晶體管 文章 進(jìn)入晶體管技術(shù)社區(qū)
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)溫和成長(zhǎng) 搶先進(jìn)制程時(shí)效成勝負(fù)關(guān)鍵
- 臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀在近來的多次演講中，皆提及未來 2011~2014年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)溫和成長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。惟晶圓廠之間先進(jìn)制程技術(shù)競(jìng)賽不停歇，臺(tái)積電甫于2月底宣布切入22奈米，然而在美西時(shí)間13日的臺(tái)積電技術(shù)論壇上，突然表態(tài)將跳過22奈米，直接切入20奈米，預(yù)計(jì)2012年第3季導(dǎo)入生產(chǎn)。雖然此舉是臺(tái)積電基于替客戶創(chuàng)造價(jià)值而作的決定，但外界認(rèn)為，這也是為了拉大與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手Global Foundries的技術(shù)差距。 延續(xù)張忠謀對(duì)先進(jìn)制程的看法，臺(tái)積電研究發(fā)展資深副總經(jīng)理蔣尚義隨后在會(huì)中的演講中表示，該公司將
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納米管RFID更好的條形碼
- 塑料RFID標(biāo)簽將是第一款使用了打印的納米管晶體管的產(chǎn)品。 無線射頻識(shí)別(RFID)標(biāo)簽使得繳納通行費(fèi)和公共交通費(fèi)變得輕而易舉。但是由硅制成的標(biāo)簽還是太貴，無法替代無處不在的條形碼通過遠(yuǎn)程掃描仍在籃子里的貨物那樣加快商場(chǎng)結(jié)賬的速度。 卷軸：如果開發(fā)者能將價(jià)格降到1美分甚至更低，用滾筒式打印的塑料RFID標(biāo)簽或許可以替代條形碼。 廉價(jià)的塑料RFID標(biāo)簽可能很快會(huì)改變這種情況。韓國(guó)順天的研究人員已經(jīng)利用一系列工業(yè)方法在塑料薄膜上打印了RFID標(biāo)簽：滾筒式打印、噴墨打印和硅橡膠沖壓。他們使
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SUMCO在俄亥俄州的200mm生產(chǎn)線待售
- SUMCO把它在俄亥俄州近Cincinnati的半導(dǎo)體生產(chǎn)線待售, 目前正在尋找買主, 可能不是謀求先進(jìn)技術(shù), 包括太陽能, 電池, 甚至數(shù)據(jù)中心。 該生產(chǎn)線有30年歷史，工廠占地面積100英畝, 位于Cincinnati北面30英里, 它采用5-6英寸硅片或外延片, 進(jìn)行分立器件生產(chǎn)，包括晶體管, 二極管, 閘流管及控制器。 生產(chǎn)線有200，000平方英尺，包括>70,000平方英尺的凈化級(jí)別的100-10,000凈化廠房。公司表示盡管是老廠房，但是經(jīng)過逐年改造還是有大量的現(xiàn)代化和
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后摩爾定律時(shí)代誰來主導(dǎo)芯片產(chǎn)業(yè)
- 在摩爾定律引領(lǐng)下的集成電路生產(chǎn)正在逼近物理定律的極限，芯片產(chǎn)業(yè)迫切需要替代技術(shù)。目前尚處于研發(fā)狀態(tài)中的各種新的芯片生產(chǎn)技術(shù)—分子計(jì)算、生物計(jì)算、量子計(jì)算、石墨烯等技術(shù)中，誰將最終勝出? 1965年，芯片產(chǎn)業(yè)的先驅(qū)戈登-摩爾(GordonMoore)發(fā)布了著名的摩爾定律：集成電路芯片的復(fù)雜程度每過兩年就會(huì)增加一倍。此后的幾十年來，在這一定律的指引下，芯片制造工藝的進(jìn)步讓芯片的晶體管尺寸得以不斷縮小，從而使電氣信號(hào)傳輸?shù)木嚯x更短，處理速度也更快。 對(duì)電子行業(yè)和消費(fèi)者來說，摩爾定律意
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恩智浦推出新一代高效率低VCEsat 晶體管
- 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)近日宣布推出新第四代低VCEsat (BISS)晶體管的前8種產(chǎn)品。該產(chǎn)品家族分成兩種優(yōu)化的分支：超低VCEsat晶體管以及高速開關(guān)晶體管。其電壓范圍為20 V - 60 V，采用小型SMD封裝SOT23 (2.9 x 1.3 x 1 mm)和SOT457 (2.9 x 1.5 x 1 mm)。 這些晶體管稱為突破性小信號(hào)(BISS)晶體管，正如其名，它們?yōu)闇p少打開導(dǎo)通電阻確立了新的基準(zhǔn)，使開關(guān)時(shí)間減到絕對(duì)最小值。超低VCEsat 分支的晶體管
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Avago 推出新高性能寬帶InGaP HBT增益方塊
- Avago Technologies(安華高科技)今日宣布推出兩款新經(jīng)濟(jì)型容易使用的通用InGaP異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT, Hetero-Junction Bipolar Transistor) MMIC增益方塊放大器產(chǎn)品，適合各種不同的無線通信應(yīng)用。于DC到6,000MHz頻帶工作，Avago的AVT-51663/53663增益方塊可以作為寬帶增益方塊或驅(qū)動(dòng)放大器使用，這些面向移動(dòng)通信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用設(shè)計(jì)的增益方塊也可以使用在如基站、WiMAX、WLAN、CATV、衛(wèi)星電視和機(jī)頂盒等各種其他無線通信應(yīng)
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愛爾蘭科學(xué)家開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款非節(jié)型晶體管
- 愛爾蘭丁鐸爾國(guó)家研究院的科學(xué)家最近宣稱他們成功制出了業(yè)內(nèi)首款非節(jié)型晶體管，并稱此項(xiàng)發(fā)明對(duì)10nm級(jí)別制程意義重大，可大大簡(jiǎn)化晶體管的制造工藝復(fù)雜 程度。這種晶體管采用類似Finfet的結(jié)構(gòu)，將晶體管的柵極制成婚戒型的結(jié)構(gòu)，并在柵極中心制出硅質(zhì)溝道，溝道的尺寸僅有數(shù)十個(gè)原子的直徑加起來那么大。 該研發(fā)團(tuán)隊(duì)是由Jean-Pierre Colinge教授領(lǐng)導(dǎo)的，這種晶體管的亞閥值斜率接近理想狀態(tài)，而且還具備漏電電流小，門限電壓低以及耐溫性好的優(yōu)點(diǎn)，而且還可以兼容于CMOS工藝。 硅溝道中的電
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CISSOID引入了新系列P通道高溫功率MOSFET晶體管
- CISSOID，在高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者，介紹了 VENUS，他們的新系列高溫 30V 的 P通道功率 MOSFET 晶體管保證操作在攝氐負(fù)55度到225度之間。P通道功率 MOSFETs 的VENUS系列命名為 CHT-PMOS3002，CHT-PMOS3004 及CHT-PMOS3008，其最大漏電流額定分別為2A，4A及8A。它們補(bǔ)充了該公司在2009年11月介紹的 N 通道 MOSFETs 的 SATURN 系列。 VENUS 功率 MOSFETs 表現(xiàn)出色的高溫性能。在攝氏 225
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NXP 推出全新60 V和100 V晶體管
- 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)今天宣布推出全新60 V和100 V晶體管，擴(kuò)充Trench 6 MOSFET產(chǎn)品線。新產(chǎn)品采用Power SO-8LFPAK封裝，支持60 V和100 V兩種工作電壓。Trench 6芯片技術(shù)和高性能LFPAK封裝工藝的整合賦予新產(chǎn)品出色的性能和可靠性，為客戶提供眾多實(shí)用價(jià)值。 LFPAK是一種“真正”意義上的功率封裝，通過優(yōu)化設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)最佳熱/電性能、成本優(yōu)勢(shì)和可靠性。LFPAK是汽車行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101唯一認(rèn)可的
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法國(guó)研究人員開發(fā)出新型智能晶體管
- 法國(guó)研究人員最新開發(fā)出一種新型智能晶體管，它能夠模仿神經(jīng)系統(tǒng)的運(yùn)行模式，對(duì)圖像進(jìn)行識(shí)別，幫助電腦完成更加復(fù)雜的任務(wù)。 法國(guó)國(guó)家科研中心和法國(guó)原子能委員會(huì)的研究人員在最新一期《先進(jìn)功能材料》雜志上介紹說，普通晶體管功能單一，無法完成圖像識(shí)別和處理等復(fù)雜任務(wù)。 他們此次開發(fā)的這種名為Nomfet的新型晶體管中，含有一種納米微粒，它能像人腦的神經(jīng)系統(tǒng)一樣靈活調(diào)整電子信號(hào)。 參與研究的多米尼克·維堯姆介紹說，在信息處理的過程中，Nomfet還可以與周邊晶體管互通有無，更好地對(duì)不
- 關(guān)鍵字： 晶體管 圖像識(shí)別
美韓科學(xué)家制成世界上首個(gè)分子晶體管
- 美國(guó)耶魯大學(xué)23日發(fā)表新聞公報(bào)稱，該校及韓國(guó)光州科學(xué)技術(shù)研究院科學(xué)家最近合作制成世界上首個(gè)分子晶體管，制作分子晶體管的材料是單個(gè)苯分子。 研究人員說，苯分子在附著到黃金觸點(diǎn)上后，就可以發(fā)揮硅晶體管一樣的作用。研究人員能夠利用通過觸點(diǎn)施加在苯分子上的電壓，操縱苯分子的不同能態(tài)，進(jìn)而控制流經(jīng)該分子的電流。 負(fù)責(zé)這項(xiàng)研究的耶魯大學(xué)工程和應(yīng)用科學(xué)系教授馬克·里德說：“這就像推一個(gè)球滾過山頂，球就代表電流，而山的高度則代表苯分子的不同能態(tài)。我們能夠調(diào)整山的高度，山低時(shí)允許電
- 關(guān)鍵字： 材料 晶體管 硅晶體管
晶體管介紹
【簡(jiǎn)介】
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關(guān)，和一般機(jī)械開關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號(hào)來控制，而且開關(guān)速度可以非常之快，在實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
半導(dǎo)體三極管，是內(nèi)部含有兩個(gè)P [ 查看詳細(xì) ]
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