據(jù)臺(tái)灣內(nèi)存業(yè)者透露，由于越來(lái)越多的內(nèi)存芯片廠商都在積極轉(zhuǎn)向下一代制程技術(shù)，因此這種彼此間的良性制程競(jìng)賽將令內(nèi)存芯片的生產(chǎn)成本在明年之內(nèi)將出現(xiàn)較大幅度的下降。

　　目前，韓國(guó)三星電子的內(nèi)存芯片產(chǎn)品已經(jīng)有50%比例在采用56nm制程制作，而第四季度，部分DDR3芯片已經(jīng)開始小批導(dǎo)入40nm制程。預(yù)計(jì)到明年下半年，40nm制程將成為三星的主力制程，三星也將由此再一次占據(jù)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的地位。

　　日本爾必達(dá)公司則很快會(huì)開始啟用其改進(jìn)版65nm制程，爾必達(dá)將這種制程稱為Extra 65nm。并將隨后于明年轉(zhuǎn)移到40nm級(jí)別制程，爾必達(dá)目前的內(nèi)存芯片產(chǎn)品采用的是一種65nm縮微版制程，這種制程相比傳統(tǒng)的65nm制程能在300mm晶圓上多產(chǎn)出20%的內(nèi)存芯片。

　　另外，臺(tái)系的南亞和華亞目前則在使用鎂光的50nm制程進(jìn)行部分芯片的生產(chǎn)，這使這兩家廠商在本土占據(jù)制程領(lǐng)先地位。兩家公司曾稱明年一季度將啟用這種50nm制程開始批量生產(chǎn)。

　　此前曾有一份iSuppli的報(bào)告暗示稱目前全球各大內(nèi)存芯片廠商的產(chǎn)能已經(jīng)足以滿足2012年以前的市場(chǎng)需求，因此內(nèi)存廠商近幾年將不會(huì)把主要的精力放在產(chǎn)能拓展方面，而會(huì)主要專注于提升制程技術(shù)方面。