晶體管 文章 進(jìn)入晶體管技術(shù)社區(qū)
開關(guān)電源中功率晶體管的二次擊穿及防護(hù)
- 中心議題： 功率晶體管二次擊穿的原因 避免功率晶體管二次擊穿的措施 開關(guān)電源中可選用的緩沖電路解決方案： 耗能式關(guān)斷緩沖電路 耗能式開通緩沖電路 無源回饋關(guān)斷緩沖電路 無源回饋開通緩沖電
- 關(guān)鍵字： 防護(hù) 擊穿 晶體管 功率 開關(guān)電源
晶體管的檢測經(jīng)驗(yàn)
- (一)晶體管材料與極性的判別 1.從晶體管的型號命名上識別其材料與極性 國產(chǎn)晶體管型號命名的第二部分用英文字母AD表示晶體管的材料和極性。其中，“A”代表鍺材料PNP型管，“B”代表鍺材料
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音響中的場效應(yīng)管和雙極型晶體管
- 1功率放大器用場效應(yīng)管或雙極型晶體管（以下簡稱晶體管）作前級和后級對信號進(jìn)行放大處理。而采用場效應(yīng)管做的 ...
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瑞薩電子推出新型SiGe:C異質(zhì)接面晶體管
- 2011年9月13日 日本東京訊—高級半導(dǎo)體廠商瑞薩電子株式會社（TSE：6723，以下簡稱“瑞薩電子”）宣布推出新款SiGe:C異質(zhì)接面晶體管 (SiGe:C HBT, 注1)NESG7030M04，可作為低噪聲放大晶體管用于無線局域網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、衛(wèi)星無線電及類似應(yīng)用。本裝置的制程采用全新開發(fā)的硅鍺：碳(SiGe:C)材料 (注2) 并達(dá)到領(lǐng)先業(yè)界的低噪聲效能。
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大分子碳結(jié)構(gòu)有機(jī)半導(dǎo)體問世 卓越特性成本低廉
- 據(jù)美國物理學(xué)家組織網(wǎng)8月29日報道，一個國際科研團(tuán)隊(duì)首次研制出了一種含巨大分子的有機(jī)半導(dǎo)體材料，其結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，擁有卓越的電學(xué)特性，而且成本低廉，可被用于制造現(xiàn)代電子設(shè)備中廣泛使用的場效應(yīng)晶體管?？茖W(xué)家們表示，最新突破將會讓以塑料為基礎(chǔ)的柔性電子設(shè)備“遍地開花”。相關(guān)研究發(fā)表在材料科學(xué)領(lǐng)域最著名的雜志《先進(jìn)材料》上。
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晶體管介紹
【簡介】
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關(guān)，和一般機(jī)械開關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關(guān)速度可以非常之快，在實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
半導(dǎo)體三極管，是內(nèi)部含有兩個P [ 查看詳細(xì) ]
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