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        DRAM替代品現(xiàn)身 軟性憶阻器開啟內(nèi)存科技新大門

        作者: 時間:2009-06-10 來源:中國軟件資訊網(wǎng) 收藏

          據(jù)港臺媒體報道,美國國家標(biāo)準(zhǔn)和技術(shù)研究院 (U.S. National Institute of Standards and Technology;NIST) 目前正在進(jìn)行 (Flexible memristor) 的開發(fā)研究,希望能為科技打開新的大門。這項技術(shù)雖然相當(dāng)創(chuàng)新,但其實(shí)去年已經(jīng)先由對外展示它靈活的形式,讓外界為之驚艷。

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/95129.htm

          根據(jù)《CENT》報導(dǎo),NIST 表示目前憶阻器 (memristor) 是以防曬乳與牙膏的原料─二氧化鈦制造而成,是種輕薄又靈活的透明聚合物。NIST 研究團(tuán)隊表示,這項新開發(fā)的憶阻器能在不到 10 伏特的電流下運(yùn)作,即使電力被切斷也可維持記憶能力,還能在伸縮逾 4000次的情況下,仍能有效運(yùn)作。

          Nist 研究員 Nadine Gergel-Hackett 在一份聲明中指出:“我們希望能在電子產(chǎn)品被廣泛運(yùn)用的當(dāng)下,創(chuàng)造一種軟性且靈活的組件,進(jìn)一步推動軟性電子產(chǎn)品的發(fā)展和計量學(xué)”。

          現(xiàn)在,NIST 的研究小組用一種相當(dāng)便宜的技術(shù)就能制造出憶阻器,他們透過二氧化鈦在旋轉(zhuǎn)時“溶膠凝膠法”的液態(tài)形式,把它擺放在透明的薄片上,然后讓聚合物在室溫下變干。研究人員在一份報告中指出,這樣制造出來的憶組體能保持非揮發(fā)性長達(dá) 14 天。

          Nadine Gergel-Hackett 更指出:“由于憶阻器能夠從液體中被制出,未來具有很大的發(fā)展?jié)摿?,說不定未來憶阻體的制造過程能變得簡單又便宜,就像我們目前把它印在透明的幻燈片上的做法一樣。”

          有關(guān)憶阻器的假設(shè)其實(shí)早在 70 年代就已經(jīng)被學(xué)者提出,但一直到 2008 年才由的研究人員真正證明它的存在。由于憶阻體在沒有電流通過下,還能記憶先前通過的電量,民眾未來就不必?fù)?dān)心計算機(jī)因?yàn)橹匦麻_機(jī)而喪失數(shù)據(jù)。這項技術(shù)也進(jìn)一步提升芯片性能,更能讓芯片體積變得更加輕巧,甚至取代現(xiàn)今所使用的動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 ()。

          NIST 也強(qiáng)調(diào),憶阻器能夠?yàn)樾酒瑤砀喟l(fā)展空間,不僅適用各項科技發(fā)領(lǐng)域,甚至可用于監(jiān)測血糖和心跳的醫(yī)療用途等。



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