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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 存儲器

        PXI在重離子加速器-冷卻存儲環(huán)控制系統(tǒng)的應(yīng)用

        • HIRFL-CSR工程蘭州近代物理所HIRFL-CSR(重離子加速器-冷卻存儲環(huán))工程是國家九五重點國家重大科學(xué)工程。HIRFL-CSR是一個集加速、累積、冷卻 、儲存、內(nèi)靶實驗及高分辨測量于一體的多功能實驗裝置。蘭州近代物理所HIRFL-CSR包括:主環(huán)(CSRm)、實驗環(huán)(CSRe)、束運線、放射性束(RIB)分離器、實驗探測裝置。主環(huán)周長161米,最高加速能量為900MeV/u(12C6+)和400MeV/u(238U72+),試驗環(huán)周長129米,最大接收能量為600MeV/u (12C6+)和40
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        6月份全球DRAM出貨量增長了4% 達5.54億件

        •   來自市場研究機構(gòu)DRAMeXchange的最新數(shù)據(jù),6月份全球DRAM出貨量(折合為256M比特DRAM內(nèi)存)增長了4%,達到了5.54億件,其中DDR內(nèi)存的比例從5月份的63%下滑到了61%,DDR2的比例為30%。        DRAMeXchange預(yù)測,隨著DDR內(nèi)存出貨量的削減,其供應(yīng)緊缺狀況貫穿整個第三季度,而DDR2內(nèi)存市場,就出貨量而言,Powerchip半導(dǎo)體公司和ProMOS 科技公司在我國臺灣廠商中處于領(lǐng)先地位。該研究機構(gòu)還預(yù)測
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        全球磁盤存儲市場增勢強勁得益于存儲虛擬

        •   據(jù)市場研究機構(gòu)IDC的調(diào)查顯示,未來四年內(nèi),磁盤存儲市場仍將保持穩(wěn)定的增長態(tài)勢。這種增長主要得益于信息存儲必須符合全球標(biāo)準(zhǔn)、低價易用的存儲產(chǎn)品的推廣以及存儲虛擬等新技術(shù)的涌現(xiàn)。        據(jù)IDC機構(gòu)存儲專家Dave Reinsel分析,2001-2002年存儲業(yè)走過低迷時期后,2004年存儲市場迎來了第二個持續(xù)增長期。與2003年相比,2004年全球的存儲產(chǎn)品銷售增長了4.4%。2005年,全球存儲產(chǎn)品銷售將達到234億美元,而到2009年會增長
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        富士通和愛普生宣布開發(fā)非易失存儲器技術(shù)

        •   富士通公司和精工愛普生公司近日宣布,雙方已簽署協(xié)議將聯(lián)合開發(fā)下一代鐵電隨機存儲器(Ferroelectric Random Access Memory, FRAM)非易失存儲器技術(shù)。   根據(jù)協(xié)議,雙方計劃研制一種高集成度的下一代FRAM,其組件面積將只有目前市場上銷售的常規(guī)FRAM的1/6, 研發(fā)計劃預(yù)計將于2006年上半年完成。同時,富士通和愛普生還計劃開發(fā)一種存儲器核心處理技術(shù),其特點是對于可執(zhí)行的讀寫周期的限制達到了最小。   近年來,便攜式信
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        中芯國際計劃 從第三季度起削減SDRAM產(chǎn)能

        •   在5月份時曾有報道指,中芯國際計劃提高其SDRAM產(chǎn)品的報價。然而如今,業(yè)內(nèi)的消息人士開始聲稱這家位于中國的晶圓廠計劃從第三季度開始,大幅削減其SDRAM的產(chǎn)能——幅度高達70%~80%。業(yè)界觀察員指出,這個舉動將有助于該公司為其新的Fab 5工廠購置設(shè)備。    據(jù)報道,中芯國際向美國進出口銀行的貸款申請之所以遭到拒絕,是因為一名來自愛達荷州——美光公司的大本營--的參議員努力游說和阻撓的結(jié)果。中芯國際原本計劃用這筆貸款來購買全球最大芯片制造設(shè)備制造商Applied M
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        三星電子斥6億美元 升級存儲器芯片生產(chǎn)線

        •   韓國三星電子昨天表示,公司董事會已通過投資6,367億韓元(約6.17億美元)升級存儲器芯片生產(chǎn)線的計劃。     港臺媒體報道,三星電子在一篇簡短的信息公告中指出,該投資是為了響應(yīng)快速閃存市場擴大以及生產(chǎn)增加的變化。
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        全新ARM Jazelle RCT技術(shù)降低Java內(nèi)存占用空間高達三倍

        • ARM公司在加利富尼亞州舊金山市召開的JavaOne大會上發(fā)布了其全新的Jazelle® RCT 技術(shù),該技術(shù)能在移動電話和消費電子產(chǎn)品等眾多應(yīng)用終端上顯著地降低Java應(yīng)用程序?qū)?nèi)存的占用空間,同時提高性能并降低功耗。ARM® Jazelle RCT (運行時間編譯器目標(biāo),Runtime Compiler Target)架構(gòu)擴展集擴展了Jazelle技術(shù)范圍,使其涵蓋了運行時間和提前時間編譯器技術(shù)的最優(yōu)化,如即時編譯(Just In Time Compiler, JIT)和動態(tài)適應(yīng)編譯
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        DRAM齊備庫存迎接下半年旺季作多心態(tài)濃厚

        •   國際DRAM廠供應(yīng)貨源不足因應(yīng)旺季需求 OEM廠轉(zhuǎn)向臺廠尋求產(chǎn)能支應(yīng)。由于OEM計算機大廠擔(dān)心進入下半年產(chǎn)業(yè)旺季后,目前庫存貨源可能不敷使用,近期紛紛開始增加對DRAM廠下單,惟國際DRAM廠已陸續(xù)轉(zhuǎn)移產(chǎn)能生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM顆粒以外的產(chǎn)品,因此供貨情況未能滿足國際OEM計算機廠需求,為此,OEM計算機廠也轉(zhuǎn)向臺灣DRAM廠尋求產(chǎn)能支應(yīng),且以過去主力供應(yīng)現(xiàn)貨市場的DRAM廠為主,據(jù)傳訂單數(shù)量相當(dāng)驚人。    TRI觀點:以產(chǎn)業(yè)鏈各廠商的動態(tài)來觀察DRAM產(chǎn)業(yè)目前上下游市況如下:   
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        內(nèi)存價格半年跌40% 臺內(nèi)存商目光轉(zhuǎn)投閃存

        •   據(jù)臺灣內(nèi)存廠商透露,由于自今年初以來,內(nèi)存的價格經(jīng)歷了重大下挫,所以這些內(nèi)存廠商已經(jīng)開始將目光投在閃存市場上,其中茂德科技(ProMOS Technologies)已經(jīng)設(shè)立了一家NAND閃存存儲卡封裝合資廠,而華邦(Winbond)則收購了一家NOR閃存設(shè)計企業(yè)。       據(jù)茂德總裁陳民良透露,他們已經(jīng)投資245萬美元于上海開辦了一家合資企業(yè),看中的就是大陸手機和數(shù)碼相機市場對存儲卡的巨大需求。茂德在此合資企業(yè)中的股份是49%,
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        臺灣DRAM廠商第二季財報多數(shù)將會出現(xiàn)赤字

        •     DRAM廠商第2季財報恐多出現(xiàn)赤字,早盤股價紛紛拉回修正,盤中力晶、南科、茂德跌幅均超過1%以上,茂硅一度跌停。      據(jù)港臺媒體報道,DRAM 價格第 2 季處于低檔,在美光(Micron)上周公布年度第 3 季(4 月至 6 月)會計盈轉(zhuǎn)虧,稅后虧損 1.28 億美元、每股虧損 0.2&nbs
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        三星現(xiàn)代偏重閃存生產(chǎn)內(nèi)存迎來缺貨漲價期

        •     DRAM制造業(yè)巨頭調(diào)換產(chǎn)能搶攻NAND型閃存市場的效應(yīng)正在快速擴散,那就是內(nèi)存芯片正面臨缺貨危機。三星、Hynix以及我國臺灣的力晶紛紛實施或宣布了將產(chǎn)能轉(zhuǎn)調(diào)入閃存生產(chǎn)的消息后,內(nèi)存模塊制造商即將進入長達數(shù)個月的供貨“枯水期”。      內(nèi)存模塊制造業(yè)人士稱,原本DRAM芯片供貨量僅受三星轉(zhuǎn)換產(chǎn)能影響,還沒有明顯感受到貨源不足壓力,但從7月起,Hynix也將轉(zhuǎn)換產(chǎn)能生產(chǎn)閃存,在2大DRAM芯片制造商雙雙轉(zhuǎn)換
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        英特爾攻勢兇猛 AMD快閃內(nèi)存營收連輸2季

        •     超微(AMD)自從4月發(fā)出打算將旗下快閃內(nèi)存(Flash)部門公開上市,以Spansion之名向美國證管會提出IPO申請后,華爾街分析師認(rèn)為,近來美國半導(dǎo)體類股市場不佳,Spansion恐怕無法募得足夠資金,在市場不看好聲中,傳出超微有可能遞延IPO消息。    據(jù)港臺媒體報道,超微執(zhí)行官Hector Ruiz在2005年初就直言對Flash事業(yè)營運很不滿意,不僅銷售額衰退,連續(xù)2季營運虧損,2004年第四季(Q4)與2005年Q1分別虧
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        三星CEO稱 DRAM價格持續(xù)下降后將趨于穩(wěn)定

        •     三星公司的CEO兼總裁黃昌圭(HwangChang-gyu)指出,計算機內(nèi)存芯片價格在下滑40%之后,有望趨于穩(wěn)定。    今年第二季度,全球芯片制造商超負(fù)荷生產(chǎn),導(dǎo)致了DRAM的價格下降,這對三星第二財季的利潤也產(chǎn)生了影響。黃昌圭稱:“到現(xiàn)在為止,DRAM的價格下降了40%。今后,價格會趨于穩(wěn)定?!?  三星表示,DRAM制造商開始由生產(chǎn)低價的DRAM向閃存芯片過渡,閃存芯片主要用于數(shù)碼相機、移動手機和音樂播放器等產(chǎn)品中。同時,由于業(yè)內(nèi)向下一代芯
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        硬盤手機逐漸成主流元件市場也將又蘊商機

        •   硬盤手機將成主流之時,隨著手機用戶在手機上存儲的信息日益增多,業(yè)者認(rèn)為硬盤將成為“必需品”。硬盤手機一旦進入“黃金時代”之時,元件市場也將隨之又蘊商機。         據(jù)悉,數(shù)年來,硬盤廠商一直在為iPod的成功而歡欣鼓舞。iPod以及其它MP3播放機已經(jīng)使得微型硬盤的銷售達到了一個新的高峰。之后手機廠商積極將微型硬盤用于新款手機產(chǎn)品中,業(yè)內(nèi)不斷聽到新的好消息:三星、諾基亞新出品的手機將集成有硬盤。與以前只能在閃存中存儲數(shù)首歌曲的手機不同,這些手機的
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        Crolles2聯(lián)盟開發(fā)的超高密度SRAM單元采用45納米低成本低功率普通CMOS體效應(yīng)技術(shù)

        • Crolles2聯(lián)盟在京都VLSI研討會上宣布的論文,為未來的低成本、低功耗、高密度消費電路采用超小制程尺寸又添新選擇日本京都 (2005年 VLSI 研討會) , 2005年6月15日 - Crolles2聯(lián)盟今天宣讀一篇有關(guān)在正常制造條件下采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS體效應(yīng)技術(shù)和45納米設(shè)計規(guī)則制造面積小于0.25平方微米的六晶體管SRAM位單元的論文*,這個單元尺寸比先前的解決方案縮小了一半。Crolles2聯(lián)盟是由飛思卡爾半導(dǎo)體(NYSE: FSL, FSL.B)、飛利浦(NYSE: PHG, AEX: PH
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        存儲器介紹

        什么是存儲器 存儲器(Memory)是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。 存儲器的構(gòu)成 構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì),目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]
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