- Intel近日宣布在化合物半導體晶體管的研究中取得了里程碑式的重大突破,通過集成高K柵極獲得了更快的晶體管切換速度,消耗能量卻更少。Intel一直在研究將現在普遍適用的晶體管硅通道替換成某種化合物半導體材料,比如砷化鎵銦(InGaAs)。目前,此類晶體管使用的是沒有柵極介質的肖特基柵極(Schottky gate),柵極漏電現象非常嚴重。
Intel現在為這種所謂的量子阱場效應晶體管(QWFET)加入了一個高K柵極介質,并且已經在硅晶圓基片上制造了一個原型設備,證明新技術可以和現有硅制造工藝相結
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Intel 晶體管 芯片
- 高溫半導體方案的領導者 CISSOID 推出了新產品的行星家族高溫晶體管和開關。汞是一種高溫 80V 的小信號 N 溝道 MOSFET 晶體管,其保証的工作溫度範圍為攝氏負 55 度至 225 度。憑藉其極端溫度的魯棒性,其輸入電容僅為 32pF,在225度其柵極洩漏限于 5.6μA,這 80V 的晶體管非常適合用于高溫度傳感器接口,如壓電式傳感器或執(zhí)行一個保護放大器。
在225度這種邏輯級 MOSFET 可匯到 230mA,也可用于切換中或高電阻,例如:轉換 3.3V/5V的邏輯信號
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CISSOID 晶體管
- 剛剛結束訪華的英特爾總裁兼首席執(zhí)行官保羅·歐德寧在北京表示,摩爾定律將繼續(xù)有效,英特爾將遵循摩爾定律,繼續(xù)推動產業(yè)的發(fā)展。
針對有人認為“沒有必要去不斷追求更強大的性能,產品功能夠用就好,摩爾定律已經不再重要了”,歐德寧表示:“摩爾定律將繼續(xù)有效。摩爾定律不僅僅是指推動性能提升,實際上指的是晶體管密度。更高的晶體管密度可以提高性能或集成度。對于智能手機或小型電子產品,我們提供片上系統(tǒng)(SoC),把多個芯片集成到一個芯片上,這將給消費者帶來諸多好處
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英特爾 摩爾定律 晶體管
- (首爾法新電)韓國科學家成功開發(fā)出一種全新的晶體管,其反應速度和能源效率比現有晶體管更快更好,令不需啟動過程的電腦有望實現。韓國科學技術研究院(KIST)說,這種晶體管除了像現有晶體管般運用電流開關,也運用電子的順時逆時旋轉方向,來處理信息。
這種運用電子旋轉方向來處理信息的半導體稱為“自旋場效應晶體管”(spin-injected field effect transistors),其概念于1990年代首次出現,被認為是可以取代傳統(tǒng)氧化物晶體管的下一代半導體。
其
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微電子 晶體管
- 本文講述了雙晶體管正激有源鉗位軟開關電源的工作原理,并給出實際產品雙晶體管的工作波形。該電路結構中,功率開關管的電壓應力小,并工作于ZVS導通和關斷,減小開關功耗,降低了EMI。
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設計 開關電源 有源 晶體管
- 幾十年來,摩爾定律所闡述的生產力效益定律一直是半導體行業(yè)發(fā)展的驅動力。它催生了數字處理器、寬帶和大容量存儲器。這些技術大幅提升了PC、手機等產品的生產力。然而,經濟學正給半導體行業(yè)帶來革命性轉變。未來,“新摩爾定律”將發(fā)揮重要作用。
產品研發(fā)從性能驅動轉為經濟學驅動
半導體產業(yè)是個相對年輕的產業(yè)。自摩爾定律預測芯片上晶體管的數量每18個月翻一番以來,半導體器件制造商一直追求生產力的提升。這一定律確實沒錯。如今消費應用的SoC可能集成了幾億個晶體管。然而,半導體產業(yè)正
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- 從時尚的消費電子產品,像蘋果的iPhone、任天堂的Wii,到下一代醫(yī)療設備、汽車導航、工業(yè)系統(tǒng),MEMS將極大地豐富人和電子設備互動的方式。“對于半導體公司,要么選擇MEMS,要么退出市場!”Maxim集團總裁Vijay Ullal 在2009年舊金山的電子峰會上語出驚人,“因為,從200年前的工業(yè)革命邁出第一步開始,現代科技的演進就一直沒停止,第二步是晶體管發(fā)明帶來的計算革命,第三步就是傳感器。”
事實上看好MEMS市場前景的大有人在,但是如何
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Maxim MEMS 晶體管 慣性傳感器 電子車身穩(wěn)定系統(tǒng) 200906
- 3-D Flash新創(chuàng)公司Schiltron Corporation與專門提供化學機械拋光設備及代工服務的領先供應商Entrepix合作發(fā)展使用現有的材料,工具和制程的方法制造3-D Flash,從而利用簡單直接的方式擴大產量。 Schiltron 3-D Flash制造方式的最關鍵工藝的步驟是化學機械設備(CMP)的達成。該公司的聯(lián)合開發(fā)的努力已制造迄今為止最小的矽基薄膜電晶體(Silicon-base thin-film transistors) 。
晶體管結構和低溫度預算工藝步驟(low
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Entrepix 晶體管 CMP 矽基薄膜電晶體
- 據外電報道,市場研究公司Frost & Sullivan的數字顯示,2006年,印度半導體離散件市場規(guī)模將達2.9億美元,與2005年的2.35億美元的市場規(guī)模相比,增幅達23.4%。
Frost & Sullivan定義的離散件包括二極管、晶體管、半導體閘流管以及光電半導體產品。該公司表示,目前有十幾家公司涉足印度的半導體離散件市場,該市場上的半導體離散件產品包括從中國和中國臺灣地區(qū)進口,以及飛利浦、ST Micro和Agilent Technologies等公司生產的產品。
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半導體 晶體管
- 2009年世界電信和信息社會日大會在北京國際飯店舉行,以下為英特爾中國有限公司董事總經理黃節(jié)做主題為“摩爾定律能走多遠—無線寬帶的實現和英特爾的創(chuàng)新之旅”的演講。
“摩爾定律能走多遠—無線寬帶的實現和英特爾的創(chuàng)新之旅”
什么是摩爾定律呢?大約在1965年,在普爾頓.摩爾博士創(chuàng)建英特爾公司之前發(fā)現了這樣一個規(guī)律,集成電路晶體管每隔18個月到24個月就會翻一番,這就是摩爾定律。摩爾定律和其他自然界的定律不一樣,并不是能自動
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Intel 晶體管 摩爾定律
- 市場研究公司iSuppli公司表示,模擬IC市場已經企穩(wěn),主要是由于需求增長以及價格下滑放緩,但是市場真正復蘇仍然需要時間。
第二季度全球單片模擬芯片平均合約價格下滑3.9%,而第一季度和去年第四季度下降幅度分別為7.8%和4.6%。第三季度價格預計將輕微反彈,增長0.7%,原因是圣誕前季引發(fā)的需求持續(xù)增長。
iSuppli高級分析師Marijana Vukicevic在一份聲明中表示,模擬IC和晶體管供應商均報載去年第四季度訂單停滯之后需求開始回暖。“這使價格在警戒水平上停止
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模擬IC 晶體管
- 據iSuppli公司,雖然全球模擬半導體與晶體管市場形勢趨于穩(wěn)定,需求上升而且價格下降速度放緩,但距離真正的產業(yè)復蘇仍很遙遠。
模擬半導體與晶體管廠商報告稱,繼2008年第四季度和2009年第一季度新訂單幾乎停滯之后,目前需求開始回升。這已幫助價格在危險水平上停止進一步下滑。
全球模擬單片電路半導體平均合同價格第二季度將下降3.9%,降幅小于第一季度時的7.9%和2008年第四季度時的4.7%。隨著需求在圣誕節(jié)前繼續(xù)增長,預計第三季度價格將略有反彈,上漲0.7%。
預計第二季度晶體管
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模擬芯片 晶體管
- 上周六一次業(yè)界集會上,英特爾前任首席執(zhí)行官安德魯-格魯夫對如今硅谷中的專利制度進行了批評,并將其比喻成是導致華爾街危機的金融衍生工具。
安德魯-格魯夫是在周六接受“美國發(fā)明家名人堂”頒獎后發(fā)表演講的。格魯夫在此次年度頒獎上被授予終身成就獎。參加這次會議的還有戈登-摩爾,英特爾現任CEO保羅-歐德寧,蘋果公司聯(lián)合創(chuàng)始人史蒂夫-沃茲尼亞克等行業(yè)巨頭。
格魯夫在演講中說到,“當人們都贊嘆過去50年科技行業(yè)取得的成績時,我不禁要擔心,未來的50年會是什么樣子。這
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Intel 集成電路 晶體管
- 回望50年
歲月如流,58年大學畢業(yè)至今,半個世紀已逝去,而往事卻歷歷在目,仿佛就發(fā)生在昨天,一幕又一幕……
走進微電子
56年毛主席,周總理為了發(fā)展我國的科學事業(yè),采取了四項緊急措施,其中之一就是加速半導體學科的發(fā)展,清華當年即創(chuàng)辦了半導體專業(yè),57年李志堅教授從前蘇聯(lián)學成回國,領導教研室,58年前蘇聯(lián)專家又來清華講學,因此母校華中工學院(今華中理工大學)即時派我到清華進修,主攻半導體器件,從此與微電子學結上了終身之緣。
我是與清華首屆半零[1]同
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龍芯 半導體 晶體管
- 根據報道, Intel公司新推出一種名為“P-channel”和“N-channel”的晶體管能夠將處理器的功耗降低至當前處理器產品的10%。Intel公司于日前公布了新材料“P-channel”晶體管的更多細節(jié),新晶體管基于的是硅基,使用了一種名為III-V的化合物半導體。大約在一年之前Intel公司就對外描述過基于III-V 材料的“P-channel”晶體管,當時同樣基于的是硅基。
根據Inte
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Intel 晶體管 處理器
晶體管介紹
【簡介】
晶體管(transistor)是一種固體半導體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關,基于輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可做為電流的開關,和一般機械開關(如Relay、switch)不同處在于晶體管是利用電訊號來控制,而且開關速度可以非常之快,在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
半導體三極管,是內部含有兩個P [
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