘崗位,包括:總經(jīng)理、SiC 功率模塊故障分析 / 物理分析專家、SiC 功率模塊設計專家、SiC 功率模塊工藝專家和 SiC 功率模塊電氣設計專家。報道還稱,用于智能駕駛的 AI 推理芯片是理想目前的研發(fā)重
        • 關(guān)鍵字: 理想  自研芯片  新能源汽車  智能駕駛  AI  推理芯片  驅(qū)動電機  控制器  SiC  功率芯片。  

        Omdia:人工智能將在電動汽車革命中超越下一代半導體

        • 倫敦2023年11月15日 /美通社/ -- 隨著Omdia預測電動汽車 (EV) 革命將引發(fā)新型半導體激增,電力半導體行業(yè)的幾十年舊規(guī)范正面臨挑戰(zhàn)。人工智能熱潮是否會產(chǎn)生類似的影響?功率分立器件、模塊和IC預測Omdia半導體元件高級分析師卡勒姆·米德爾頓表示:“長期以來依賴硅技術(shù)的行業(yè)正受到新材料制造的設備的挑戰(zhàn)和推動。氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率器件的開發(fā)始于上個世紀,但它們的技術(shù)成熟度與可持續(xù)發(fā)展運動相匹配,新材料制造的設備在能源匱乏的世界中有著顯著的效率提升。”2018 年,特斯拉首次
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        Nexperia與三菱電機就SiC MOSFET分立產(chǎn)品達成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系

        • Nexperia近日宣布與三菱電機公司建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,共同開發(fā)碳化硅(SiC) MOSFET分立產(chǎn)品。Nexperia和三菱電機都是各自行業(yè)領域的領軍企業(yè),雙方聯(lián)手開發(fā),將促進SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度,同時滿足對高效分立式功率半導體快速增長的需求。三菱電機的功率半導體產(chǎn)品有助于客戶在汽車、家用電器、工業(yè)設備和牽引電機等眾多領域?qū)崿F(xiàn)大幅節(jié)能。該公司提供的高性能SiC模塊產(chǎn)品性能可靠,在業(yè)界享有盛譽。日本備受贊譽的高速新干線列車采用了這些模塊,并以出色的效率、安全性和可靠性聞名遐邇。N
        • 關(guān)鍵字: Nexperia  三菱電機  SiC MOSFET  

        氮化鎵取代碳化硅,從PI開始?

        • 在功率器件選擇過程中,以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導體越來越受到了人們的重視,在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅有了顯著提升,但是如何定量分析這三類產(chǎn)品的不同?Power Intergrations(PI)資深培訓經(jīng)理Jason Yan日前結(jié)合公司新推出的1250V氮化鎵(GaN)產(chǎn)品,詳細解釋了三類產(chǎn)品的優(yōu)劣,以及PI對于三種產(chǎn)品未來的判斷,同時還介紹了PI氮化鎵產(chǎn)品的特點及優(yōu)勢。在功率器件選擇過程中,以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導體越來越受到了人們的重視,在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅
        • 關(guān)鍵字: PI  氮化鎵  碳化硅  

        三菱電機和Nexperia合作開發(fā)SiC功率半導體

        • 三菱電機將與Nexperia(安世)合力開發(fā)SiC芯片,通過SiC功率模塊來積累相關(guān)技術(shù)經(jīng)驗。東京--(美國商業(yè)資訊)--三菱電機株式會社(Mitsubishi Electric Corporation,TOKYO: 6503)今天宣布,將與Nexperia B.V.建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,共同開發(fā)面向電力電子市場的碳化硅(SiC)功率半導體。三菱電機將利用其寬帶隙半導體技術(shù)開發(fā)并提供SiC MOSFET芯片,Nexperia將使用這些芯片開發(fā)SiC分離器件。電動汽車市場正在全球范圍內(nèi)擴大,并有助于推動Si
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        電裝5億美元入股這家SiC公司

        • 11月6日,株式會社電裝(Denso)宣布對Coherent的子公司SiC襯底制造商Silicon Carbide LLC注資5億美元,入股后,電裝將獲得該公司12.5%的股權(quán)。電裝本次投資將確保6英寸和8英寸SiC襯底的長期穩(wěn)定采購。關(guān)于本次投資,市場方面早有相關(guān)消息傳出。今年9月底有報道稱,電裝、三菱電機等多家企業(yè)對投資Coherent的SiC業(yè)務感興趣,并且已經(jīng)就收購Coherent的SiC業(yè)務少數(shù)股權(quán)進行過討論。分拆SiC業(yè)務能夠給投資者提供更多投資機會,同時也是對SiC發(fā)展前景的看好,Coher
        • 關(guān)鍵字: 電裝  SiC  

        Nexperia與KYOCERA AVX Salzburg合作為功率應用生產(chǎn)650 V碳化硅整流二極管模塊

        • 奈梅亨,2023年11月6日:基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布與國際著名的先進電子器件供應商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作關(guān)系,共同生產(chǎn)新的650 V、20 A碳化硅(SiC)整流器模塊,適用于3 kW至11 kW功率堆棧設計的高頻電源應用,以滿足工業(yè)電源、EV充電站和板載充電器等應用的需要。此次發(fā)布將進一步加深雙方長期以來保持的緊密合作關(guān)系。   制造商對下一代功率應用的關(guān)鍵需求是節(jié)省空間和減輕
        • 關(guān)鍵字: Nexperia  KYOCERA  功率應用  650 V  碳化硅  整流二極管  

        2023年慕尼黑華南電子展:EEPW&應能微電子(深圳)有限公司

        • 應能微電子股份有限公司是一家致力于接口保護器件、功率和模擬集成電路 (IC) 設計、制造和銷售的半導體技術(shù)公司。應能成立于2012年,其核心團隊來自美國硅谷,全產(chǎn)品線皆為自研產(chǎn)品,目前已有500多款產(chǎn)品,90%已上為量產(chǎn)狀態(tài)。應能微的半導體芯片應用市場包括快速增長的消費電子 (智能手機、計算機、平板電腦、高清電視、機頂盒等) ,并在通訊、安防、工業(yè)和汽車上均有廣泛的應用。應能微銷售總監(jiān)曾總表示,其高性能瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS) 產(chǎn)品系列在漏電、電容和鉗位電壓等關(guān)鍵性能指標上表現(xiàn)出色,硅基MOSFET產(chǎn)品
        • 關(guān)鍵字: 應能微電子  接口保護器件  碳化硅  

        東風首批自主碳化硅功率模塊下線

        • 11月2日消息,據(jù)“智新科技”官微消息,近日,首批采用納米銀燒結(jié)技術(shù)的碳化硅模塊從智新半導體二期產(chǎn)線順利下線,完成自主封裝、測試以及應用老化試驗。該碳化硅模塊采用納米銀燒結(jié)工藝、銅鍵合技術(shù),使用高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板,熱阻較傳統(tǒng)工藝改善10%以上,工作溫度可達175℃,損耗相比IGBT模塊大幅降低40%以上,整車續(xù)航里程提升5%-8%。據(jù)悉,智新半導體碳化硅模塊項目基于東風集團“馬赫動力”新一代800V高壓平臺,項目于2021年進行前期先行開發(fā),2022年12月正式立項為量產(chǎn)
        • 關(guān)鍵字: IGBT  碳化硅  東風  智新半導體  

        應對汽車檢測認證機構(gòu)測試需求,泰克提供SiC性能評估整體測試解決方案

        • _____近年來,在國家“雙碳”戰(zhàn)略指引下,汽車行業(yè)油電切換提速,截至2022年新能源汽車滲透率已經(jīng)超過25%。汽車電動化浪潮中,半導體增量主要來自于功率半導體,根據(jù) Strategy Analytics,功率半導體在汽車半導體中的占比從傳統(tǒng)燃油車的21%提升至純電動車的55%,躍升為占比最大的半導體器件。同其他車用電子零部件一樣,車規(guī)級功率半導體也須通過AEC-Q100認證規(guī)范所涵蓋的7大類別41項測試要求。對于傳統(tǒng)的硅基半導體器件,業(yè)界已經(jīng)建立了一套成熟有效的測試評估流程。而對于近兩年被普遍應用于開發(fā)
        • 關(guān)鍵字: 汽車檢測認證  泰克  SiC  

        滿足市場對下一代碳化硅器件的需求

        • 一些新出現(xiàn)的應用使地球的未來充滿了激動人心的可能性,但同時也是人類所面臨的最大技術(shù)挑戰(zhàn)之一。例如,雖然太陽能可以提供無限的能源,但要想成功商業(yè)化,設計人員必須提供更高的功率和效率,同時不增加成本或尺寸。在汽車領域,目前電動汽車 (EV) 已經(jīng)非常普及,但由于人們擔心可用充電基礎設施、充電所需時間和續(xù)航里程有限等問題,電動汽車的普及仍然受到了限制。在這種情況下,設計人員面臨的挑戰(zhàn)包括如何提高電氣效率、優(yōu)化動力總成的尺寸和重量,包括主驅(qū)逆變器和車載充電器 (OBC) 等元件,并不斷降低成本。碳化硅器件的優(yōu)勢硅
        • 關(guān)鍵字: 安森美  碳化硅  

        通過碳化硅(SiC)增強電池儲能系統(tǒng)

        • 電池可以用來儲存太陽能和風能等可再生能源在高峰時段產(chǎn)生的能量,這樣當環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時,就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統(tǒng) (BESS) 的拓撲結(jié)構(gòu),然后介紹了安森美(onsemi) 的EliteSiC 方案,可作為硅MOSFET 或IGBT開關(guān)的替代方案,改善 BESS 的性能。BESS的優(yōu)勢最常用的儲能方法有四種,分別是電化學儲能、化學儲能、熱儲能和機械儲能。鋰離子電池是家喻戶曉的電化學儲能系統(tǒng),具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點。此外,鋰離子電池技術(shù)成熟,因
        • 關(guān)鍵字: 202310  碳化硅  SiC  電池儲能系統(tǒng)  

        良率超 50%,全球第三大硅晶圓廠環(huán)球晶明年試產(chǎn) 8 英寸 SiC

        • IT之家 10 月 27 日消息,全球第三大硅晶圓生產(chǎn)商環(huán)球晶圓控股(GlobalWafers)董事長徐秀蘭表示,公司克服了量產(chǎn)碳化硅(SiC)晶圓的重重技術(shù)難關(guān),已經(jīng)將 SiC 晶圓推進至 8 英寸,和國際大廠保持同步。徐秀蘭預估將會在 2024 年第 4 季度開始小批量出貨 8 英寸 SiC 產(chǎn)品,2025 年大幅增長,到 2026 年占比超過 6 英寸晶圓。環(huán)球晶圓表示目前較好地控制了 8 英寸晶圓良率,已經(jīng)超過 50%,而且有進一步改善的空間,明年上半年開始交付相關(guān)樣品。IT之家從報道中
        • 關(guān)鍵字: 晶圓廠  SiC  

        中芯集成正式設立碳化硅公司,上汽/立訊精密/寧德時代等現(xiàn)身股東榜

        • 10月25日,中芯集成發(fā)布公告稱,新設立合資公司芯聯(lián)動力科技(紹興)有限公司(以下簡稱“芯聯(lián)動力”)已完成了工商注冊登記手續(xù),并取得紹興市越城區(qū)市場監(jiān)督管理局核發(fā)的《營業(yè)執(zhí)照》。根據(jù)中芯集成公告,芯聯(lián)動力將運營碳化硅(SiC)業(yè)務項目,注冊資本人民幣5億元,中芯集成使用自有資金出資人民幣2.55億元,占注冊資本總額51.00%。基于合資公司的股權(quán)結(jié)構(gòu),合資公司將被納入公司合并報表范圍,系公司控股子公司。從投資股東上看,芯聯(lián)動力創(chuàng)始股東包括中芯集成、芯聯(lián)合伙和博原資本、立訊精密家族辦公室立翎基金、上汽集團旗
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        碳化硅(sic)介紹

        您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)!
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