當(dāng)反相器輸出電壓v_O由低向高過(guò)渡時(shí) ，電路由V_CC通過(guò)R_c對(duì)C_L充電。
　　當(dāng)v_O由高向低過(guò)渡時(shí)，C_L又將通過(guò)BJT放電。
　　這樣，C_L的充、放電過(guò)程均需經(jīng)歷一定的時(shí)間，這必然會(huì)增加輸出電壓v_O波形的上升時(shí)間和下降時(shí)間。特別是C_L充電回路的時(shí)間常數(shù)R_cC_L較大時(shí)，v_O上升較慢，即增加了上升時(shí)間。
　　基于器件內(nèi)部和負(fù)載電容的影響 ，導(dǎo)致基本BJT反相器的開(kāi)關(guān)速度不高。
　　尋求更為實(shí)用的TTL電路結(jié)構(gòu)，是下面所要討論的問(wèn)題。