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        EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 存儲(chǔ)器

        英特爾帶來簡(jiǎn)化存儲(chǔ)之道

        • 英特爾公司宣布推出一款全新存儲(chǔ)平臺(tái),以便使中小型企業(yè)能夠更加輕松、經(jīng)濟(jì)地部署存儲(chǔ)解決方案,進(jìn)而確保實(shí)現(xiàn)即時(shí)災(zāi)難恢復(fù)并提高備份能力。 由于大量采用數(shù)字化信息,包括營(yíng)業(yè)報(bào)告、員工記錄、照片和視頻等,當(dāng)前企業(yè)疲于應(yīng)對(duì)數(shù)量不斷增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)。與此同時(shí),政府管制要求的增加、以及公司業(yè)務(wù)連續(xù)性和災(zāi)難恢復(fù)計(jì)劃的不斷發(fā)展,均促使對(duì)存儲(chǔ)的需求日益提高。 英特爾存儲(chǔ)事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理Hans Geyer表示:“分析家指出,數(shù)據(jù)量每18個(gè)月就會(huì)增加一倍**,對(duì)此企業(yè)已是精疲力竭。但當(dāng)前的存儲(chǔ)解決方案對(duì)于普通企業(yè)而言,往
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        三星改進(jìn)DRAM芯片明年應(yīng)用于生產(chǎn)

        •   全球最大的內(nèi)存芯片生產(chǎn)商三星電子宣布,已經(jīng)成功采用70納米生產(chǎn)工藝制造出第一塊DRAM芯片。一旦這種生產(chǎn)工藝廣泛應(yīng)用于該公司的生產(chǎn)線,從同一硅片上生產(chǎn)的芯片數(shù)量將會(huì)翻倍。    芯片上的晶體管越多,它們之間的距離就越近,芯片性能也將得到提升。對(duì)于三星、美光和英飛凌等廠商,開發(fā)新技術(shù)對(duì)于削減成本以及增加銷量是至關(guān)重要的。    DRAM芯片在線票據(jù)交換所宣稱,應(yīng)用最廣泛的DRAM芯片的價(jià)格今年下跌了1/3,目前每塊的價(jià)格僅為2.53美元。由于生產(chǎn)商大量的需求,現(xiàn)貨市場(chǎng)上的DRAM如同
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        Silicon推出內(nèi)存容量更大的微控制器

        • Silicon Laboratories宣布推出閃存容量加倍的新型微控制器C8051F316和C8051F317,使其領(lǐng)先業(yè)界的小型混合訊號(hào)微控制器產(chǎn)品線更為強(qiáng)大。新組件是業(yè)界體積最小的高整合度微控制器,內(nèi)含16 kB閃存并采用4 
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        三星內(nèi)存超微處理器成消費(fèi)電子中堅(jiān)

        •     三星電子集團(tuán)執(zhí)行官表示,內(nèi)存芯片已經(jīng)超過微處理器成為了推動(dòng)消費(fèi)電子業(yè)增長(zhǎng)的關(guān)鍵技術(shù)。      三星電子集團(tuán)技術(shù)市場(chǎng)部高級(jí)副總裁Jon Kang于當(dāng)?shù)貢r(shí)間本周四De nali MemCon大會(huì)上說:“我們已不再生活在以微處理器為核心的消費(fèi)電子業(yè)的時(shí)代。內(nèi)存芯片才是移動(dòng)消費(fèi)產(chǎn)品革命的關(guān)鍵一點(diǎn)?!?nbsp;         Kang表示,存儲(chǔ)密度(特別
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        三星新開發(fā)出70nm DDR2 SDRam芯片

        •   韓國(guó)電子巨頭三星電子公司日前宣稱,他們開發(fā)研制出了全球第一款使用70nm工藝生產(chǎn)的512Mb DDR2   SDRam存儲(chǔ)芯片,這也是目前存儲(chǔ)芯片制造領(lǐng)域內(nèi)的最精細(xì)的微處理技術(shù)。   三星電子稱,采用70nm工藝生產(chǎn)的512Mb DDR2 SDRam存儲(chǔ)芯片,是當(dāng)前80nm 和 90nm處理工藝的延續(xù)。但目前采用70nm處理工藝的每個(gè)晶圓上的芯片數(shù)量至少要比采用90nm工藝所包含的芯片數(shù)量多出一倍。新的生產(chǎn)工藝采用了三星的金屬絕緣層金屬(Metal-Insulator-Metal,MIM)技術(shù)以及被稱
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        海量存儲(chǔ)等級(jí)vs.媒體傳輸協(xié)議

        •  海量存儲(chǔ)等級(jí)(Mass Storage Class,MSC)是USB第一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)化的規(guī)格,目前海量存儲(chǔ)裝置都能通過USB物理連接支持這項(xiàng)傳輸協(xié)議。另一方面,由于數(shù)字版權(quán)管理與內(nèi)容保護(hù)需要考慮特殊的通訊協(xié)議,微軟因此又推出了媒體傳輸協(xié)議(MTP)作為傳統(tǒng)大容量存儲(chǔ)裝置的替代方案?! ?shù)字版權(quán)管理(DRM)與內(nèi)容保護(hù)需要運(yùn)用特別的通訊協(xié)議,在微軟的DRM引擎Janus中,底層采用的技術(shù)為MTP。MTP可被視為取代傳統(tǒng)MSC的方案,能傳送受保護(hù)的內(nèi)容。圖1是傳統(tǒng)海量存儲(chǔ)裝置應(yīng)用以及相關(guān)的軟件堆棧?! ?/li>
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        三星承認(rèn)操縱內(nèi)存價(jià)格愿接受罰款

        •     華盛頓當(dāng)?shù)貢r(shí)間本周四,美國(guó)司法部宣布,三星將對(duì)操縱DRAM內(nèi)存價(jià)格的指控供認(rèn)不諱,并同意支付3億美元的罰款。   作為美國(guó)政府對(duì)三星在美國(guó)DRAM內(nèi)存市場(chǎng)上操縱價(jià)格的為期3年的反壟斷調(diào)查的結(jié)果,三星同意接受罰款處理。預(yù)計(jì)三星及其在美國(guó)的子公司━━三星半導(dǎo)體公司將在位于美國(guó)舊金山的聯(lián)邦地方法院承認(rèn)自己有罪。   去年12月份,三星曾經(jīng)預(yù)留1億美元用于支付與價(jià)格操縱案相關(guān)的成本。今年早些時(shí)候,Hynix同意支付1.85億美元了斷美國(guó)政府的反壟斷調(diào)查;去年,德國(guó)的
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        三星在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)市場(chǎng)引領(lǐng)閃存芯片風(fēng)暴

        •   隨著蘋果iPod Nano的問世,閃存芯片開始發(fā)力,向硬盤發(fā)起挑戰(zhàn)。而三星,無(wú)疑是最大的贏家。在這場(chǎng)閃存的變革中,贏家不至三星一個(gè),其對(duì)手也將從中獲得極大的利益。     今年9月7日,蘋果電腦公司推出了新款的iPod Nano。對(duì)此,三星的CEO黃昌圭( Hwang Chang Gyu)比業(yè)內(nèi)的任何人都要高興。他與蘋果的喬布斯堅(jiān)信,iPod Nano對(duì)于原創(chuàng)的iPod來說,是"一次最大的變革"。    當(dāng)然,在
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        IR FlipKY肖特基二極管面向微硬盤應(yīng)用

        • 國(guó)際整流器公司(International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR)日前推出四款新型FlipKY肖特基二極管。與業(yè)界普通標(biāo)準(zhǔn)的肖特基器件相比,它們的體積更小,工作效率更高。這些新型0.5A和1.0A器件采用節(jié)省空間的芯片級(jí)封裝(CSP),最適于空間受限的手持和便攜設(shè)備,如移動(dòng)電話、智能電話、MP3播放器、PDA和微型硬盤驅(qū)動(dòng)器,應(yīng)用范圍包括電流調(diào)節(jié)、ORing及升壓和續(xù)流電路。   30V的IR0530CSP和40V的IR05H40CSP均屬于0.5A器件,兩者都采用緊湊的3焊球芯片級(jí)封裝,只占用1
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        Silicon推出內(nèi)存容量更大控制器

        • 益登科技所代理的Silicon Laboratories宣布推出閃存容量加倍的新型微控制器C8051F316和C8051F317,使其領(lǐng)先業(yè)界的小型混合訊號(hào)微控制器產(chǎn)品線更為強(qiáng)大。新組件是業(yè)界體積最小的高整合度微控制器,內(nèi)含16 kB閃存并采用4 
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        SHA-1 器件的安全性是否依然足夠安全?

        •   近來,幾名中國(guó)學(xué)者對(duì)安全散列算法(SHA)的強(qiáng)大安全性做出了攻擊。本白皮書將討論這種攻擊方式,其結(jié)果表明:盡管比起最初的想法, SHA-1 算法在抗碰撞上略有不足,但Dallas Semiconductor/Maxim 的SHA-1 存儲(chǔ)器件的安全性并未受到影響。因此,該公司的SHA-1 存儲(chǔ)器件(DS1963S、DS1961S、DS2432) 仍可以為附件/外設(shè)鑒別及防竄改、存儲(chǔ)器認(rèn)證應(yīng)用提供低成本、有效的解決方案。引言   Dallas Semiconductor/Maxim 的SHA-1 存儲(chǔ)
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        IR新型FlipKY肖特基二極管面向微硬盤應(yīng)用

        • 國(guó)際整流器公司(International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR)日前推出四款新型FlipKY肖特基二極管。與業(yè)界普通標(biāo)準(zhǔn)的肖特基器件相比,它們的體積更小,工作效率更高。這些新型0.5A和1.0A器件采用節(jié)省空間的芯片級(jí)封裝(CSP),最適于空間受限的手持和便攜設(shè)備,如移動(dòng)電話、智能電話、MP3播放器、PDA和微型硬盤驅(qū)動(dòng)器,應(yīng)用范圍包括電流調(diào)節(jié)、ORing及升壓和續(xù)流電路。   30V的IR0530CSP和40V的IR05H40CSP均屬于0.5A器件,兩者都采用緊湊的3焊球芯片級(jí)封裝,只占用1
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        Wi-Fi和微型硬盤在便攜式產(chǎn)品中的應(yīng)用

        • 無(wú)線應(yīng)用和個(gè)人數(shù)據(jù)存儲(chǔ)這兩個(gè)話題, 無(wú)可置疑地正在成為現(xiàn)今便攜式產(chǎn)品市場(chǎng)中最熱門的話題。  無(wú)線應(yīng)用尤其是無(wú)線上網(wǎng), 正在陸續(xù)地被便攜式產(chǎn)品所采用, 有如SONY(索尼)公司最新推出的PSP (Play Station Portable),就增添了802.11b無(wú)線上網(wǎng)功能。而其它產(chǎn)品如PDA和智能型手機(jī),更是搶得先機(jī)將802.11b加入其里面。802.11b不但可以用于無(wú)線上網(wǎng), 它更是在便攜式產(chǎn)品領(lǐng)域里開拓了全新的應(yīng)用, 如VoIP(Voice over IP),就是幫助用戶通過無(wú)線網(wǎng)絡(luò)來實(shí)現(xiàn)免費(fèi)通話
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        先進(jìn)的MRAM技術(shù)受到IBM公司 和英飛凌公司研究人員青睞

        • IBM公司 和英飛凌技術(shù) (Infineon Technologies) 公司將磁存儲(chǔ)器元件集成到高性能邏輯基中,開發(fā)出他們所聲稱的"迄今最先進(jìn)的磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器技術(shù)(MRAM)。"   兩家公司相信,該開發(fā)成果將加速M(fèi)RAM的商品化,并有可能在早至2005年取代當(dāng)今某些存儲(chǔ)器技術(shù)。MRAM能導(dǎo)致"即時(shí)開啟"的計(jì)算機(jī)問世,從而使用戶能像電燈開關(guān)那樣快速地開啟和關(guān)閉計(jì)算機(jī)。   這種高速128kb MRAM芯核采用0.18微米基于邏輯的加工工藝制造,據(jù)說是
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        InfiniBand在存儲(chǔ)與集群服務(wù)器中發(fā)揮作用

        • 也許Infiniband的成熟過于緩慢,且似乎到了快死亡的地步,但現(xiàn)在高速互連正在將一群服務(wù)器連在一起并作為一種存儲(chǔ)區(qū)域網(wǎng) (SAN) 技術(shù)而找到了廣泛使用。的確,很多服務(wù)器與存儲(chǔ)供應(yīng)商,包括IBM、HP、Dell、Sun及其他公司,目前都在提供采用Infiniband技術(shù)的系統(tǒng)。InfiniBand技術(shù)的長(zhǎng)期支持者M(jìn)ellanox公司,曾提供過售價(jià)高達(dá)200美元的雙端口、10Gbps和20Gbps芯片,目前又推出了成本與功耗都降低了的新型單端口InfinHost III&n
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        存儲(chǔ)器介紹

        什么是存儲(chǔ)器 存儲(chǔ)器(Memory)是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。 存儲(chǔ)器的構(gòu)成 構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì),目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]
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