內(nèi)存芯片 文章 進入內(nèi)存芯片技術(shù)社區(qū)
海力士擬償還8.88億美元債務(wù) 得益于芯片需求
- 據(jù)國外媒體報道，由于計算機內(nèi)存芯片供不應(yīng)求可能有助于利潤創(chuàng)下4年來新高，全球第二大內(nèi)存芯片廠商海力士計劃今年償還逾1萬億韓元債務(wù)(約合8.88億美元)。 海力士首席執(zhí)行官金鐘甲(Kim Jong-kap)日前在接受采訪時表示，“我們的目標是，在進行必要投資的同時償還巨額債務(wù)。目前，海力士有息債務(wù)約為7萬億韓元(約合62.16億美元)。” 更少的債務(wù)和更高的利潤有助于海力士吸引其他收購方。去年11月，曉星公司撤消了收購海力士的收購要約。分析師稱，由于PC需求增長，今年
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Hynix 44nm制程2Gb低功耗DDR2內(nèi)存芯片產(chǎn)品開發(fā)完成
- 韓國內(nèi)存廠商Hynix日前宣布他們已經(jīng)完成了2Gb密度低功耗DDR2內(nèi)存芯片產(chǎn)品的開發(fā)，這款產(chǎn)品將主要面向移動設(shè)備，可在智能手機，平板電腦等移動設(shè)備上使用，Hynix并稱這種芯片將于今年上半年開始投入量產(chǎn)。 這款內(nèi)存芯片產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸率可達1066Mbps，并將以小型封裝(如MCP/POP封裝形式)的形式進行供貨。 Hynix宣稱這款芯片產(chǎn)品采用了44nm制程技術(shù)制作，工作電壓僅1.2V，位寬為32位的配置條件下，使用這種芯片的內(nèi)存系統(tǒng)帶寬可達4.26GB/s。另外，這
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力晶半導(dǎo)體稱第四財季實現(xiàn)凈利潤
- 據(jù)國外媒體報道，臺灣力晶半導(dǎo)體近日表示，經(jīng)過連續(xù)十個季度的虧損后，受需求反彈和芯片價格穩(wěn)步上漲的推動，第四財政季度公司實現(xiàn)凈利潤。 力晶半導(dǎo)體在其網(wǎng)站上發(fā)布公告稱，已有大量現(xiàn)金流入公司，這將顯著改善公司的財務(wù)結(jié)構(gòu)。該公司并未提供截至去年12月31日財季的凈利潤數(shù)據(jù)。 力晶半導(dǎo)體稱，公司將通過增加DDR3芯片發(fā)貨量鞏固凈利潤成果。公司預(yù)計，到3月份DDR3芯片發(fā)貨量占其總發(fā)貨量的比重將達到75%。 分析師們表示，DDR3芯片將成為今年個人電腦應(yīng)用的主流內(nèi)存芯片。與DDR2芯片相比，DD
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2010年4大晶圓廠各有難題待解
- 與臺積電同于1987年成立的新加坡半導(dǎo)體即將走入歷史，被全球晶圓(Global Foundries)合并之后將在亞太區(qū)以新面貌見人。同樣成立將屆23年的臺積電、新加坡特許面對著截然不同的命運，1個是產(chǎn)業(yè)龍頭，另1個則是被資金實力雄厚的對手收購，但面對多變詭譎的產(chǎn)業(yè)前景，卻都各自面臨不同的挑戰(zhàn)與難題。 新加坡特許被收購之后，還是4大晶圓代工廠各據(jù)山頭，分別是臺積電、聯(lián)電、全球晶圓與中芯國際，2009年是4大晶圓廠極為特殊的1年，各自發(fā)生了影響未來命運的大事件，展望2010年未可知的將來，4大晶圓廠
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臺積電部分晶圓制品因地震而損壞，公司生產(chǎn)線已恢復(fù)正常
- 據(jù)臺積電公司周一的聲明稱，受上周臺灣地區(qū)發(fā)生6.4級地震事件的影響，臺積電公司半天內(nèi)產(chǎn)出的晶圓制品均告報廢，受到影響的晶圓制品數(shù)量大約是臺積電每天芯片產(chǎn)能的59%。臺積電并稱公司的生產(chǎn)線已經(jīng)恢復(fù)正常工作，而這次地震對臺積電所造成的財政和業(yè)務(wù)影響將“非常有限”。 于此同時，臺積電的對手聯(lián)電公司則在一份聲明中稱公司的財政與業(yè)務(wù)并未受到這次地震的顯著影響;而內(nèi)存芯片廠商華亞，以及計算機廠商華碩公司則均聲明稱未受到此次地震事件的顯著影響。 據(jù)路透社報道，當?shù)貢r間上周六晚9：
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海力士2010年半導(dǎo)體生產(chǎn)開支將增加一倍
- 據(jù)《韓國時報》報道，內(nèi)存芯片廠商海力士半導(dǎo)體計劃在2010年向芯片生產(chǎn)投入大約2.3萬億韓元(約20億美元)，比2009年的資本開支增加一倍。 這項開支有1.5萬億韓元(大約13億美元)用于DRAM內(nèi)存生產(chǎn)，剩余的8000億韓元(約7億美元)用于NAND閃存和邏輯芯片的生產(chǎn)。 這篇報道引述消息靈通人士的話說，海力士看到了1GB DDR3內(nèi)存的需求超過了預(yù)期。這篇報道還預(yù)計海力士在2010年將在全球DRAM市場擴大領(lǐng)先于日本的Elpida公司的優(yōu)勢。
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iSuppli：今年芯片市場將跌12%但好于預(yù)期
- 北京時間11月24日早間消息，據(jù)國外媒體今日報道，市場研究公司iSuppli表示，今年全球芯片業(yè)營收將下跌12%，遠低于之前預(yù)期的20%。 iSuppli高級副總裁德爾·福特(Dale Ford)說，第二季度芯片銷售復(fù)蘇“意味著2009年的情況將好于預(yù)期”。今年芯片業(yè)境況好于預(yù)期的原因是內(nèi)存芯片以及消費電子和無線產(chǎn)品用芯片的強勁表現(xiàn)。 iSuppli預(yù)計，在全球十大芯片廠商中，今年只有三星芯片業(yè)務(wù)營收將出現(xiàn)增長。預(yù)計今年三星芯片業(yè)務(wù)營收將增長1.4%;
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內(nèi)存廠商積極轉(zhuǎn)向新制程，明年芯片生產(chǎn)成本將大幅下降
- 據(jù)臺灣內(nèi)存業(yè)者透露，由于越來越多的內(nèi)存芯片廠商都在積極轉(zhuǎn)向下一代制程技術(shù)，因此這種彼此間的良性制程競賽將令內(nèi)存芯片的生產(chǎn)成本在明年之內(nèi)將出現(xiàn)較大幅度的下降。 目前，韓國三星電子的內(nèi)存芯片產(chǎn)品已經(jīng)有50%比例在采用56nm制程制作，而第四季度，部分DDR3芯片已經(jīng)開始小批導(dǎo)入40nm制程。預(yù)計到明年下半年，40nm制程將成為三星的主力制程，三星也將由此再一次占據(jù)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的地位。 日本爾必達公司則很快會開始啟用其改進版65nm制程，爾必達將這種制程稱為Extra 65nm。并將隨后于明年轉(zhuǎn)移到
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2012年前內(nèi)存芯片廠商的重點將不會放在產(chǎn)能拓展方面
- 據(jù)iSuppli公司分析，由于全球內(nèi)存芯片廠商在2005-2007年間已經(jīng)耗費了大量資本進行設(shè)備投資和產(chǎn)能擴展,因此現(xiàn)有的產(chǎn)能已經(jīng)可以滿足2012年的市場需求，這便意味著在未來兩年之內(nèi)全球內(nèi)存芯片廠商的主要精力將不會放在產(chǎn)能拓展方面。 ”2005-2007年間，內(nèi)存芯片廠商共花費了500億美元的資金來采購新的制造設(shè)備和建設(shè)新的芯片廠，這筆花費已經(jīng)占到同期整個內(nèi)存產(chǎn)業(yè)營收的55%左右。“iSuppli公司的高級內(nèi)存分析師Mike Howard表示：”由于向這
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三星加大半導(dǎo)體制程技術(shù)研發(fā)力度
- 韓國三星公司最近顯著加大了邏輯芯片制造技術(shù)的研發(fā)力度，該公司最近成立了新的半導(dǎo)體研發(fā)中心，該中心將與三星現(xiàn)有的內(nèi)存芯片制程技術(shù)研發(fā)團隊一起合作， 進行新半導(dǎo)體材料，晶體管結(jié)構(gòu)以及高性能低功耗半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)。另一方面，三星旗下的芯片廠除了正在積極準備45nm制程芯片的量產(chǎn)，同時作為IBM技 術(shù)聯(lián)盟的一員，也在積極研發(fā)下一代32nm/28nm制程技術(shù). 三星表示，新研發(fā)中心與現(xiàn)有的內(nèi)存芯片制程技術(shù)研發(fā)團隊的強強組合，將極大推動三星半導(dǎo)體制程技術(shù)的發(fā)展速度，有助于提升三星Hig-K，3D晶體管以及極
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福布斯:亞洲芯片商前景樂觀 下滑趨勢將結(jié)束
- 據(jù)國外媒體報道，數(shù)家亞洲大型芯片廠商財報預(yù)期顯示，本季度有望實現(xiàn)數(shù)年來的首次扭虧為盈，芯片下滑趨勢或?qū)⒔Y(jié)束。 三星電子本月初表示，其季度利潤有望超市場預(yù)期，分析師對其預(yù)期為每股收益1.98萬韓元(約合16.83美元)。 投行Macquarie Group對三星股票評級為“表現(xiàn)突出”(outperform)，將三星目標股價由84萬韓元調(diào)高至90萬韓元。該投行在研究報告中稱，因三星上半年收益強勁，預(yù)計其股價將持續(xù)上漲。周一，三星股價在首爾股票交易所收盤于75.3萬韓元(
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今年第二三季度DRAM內(nèi)存芯片業(yè)強勁復(fù)蘇
- 市場研究公司iSuppli稱，今年第二、三季度DRAM內(nèi)存芯片銷售額和價格環(huán)比增幅創(chuàng)下過去5年來的最高記錄，這表明市場正在復(fù)蘇，這一趨勢將至少持續(xù)到明年。 據(jù)國外媒體報道稱，iSuppli發(fā)布的初步統(tǒng)計數(shù)字顯示，第三季度全球DRAM芯片銷售額環(huán)比增長了35%，第二季度環(huán)比增長了34%。iSuppli分析師邁克·霍華德發(fā)表聲明稱，這些數(shù)字表明DRAM市場確實在復(fù)蘇中，價格的持續(xù)增長是DRAM內(nèi)存芯片走出低迷的又一個跡象。 iSuppli表示，過去兩個季度終結(jié)了DRAM內(nèi)存芯片銷
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北卡羅萊納州立大學(xué)開發(fā)出1TB小型內(nèi)存技術(shù)
- 北卡羅萊納州立大學(xué)的工程師聲稱已經(jīng)開發(fā)出一種比人的指甲還要小的芯片，它可以加大目前DRAM內(nèi)存芯片的容量50倍，理論上可以實現(xiàn)一個指甲大小的芯片寸1TB數(shù)據(jù)。 學(xué)校的材料科學(xué)與工程系教授Jagdish Narayan表示他通過添加鎳、氧化鎂，混合金屬和陶瓷來完成了數(shù)據(jù)存儲容量的改變，新的合金鎳原子占用空間不到10平方納米，最困難的挑戰(zhàn)就是精確的納米點和讀取方式，目前通過使用脈沖層，研究人員就能夠?qū)崿F(xiàn)對過程的控制。 Jagdish Narayan認為，原型產(chǎn)品可在1-2年出現(xiàn)，而且價格并不比
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海力士宣布第二代54nm 1Gb DDR3內(nèi)存芯片
- 據(jù)報道，海力士今天宣布了基于54nm工藝的第二代1Gb DDR3內(nèi)存芯片，新一代1Gb DDR3芯片分為256Mb X 4和128Mb X 8兩種，并將會在本月開始投入量產(chǎn)。 此次宣布的1Gb DDR3芯片仍然沿用前一代芯片的1.5V電壓，但功耗降低了30%，號稱是目前主流1Gb DDR3市場上性能最高的內(nèi)存芯片。根據(jù)iSuppli的統(tǒng)計，1Gb DDR3內(nèi)存芯片的市場份額已經(jīng)達到了87%，更高密度的內(nèi)存芯片將在2011年成為市場上的主流。 根據(jù)海力士的介紹，數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器、超級計算機或
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