存儲器 文章 進入存儲器技術(shù)社區(qū)
三星 下半年DRAM供需均衡 面板需求降溫
- 據(jù)外電報道，三星電子周三預(yù)期下半年個人計算機用DRAM的供給和需求將達到平衡，并認為2006年LCD面板的需求成長將持續(xù)降溫。 三星在一份呈交南韓證交所的報告中表示，芯片制造商將制程升級至90奈米后，良率問題影響供給成長，加上部份產(chǎn)能挪用生產(chǎn)非DRAM產(chǎn)品，是下半年供需平衡的主因。 但有些分析師更樂觀預(yù)期下半年DRAM的需求會微幅超過供應(yīng)，并帶動價格上揚，與其相較，SAMSUNG的看法還較為保守。自今年初以來，DRAM芯片在供給增加及需求疲弱的壓力下，現(xiàn)貨價格已重挫逾40%。多位分析師都預(yù)期第2季
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CL 2.5水平低延遲DDR-2內(nèi)存芯片即將量產(chǎn)
- DDR-2內(nèi)存如我們預(yù)期地目前已開始調(diào)整售價并可在下半年取代DDR內(nèi)存在市場的主流位置，不過DDR-2內(nèi)存眾所周知目前主要的問題也在于其高延遲性（CL 4/5）設(shè)計而大大影響了產(chǎn)品性能。如在同級的DDR與DDR-2內(nèi)存對比當中DDR的性能肯定要高于DDR-2，但DDR-2未來始終還是會得益于其高工作頻率設(shè)定可達成更高的內(nèi)存帶寬而將取代最高不過667MHz的DDR，無論如何DDR-2的高延遲特性如不能得到一定改良的話其性能表現(xiàn)始終是不能有太大的突破，而這個情況
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現(xiàn)代與意法半導(dǎo)體在中國建內(nèi)存芯片廠
- 4月29日消息，韓國現(xiàn)代半導(dǎo)體（Hynix Semiconductor）和意法半導(dǎo)體公司本周四在中國江蘇省無錫市舉行了高級內(nèi)存芯片加工廠建設(shè)的破土動工儀式。 韓國時報報道，這個內(nèi)存芯片加工廠是根據(jù)現(xiàn)代半導(dǎo)體和意法半導(dǎo)體去年11月份達成的合資企業(yè)協(xié)議建設(shè)的。這個合資企業(yè)將在今年年底投入商業(yè)性生產(chǎn)。無錫市在聲明中稱，這個工廠首先使用8英寸晶圓進行生產(chǎn)，然后在2006年晚些時候過渡到12英寸晶圓。這個工廠
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基于TMS320C54x的便攜存儲設(shè)備設(shè)計
- 摘 要：本文介紹了一種以TMS320C54x為核心的移動存儲終端，終端中使用NAND Flash作為存儲器件。討論了TMS320C54x對NAND Flash的編程以及接口設(shè)計。關(guān)鍵詞：DSP；NAND；Flash 引言移動存儲終端包括手機、掌上電腦、PDA和數(shù)碼相機等手持設(shè)備及各種信息家電。在這類產(chǎn)品中既要結(jié)合存儲功能，又需要具備一定的信號處理能力，因此基于DSP芯片的設(shè)計方案成為這些產(chǎn)品的主流方案。同時，為了降低產(chǎn)品成本，采用具有較高容量/價格比的NAND Fla
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為實現(xiàn)高性能選擇正確的 SRAM 架構(gòu)
- 按慣例，設(shè)計人員總把SRAM 作為其最基本的形式，即單端口、單時鐘域器件。在需要更高性能時，設(shè)計人員通常會選擇更高的時鐘頻率和更寬的總線。盡管這樣可以顯著提高 SRAM 性能，但卻并不是唯一的方法。我們也可以開發(fā)用于先進通信系統(tǒng)的存儲器，這就將工作重點轉(zhuǎn)向了帶寬，而不是時鐘頻率。存儲器帶寬的定義為：給定時間內(nèi)可通過器件訪問的數(shù)據(jù)量。通常單位為Mbps乃至極高性能存儲器的Gbps。帶寬的主要組成部分為 I/O 速度、接入端口寬度以及存儲器可用的接入端口數(shù)量。用以下簡單的方程式可計算出帶寬：帶寬=I/O速度
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高速大容量數(shù)據(jù)采集板卡的SDRAM控制器設(shè)計
- 摘 要：本文對高速、高精度大容量數(shù)據(jù)采集板卡所采用的SDRAM控制器技術(shù)進行了討論，詳細介紹了基于FPGA的SDRAM控制器的設(shè)計、命令組合以及設(shè)計仿真時序，并將該技術(shù)應(yīng)用于基于PCI總線的100MHz單通道 AD9432高速大容量數(shù)據(jù)采集板卡，最后給出了板卡測試結(jié)果。關(guān)鍵詞：SDRAM；FPGA；AD9432 引言高速數(shù)據(jù)采集具有系統(tǒng)數(shù)據(jù)吞吐率高的特點，要求系統(tǒng)在短時間內(nèi)能夠傳輸并存儲采集結(jié)果。因此，采集數(shù)據(jù)的快速存儲能力和容量是制約加快系統(tǒng)速度和容許采集時間的主要因素之一。通常用于數(shù)據(jù)采
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測量并抑制存儲器件中的軟誤差
- 軟誤差是半導(dǎo)體器件中無法有意再生的“干擾”(即數(shù)據(jù)丟失)。它是由那些不受設(shè)計師控制的外部因素所引起的，包括α粒子、宇宙射線和熱中子。許多系統(tǒng)能夠容忍一定程度的軟誤差。例如，如果為音頻、視頻或靜止成像系統(tǒng)設(shè)計一個預(yù)壓縮捕獲緩沖器或后置解壓縮重放緩沖器，則一個偶然出現(xiàn)的缺陷位可能不會被察覺，而且對用戶而言也許并不重要。然而，當存儲元件在關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用中負責控制系統(tǒng)的功能時，軟誤差的不良影響就會嚴重得多，不僅會損壞數(shù)據(jù)，而且還有可能導(dǎo)致功能缺失和關(guān)鍵系統(tǒng)故障。本文將討論產(chǎn)生這些軟誤差的根源、不同的測量技術(shù)以及抵御
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混合信號測試新結(jié)構(gòu)——同步及存儲磁心
- 引言當前電子設(shè)計的趨勢是復(fù)合功能化以及更廣泛地使用模擬、數(shù)字混合技術(shù)。在設(shè)計、建模和測試諸如3G手機及機頂盒等混合了視頻、音頻及數(shù)據(jù)信號的系統(tǒng)時，需要緊密集成與基頻采樣頻率、失真和觸發(fā)特性相匹配的數(shù)字及模擬數(shù)據(jù)采集和發(fā)生硬件。模擬及數(shù)字儀器不再是具有完全相異的定時引擎和不匹配模擬性能的獨立系統(tǒng)。另外，隨著這些具有類似時鐘的設(shè)備在全球范圍內(nèi)廣泛地制造，產(chǎn)品必須在極寬的溫度范圍內(nèi)具有穩(wěn)定性和性能一致性，以便進行可靠的、高性能的功能測試。NI設(shè)計的同步及存儲磁心(SMC)作為一種針對高速模塊化儀器的通用結(jié)構(gòu)回應(yīng)
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2005年4月28日，半導(dǎo)體巨頭在中國建首家存儲器制造廠
- 4月28日，意法半導(dǎo)體(STMicro)與韓國現(xiàn)代半導(dǎo)體(Hynix)在無錫舉行了奠基典禮，在中國建設(shè)首家存儲器芯片前端制造廠。合資廠計劃總投資20億美元，將制造DRAM存儲器和NAND閃存芯片。 點評 與前幾年的建線熱相比，2005年我國IC制造領(lǐng)域冷清了許多。這一方面是受到全球半導(dǎo)體市場回升緩慢的影響，另一方面也是主流晶圓制造廠商在為下一步的發(fā)展在資金和工藝等方面進行積累和蓄勢。而在集成電路制造業(yè)方面也有一些利好的消息，有媒體報道稱，臺灣廠商在祖國大陸投資建設(shè)晶圓廠的限制將進一步放寬，
- 關(guān)鍵字： ST 存儲器 Hynix
存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構(gòu)成
構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]
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