耶魯大學(xué)的研究人員和Semiconductor Research Corp (SRC)稱利用鐵電材料制作存儲器來代替DRAM和閃存非常合適。目前DRAM技術(shù)必須每幾個(gè)毫秒就刷新一下，而鐵電存儲器可以持續(xù)幾分鐘而無需刷新。

　　耶魯大學(xué)和SRC的研究人員制成了一種用于FeDRAM的鐵電晶體管實(shí)驗(yàn)樣品，該FeDRAM保存信息的時(shí)間比DRAM長1000倍，而功耗僅為DRAM的1/20，而且尺寸可以縮至ITRS上的最先進(jìn)節(jié)點(diǎn)。

　　“我們的存儲器的速度至少和DRAM一樣快，但尺寸和閃存一樣小，且更易微縮。”耶魯大學(xué)教授Tso-Ping Ma說道，“閃存在25nm節(jié)點(diǎn)會遇到障礙，但FeDRAM可隨CMOS工藝一同微縮至10nm以下。”