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新能源汽車(chē)成為大功率IGBT的主要驅(qū)動(dòng)力

- 據(jù)Yole Developpement市場(chǎng)調(diào)查公司2013年報(bào)告,2014年IGBT市場(chǎng)總值將達(dá)到43億美元,比2013年的39億美元多出4億美元。而從2011年~2018年可見(jiàn),主要驅(qū)動(dòng)力是電動(dòng)汽車(chē)/混合動(dòng)力(EV/HEV)汽車(chē)(下圖草綠色部分)?! 】煽啃猿蔀楣β孰娏﹄娮悠骷年P(guān)鍵指標(biāo) EV/HEV汽車(chē)用IGBT等大功率的電力電子器件不僅對(duì)性能指標(biāo)要求高,目前電流已達(dá)600安培左右,同時(shí)對(duì)可靠性的要求更為嚴(yán)苛,例如汽車(chē)應(yīng)用的期望壽命需要二三十年,需上萬(wàn)次甚至百萬(wàn)次的功率循環(huán)要求,而且需要在不同的
- 關(guān)鍵字: IGBT Mentor MicReD
Mentor推出1500A功率循環(huán)測(cè)試設(shè)備

- 聚焦可靠性 IGBT等大功率的電力電子器件通常需要大電流,例如地鐵需要800A,新能源汽車(chē)需要600A,風(fēng)能需要1500A及以上。同時(shí)電力電子器件的可靠性非常關(guān)鍵,例如機(jī)車(chē)牽引的期望壽命超過(guò)三十年,功率器件通常需上萬(wàn)次甚至百萬(wàn)次的功率循環(huán)要求,對(duì)新型IGBT等電力電子器件的可靠性提出了巨大的挑戰(zhàn)?! 」β恃h(huán)和熱量導(dǎo)致與熱相關(guān)的器件老化降級(jí),容易導(dǎo)致焊線(xiàn)老化降級(jí),金屬層錯(cuò)位,焊接失效,硅芯片和基板的分層等問(wèn)題。因此需要精密的實(shí)驗(yàn)設(shè)備對(duì)電力電子器件的可靠性進(jìn)行評(píng)估?! 鹘y(tǒng)的功率循環(huán)測(cè)試和失效分析有諸
- 關(guān)鍵字: MicReD IGBT 功率循環(huán)測(cè)試
安森美半導(dǎo)體看好中國(guó)汽車(chē)市場(chǎng)

- 中國(guó)已成為全球最大的汽車(chē)生產(chǎn)國(guó)和消費(fèi)市場(chǎng),2013年中國(guó)整體汽車(chē)銷(xiāo)量增長(zhǎng)14%至2,200萬(wàn)輛,其中乘用車(chē)銷(xiāo)售約1,800萬(wàn)輛(份額80%),商用車(chē)約400萬(wàn)輛(份額20%);2014年整體銷(xiāo)量可達(dá)2,300萬(wàn)輛,乘用車(chē)銷(xiāo)量較2012年增長(zhǎng)16%。汽車(chē)大趨勢(shì)正在推動(dòng)半導(dǎo)體成分的升高:IHS公司預(yù)測(cè),由于汽車(chē)安全與導(dǎo)航等系統(tǒng)的不斷采用,中國(guó)汽車(chē)半導(dǎo)體市場(chǎng)將在2014年增長(zhǎng)11%,達(dá)到46億美元。而在未來(lái)三年會(huì)延續(xù)增長(zhǎng)勢(shì)頭,到2017年,中國(guó)汽車(chē)芯片市場(chǎng)將達(dá)到62億美元。 面對(duì)巨大的需求,半導(dǎo)體廠(chǎng)商
- 關(guān)鍵字: 安森美 汽車(chē)半導(dǎo)體 IGBT
淺談CPLD在IGBT驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

- 隨著國(guó)民經(jīng)濟(jì)的不斷發(fā)展,變頻調(diào)速裝置的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。如何打破國(guó)外產(chǎn)品的壟斷,已成為一個(gè)嚴(yán)肅的課題擺在我國(guó)工程技術(shù)人員的面前。 在某型號(hào)大功率變頻調(diào)速裝置中,由于裝置的尺寸較大,考慮到結(jié)構(gòu)和散熱的條件,主控板上DSP產(chǎn)生的PWM信號(hào)需經(jīng)過(guò)較長(zhǎng)的距離才能送到IGBT逆變單元中。為保證PWM信號(hào)傳輸?shù)臏?zhǔn)確性和可靠性,必須解決以下幾個(gè)問(wèn)題:首先是抗干擾問(wèn)題,變頻器工作時(shí),IGBT的開(kāi)關(guān)動(dòng)作會(huì)產(chǎn)生高頻干擾信號(hào);其次是如何保證PWM信號(hào)的前、后沿質(zhì)量,減少I(mǎi)GBT開(kāi)關(guān)動(dòng)作的過(guò)渡過(guò)程;最后是如何減少布線(xiàn)電感,盡可能
- 關(guān)鍵字: CPLD IGBT
Vishay發(fā)布寬體IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器

- 日前,Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布,推出用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能逆變器、新能源和焊接設(shè)備,以及其他高工作電壓應(yīng)用的新款I(lǐng)GBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器VOW3120-X017T,擴(kuò)充其光電子產(chǎn)品組合。VOW3120-X017T的最短電氣間隙和外爬電距離為10mm。該器件不僅具有長(zhǎng)隔離距離,還具有1414V的VIORM和8000V的VIOTM高隔離電壓,非常適合在高工作電壓下運(yùn)轉(zhuǎn)的應(yīng)用及污染程度較重的環(huán)境?! 〕司哂袃?yōu)異的隔離能力,使用可靠和久經(jīng)考驗(yàn)的光電子
- 關(guān)鍵字: Vishay IGBT MOSFET VOW3120
英飛凌加入中國(guó)國(guó)際電動(dòng)汽車(chē)示范城市伙伴組織,助力本土產(chǎn)業(yè)發(fā)展
- 英飛凌科技(中國(guó))有限公司宣布正式加入“中國(guó)(上海)國(guó)際電動(dòng)汽車(chē)示范城市伙伴組織”,該組織成員包括致力于推廣電動(dòng)車(chē)產(chǎn)業(yè)的上下游企業(yè)。作為全球領(lǐng)先的汽車(chē)電子供應(yīng)商,英飛凌是首家加入的半導(dǎo)體科技公司。英飛凌將依托?“伙伴組織”框架機(jī)構(gòu),加強(qiáng)與“伙伴組織”成員及其他伙伴企業(yè)的交流與合作,助力推進(jìn)電動(dòng)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展?! ∽鳛槿蜃畲蟮腎GBT芯片及模塊供應(yīng)商,英飛凌可以為電動(dòng)汽車(chē)的主要核心電子電器模塊提供完整的解決方案,包括電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理、高壓輔助系統(tǒng)如DC/DC、車(chē)載充電器以及整車(chē)控制器。大量
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 IGBT IGBT 半導(dǎo)體
IR推出堅(jiān)固可靠的超高速1400V IGBT

- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商?–?國(guó)際整流器公司?(International?Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR)?宣布推出堅(jiān)固可靠的超高速1400V溝道絕緣柵雙極晶體管?(IGBT)?IRG7PK35UD1PbF,新器件為電磁爐和微波爐等軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用作出了優(yōu)化。 IRG7PK35UD1PbF與超低正向電壓二極管共同封裝,由于使用IR?的Gen7?薄晶圓溝道技術(shù),可提供極低VCE(ON)?和超高速開(kāi)關(guān),
- 關(guān)鍵字: IR IRG7PK35UD1PbF IGBT 1400V
基于散熱器設(shè)計(jì)的大功率IGBT散熱器水冷熱阻計(jì)算
- 為了優(yōu)化水冷散熱器散熱能力,保障其可靠工作,引用了傳熱學(xué)中的基本原理與公式,以散熱器外形的機(jī)械尺寸、水的強(qiáng)...
- 關(guān)鍵字: 散熱器設(shè)計(jì) 大功率 IGBT
基于IGBT的固態(tài)脈沖調(diào)制器設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
- 在雷達(dá)發(fā)射機(jī)脈沖調(diào)制器中,廣泛采用的是電真空管作為開(kāi)關(guān)管。這種結(jié)構(gòu)的脈沖調(diào)制器具有配套技術(shù)復(fù)雜、造價(jià)高...
- 關(guān)鍵字: IGBT 固態(tài)脈沖 調(diào)制器設(shè)計(jì)
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