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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 內(nèi)存芯片

        金士頓高管:今年2季度內(nèi)存芯片價(jià)格還會(huì)漲!

        •   據(jù)金士頓內(nèi)存公司亞太業(yè)務(wù)分部的副總裁Scott Chen表示,盡管有可導(dǎo)致需求減旺的季節(jié)性因素存在,但今年第二季度市場對內(nèi)存芯片的需求將依然維持較為強(qiáng)勁的勢頭,他還認(rèn)為DDR2/3內(nèi)存芯片的價(jià) 格很有可能在目前的3美元均價(jià)的基礎(chǔ)上再進(jìn)一步提升。   他認(rèn)為微軟Windows7操作系統(tǒng)在消費(fèi)者和企業(yè)電腦系統(tǒng)中的普及程度是導(dǎo)致內(nèi)存需求旺盛的主要原因,他表示從今年年初開始,市場對內(nèi)存的需求便一直保持在較為旺盛的狀態(tài)。他還指出,只要各大內(nèi)存芯片廠商不要盲目擴(kuò)大產(chǎn)能,那么內(nèi)存芯片市場的強(qiáng)勢需求局面將再維持至少
        • 關(guān)鍵字: 金士頓  內(nèi)存芯片  

        未來三年內(nèi)存價(jià)格將持續(xù)攀升

        •   DRAMeXchange傳來噩耗稱內(nèi)存芯片的價(jià)格在未來三年內(nèi)將持續(xù)走高。這家市場分析公司將內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的興衰周期定為3年左右,據(jù)該公司的分析師表示,2001-2003年,內(nèi)存業(yè)者一直處在虧損期,而2004-2006年則恢復(fù)為持續(xù)盈利的狀態(tài),2007-2009年間則再度出現(xiàn)虧損期,因此他們預(yù)計(jì)從2010年開始,在全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)緩和,Windows7日漸流行等因素的影響下,內(nèi)存業(yè)者將再度扭虧為盈,進(jìn)入新的一輪三年盈利期。   不過內(nèi)存業(yè)者仍然面臨另外一個(gè)重要的難題,他們要將制程水品提升到50nm以上級別則一般
        • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  內(nèi)存芯片  

        三星電子預(yù)期上半年芯片業(yè)務(wù)利潤超35億美元

        •   據(jù)國外媒體報(bào)道,韓國三星電子預(yù)期今年其芯片業(yè)務(wù)今年上半年?duì)I運(yùn)利潤將超過4萬億韓元(35億美元)。   三星電子是全球最大的內(nèi)存芯片制造商,據(jù)消息人士透露,此前該公司預(yù)期全年芯片業(yè)務(wù)僅會(huì)產(chǎn)生4.4萬億韓元(約合39億美元)營運(yùn)利潤。三星電子發(fā)言人拒絕就此作出評論。   電腦內(nèi)存芯片價(jià)格走高以及個(gè)人電腦需求的復(fù)蘇共同促進(jìn)了三星公司增長的恢復(fù),該公司日前表示正考慮提高今年在內(nèi)存芯片方面的資本投入。   預(yù)計(jì)三星公司下周將公布其第一季度收入預(yù)期。   周二收盤時(shí),三星公司股價(jià)報(bào)81.4萬韓元(約合72
        • 關(guān)鍵字: 三星  內(nèi)存芯片  

        DRAMeXchange:未來三年內(nèi)存價(jià)格將持續(xù)攀升

        •   DRAMeXchange傳來噩耗稱內(nèi)存芯片的價(jià)格在未來三年內(nèi)將持續(xù)走高。這家市場分析公司將內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的興衰周期定為3年左右,據(jù)該公司的分析師表 示,2001-2003年,內(nèi)存業(yè)者一直處在虧損期,而2004-2006年則恢復(fù)為持續(xù)盈利的狀態(tài),2007-2009年間則再度出現(xiàn)虧損期,因此他們 預(yù)計(jì)從2010年開始,在全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)緩和,Windows7日漸流行等因素的影響下,內(nèi)存業(yè)者將再度扭虧為盈,進(jìn)入新的一輪三年盈利期。   不過內(nèi)存業(yè)者仍然面臨另外一個(gè)重要的難題,他們要將制程水品提升到50nm以上級別則
        • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存芯片  光刻  

        鎂光表示年內(nèi)沒有提升內(nèi)存芯片產(chǎn)能的計(jì)劃 將專注于制程提升

        •   繼三星,力晶等內(nèi)存芯片大廠對內(nèi)存芯片產(chǎn)能提升事宜公開發(fā)表意見之后,鎂光公司近日也表態(tài)稱他們今年沒有提升內(nèi)存芯片產(chǎn)能的計(jì)劃,鎂光表示他們將專注與縮 減內(nèi)存芯片的制程尺寸,以便提升自己的產(chǎn)品競爭力。不久前,三星公司芯片部門的首腦人物Oh-Hyun Kwon同樣曾公開表態(tài)稱內(nèi)存芯片業(yè)者不應(yīng)盲目表態(tài)將增加內(nèi)存芯片的產(chǎn)量,而是應(yīng)當(dāng)把注意力放在提升產(chǎn)品制程工藝方面。而力晶公司主席Frank Huang也呼吁內(nèi)存業(yè)者提升芯片產(chǎn)能時(shí)要非常謹(jǐn)慎,以避免犯下和過去一樣的錯(cuò)誤。   2005年,全球多家內(nèi)存芯片廠為了擴(kuò)增
        • 關(guān)鍵字: 鎂光  內(nèi)存芯片  

        東芝重啟產(chǎn)能擴(kuò)展計(jì)劃 新閃存生產(chǎn)廠7月開工

        •   日本最大的內(nèi)存芯片廠商東芝將重啟因經(jīng)濟(jì)衰退而擱置的產(chǎn)能擴(kuò)展計(jì)劃,它將從7月開始建設(shè)新的閃存生產(chǎn)廠。   東芝表示,新生產(chǎn)廠位于日本中部四日市,是公司第五條生產(chǎn)線,預(yù)計(jì)在2011年春季完建。東芝沒有透露該生產(chǎn)廠的建設(shè)成本。   包括蘋果iPhone在內(nèi)的智能手機(jī)銷售的增長,推動(dòng)了NAND內(nèi)存需求的增長。據(jù)市場調(diào)研公司 iSuppli預(yù)計(jì),NAND閃存市場今年的總收入將增長34%達(dá)到181億美元。   東芝發(fā)言人Hiroki Yamazaki稱,雖然東芝尚未決定四日市芯片生產(chǎn)廠的投資規(guī)模,但是建立新
        • 關(guān)鍵字: 東芝  內(nèi)存芯片  NAND  

        美光表示年內(nèi)沒有提升內(nèi)存芯片產(chǎn)能的計(jì)劃 將專注于制程提升

        •   繼三星,力晶等內(nèi)存芯片大廠對內(nèi)存芯片產(chǎn)能提升事宜公開發(fā)表意見之后,美光公司近日也表態(tài)稱他們今年沒有提升內(nèi)存芯片產(chǎn)能的計(jì)劃,美光表示他們將專注與縮 減內(nèi)存芯片的制程尺寸,以便提升自己的產(chǎn)品競爭力。不久前,三星公司芯片部門的首腦人物Oh-Hyun Kwon同樣曾公開表態(tài)稱內(nèi)存芯片業(yè)者不應(yīng)盲目表態(tài)將增加內(nèi)存芯片的產(chǎn)量,而是應(yīng)當(dāng)把注意力放在提升產(chǎn)品制程工藝方面。而力晶公司主席Frank Huang也呼吁內(nèi)存業(yè)者提升芯片產(chǎn)能時(shí)要非常謹(jǐn)慎,以避免犯下和過去一樣的錯(cuò)誤。   2005年,全球多家內(nèi)存芯片廠為了擴(kuò)增
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        壞消息:DDR2/DDR3芯片價(jià)格仍保持漲勢

        •   1Gb DDR2/DDR3內(nèi)存芯片的現(xiàn)貨價(jià)格最近雙雙上漲到了接近3美元的價(jià)位,顯示目前內(nèi)存芯片市場仍處于供不應(yīng)求的緊張局面。據(jù)消息來源表示,造成這種局面 的原因主要是內(nèi)存芯片廠商目前都在實(shí)施轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3芯片的動(dòng)作;另外一方面,由于PC廠商事先預(yù)計(jì)到了這種狀況,因此這些廠商事先都采取了較大量訂貨的策 略,而這則進(jìn)一步加劇了這種危機(jī)。   據(jù)DRAMeXchange統(tǒng)計(jì),3月18日,打標(biāo)和eTT(即經(jīng)過芯片廠商完全測試,但沒有打上原廠激光標(biāo)記的芯片)1Gb DDR2芯片的價(jià)格分別上升了3.97%和4.3
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        iSuppli預(yù)計(jì)今年全球DRAM內(nèi)存芯片市場將增40%

        •   2月24日消息,市場研究公司iSuppli預(yù)計(jì),今年全球DRAM內(nèi)存芯片市場增幅將超過40%,也是3年來的首次增長。   據(jù)國外媒體報(bào)道稱,iSuppli表示,今年全球DRAM內(nèi)存芯片銷售額將增長至319億美元,2009年、2008年和2007年DRAM內(nèi)存芯片銷售額分別下滑了3.7%、25.1%和7.5%。   iSuppli分析師邁克·霍華德當(dāng)?shù)貢r(shí)間上周四說,“今年DRAM內(nèi)存市場將繼續(xù)去年第四季度的增長趨勢,增長40%。”   推動(dòng)去年第四季度DRAM
        • 關(guān)鍵字: DRAM  內(nèi)存芯片  

        力晶將重啟在徐州地區(qū)建造8英寸內(nèi)存芯片廠的計(jì)劃

        •   據(jù)臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》報(bào)道,臺(tái)系內(nèi)存廠商力晶公司決定重啟其在大陸徐州建造8英寸內(nèi)存芯片廠的計(jì)劃,報(bào)道稱力晶公司計(jì)劃向這間新廠房投資2.93億美元,并 將與當(dāng)?shù)卣块T和大陸當(dāng)?shù)仄髽I(yè)合作經(jīng)營這間芯片廠。   與臺(tái)積電以及茂德公司類似,力晶公司目前已經(jīng)獲得了臺(tái)灣當(dāng)局的許可,可以在大陸地區(qū)建造8英寸0.18微米及以下級別制程的芯片廠,不過目前為止三家公司中僅有力晶仍未付諸實(shí)際行動(dòng)。
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        鎂光南亞合作開發(fā)出42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片

        •   鎂光公司與其合作伙伴南亞公司最近公開展示了其合作開發(fā)的42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品,雙方并宣稱下一代30nm制程級別的同類產(chǎn)品已經(jīng)在鎂光設(shè)在Boise的研發(fā)中心開始研制。       兩家廠商預(yù)計(jì)將于今年第二季度開始42nm 2Gb DDR3內(nèi)存芯片的試樣生產(chǎn),并將于今年下半年開始量產(chǎn)這種產(chǎn)品。   兩家廠商宣稱其42nm制程DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品的工作電壓僅1.35V左右,比前代產(chǎn)品的1.5V工作電壓低了不少,可節(jié)省30%電能。   這款42nm 2Gb
        • 關(guān)鍵字: 鎂光  內(nèi)存芯片  DDR3  

        傳歐盟將起訴三星等內(nèi)存芯片廠商操縱價(jià)格

        •   消息人士透露,歐盟監(jiān)管機(jī)構(gòu)計(jì)劃對三星電子、英飛凌、海力士等十家內(nèi)存芯片廠商提供訴訟,指責(zé)這些廠商操控價(jià)格,違背歐盟反壟斷法規(guī)。   消息人士稱,歐盟委員會(huì)的指控有可能在本周或下周做出。三星電子和海力士分別是全球最大和第二大的內(nèi)存芯片廠商。歐盟將起訴的公司還包括美光、爾必達(dá)、NEC電子、日立、東芝、三菱電機(jī)和南亞科技。   去年12月份英飛凌就曾透露,歐盟反壟斷機(jī)構(gòu)從2009年2月就開始對英飛凌進(jìn)行正式調(diào)查,懷疑英飛凌在歐洲D(zhuǎn)RAM產(chǎn)品市場存在反競爭行為。DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)芯片被廣泛應(yīng)用
        • 關(guān)鍵字: 三星電子  內(nèi)存芯片  

        臺(tái)內(nèi)存芯片廠商制程轉(zhuǎn)換計(jì)劃傳因設(shè)備交貨期拖延而更變

        •   據(jù)內(nèi)存業(yè)者透露,由于沉浸式光刻設(shè)備的交貨日程有所延長,因此南亞,華亞(南亞與鎂光的合資廠)兩家內(nèi)存芯片制造商今年轉(zhuǎn)向50nm級別制程節(jié)點(diǎn)的計(jì)劃有 可能會(huì)后延.而另一家臺(tái)系內(nèi)存芯片廠商瑞晶(力晶與爾必達(dá)的合資廠)計(jì)劃于今年二月份開始的光刻設(shè)備導(dǎo)入計(jì)劃也有可能會(huì)后延兩個(gè)月左右的時(shí)間。   而南亞和華亞則澄清稱其購買的沉浸式光刻設(shè)備將以分期到貨的形式進(jìn)場,并宣稱此前進(jìn)場的設(shè)備已經(jīng)按原計(jì)劃完成了進(jìn)貨。   按南亞和華亞的計(jì)劃,他們將于年底前完成向鎂光50nm制程技術(shù)的轉(zhuǎn)換工作,并將于下半年開始試產(chǎn)40nm
        • 關(guān)鍵字: 華亞  光刻設(shè)備  內(nèi)存芯片  

        三星將加大內(nèi)存芯片資本支出并建新生產(chǎn)線

        •   據(jù)韓國媒體報(bào)道,全球最大內(nèi)存芯片生產(chǎn)商三星電子今年可能加大對內(nèi)存芯片的投資,并建立一條新生產(chǎn)線。   報(bào)道援引不具名業(yè)內(nèi)人士的話稱,三星電子今年半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的資本支出約為7兆(萬億)韓元(61億美元)。   三星10月曾表示,今年計(jì)劃在內(nèi)存芯片上支出5.5萬億韓元,占半導(dǎo)體業(yè)務(wù)資本支出的大部分。   報(bào)道稱,三星還計(jì)劃在國內(nèi)工廠建立一條新的芯片生產(chǎn)線,這將是該公司多年來首次增設(shè)新生產(chǎn)線。   三星發(fā)言人拒絕就2010年投資計(jì)劃置評,并稱尚未決定是否新增生產(chǎn)線。三星在1月29日公布季報(bào)時(shí),預(yù)計(jì)將就
        • 關(guān)鍵字: 三星電子  內(nèi)存芯片  

        南亞科增加今年支出預(yù)算 計(jì)劃提升芯片產(chǎn)能

        •   據(jù)透露,臺(tái)灣內(nèi)存芯片廠商南亞計(jì)劃增加2010年的資本支出預(yù)算,將其由原計(jì)劃的190億新臺(tái)幣提升到200億新臺(tái)幣(6.27億美元),據(jù)悉這筆增加的 預(yù)算將用于改進(jìn)制程和擴(kuò)展產(chǎn)能之用。南亞計(jì)劃將其12英寸廠產(chǎn)能由目前的每月3萬片提升到5-6萬片。如果將其合資公司華亞(由鎂光和南亞合資成立)的產(chǎn)能計(jì)算在內(nèi),那么南亞12英寸總產(chǎn)能將達(dá)到每月11.5-12.5萬片,這個(gè)數(shù)字已達(dá)到了全球內(nèi)存芯片廠總產(chǎn)能的10%左右。   目前華亞12英寸廠的產(chǎn)能有一半是向南亞供貨,另一半則為鎂光公司供貨,這家合資公司的月產(chǎn)能大
        • 關(guān)鍵字: 南亞科  內(nèi)存芯片  50nm  
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        內(nèi)存芯片介紹

          簡單地說:內(nèi)存之所以能存儲(chǔ)資料,就是因?yàn)橛辛诉@些芯片!   根據(jù)品牌的不同,所采用的芯片亦有所區(qū)別,具體的識(shí)別辦法是:   具體含義解釋:   例:SAMSUNG K4H280838B-TCB0   主要含義:   第1位——芯片功能K,代表是內(nèi)存芯片。   第2位——芯片類型4,代表DRAM。   第3位——芯片的更進(jìn)一步的類型說明,S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGR [ 查看詳細(xì) ]

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