中國功率芯片開發(fā)商泰克天潤（Global Power Technology） 在碳化硅 （SiC） 功率技術(shù)專利申請排名中面臨東芝的挑戰(zhàn)。

法國分析機(jī)構(gòu) KnowMade 的最新數(shù)據(jù)顯示，2025 年第一季度全球申請了 840 多個(gè)新專利族。本季度的專利申請活動(dòng)以東芝在 SiC 功率器件專利領(lǐng)域的加速發(fā)展為標(biāo)志，以匹配 Global Power Technology的專利數(shù)量。

這家中國公司在過去四個(gè)季度一直是排名靠前的專利申請人，幾乎完全專注于 SiC MOSFET 結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)。

第一季度授予了 420 多個(gè)專利族，其中有五家日本公司——電裝/豐田、富士電機(jī)、住友電工、三菱電機(jī)和東芝——以及 GPT。所有這些都為電動(dòng)汽車應(yīng)用提供設(shè)備，凸顯了技術(shù)的潛在轉(zhuǎn)變。同樣，日產(chǎn)-雷諾聯(lián)盟申請了一項(xiàng)專利，旨在提高溝槽式 SiC MOSFET 的柵極可靠性，在柵極溝槽下方具有電場弛豫區(qū)域。

與此同時(shí)，本季度有 120 多項(xiàng)專利到期或被放棄，其中近 20% 來自目前面臨破產(chǎn)的 Wolfspeed。

Microchip Technology 已恢復(fù)其在 SiC 功率器件專利領(lǐng)域的專利申請活動(dòng)，披露了三項(xiàng)與具有硅通道的混合 SiC MOSFET 相關(guān)的發(fā)明，以提供更高的載流子遷移率和開關(guān)損耗、功率密度、

本季度還見證了約 40 項(xiàng)專利轉(zhuǎn)讓，在 1 月份被安森美 （onsemi） 收購后，Qorvo 將幾項(xiàng)專利重新轉(zhuǎn)讓給了聯(lián)合碳化硅公司 （United Silicon Carbide）。本季度還有 15 家新公司，其中大部分來自中國。

SICC 仍然是 SiC 襯底專利領(lǐng)域最多產(chǎn)的專利申請人之一，并且仍然是為數(shù)不多的為中國境外創(chuàng)新尋求專利保護(hù)的中國公司之一。其最近的 PCT 應(yīng)用旨在通過減少殘余內(nèi)應(yīng)力和在大直徑 200mm 晶圓上實(shí)現(xiàn)更均勻的應(yīng)力分布來提高晶體質(zhì)量。

與此同時(shí)，普渡大學(xué)推出了一種基于 SiC MOS 的功率器件，具有超短通道長度，可實(shí)現(xiàn)超低的比導(dǎo)通電阻。

我們的 2025 年第一季度報(bào)告深入探討下一代 SiC 器件，重點(diǎn)介紹了針對 SiC 超結(jié)結(jié)構(gòu)（Rohm、Toshiba）、SiC JFET （Onsemi） 和 SiC IGBT（Hitachi、GlobalFoundries、Rohm、Toshiba）發(fā)布新專利申請的公司。

在新公布的專利申請中，日立考慮將半絕緣 SiC 襯底用于 10kV 以上的中壓 （MV） 應(yīng)用，以降低相應(yīng) SiC 器件的制造成本，無論是 PiN 二極管還是 IGBT。

奧爾堡大學(xué)的一項(xiàng)新專利出版物也考慮了將設(shè)備集成到中壓 15kV 功率模塊中，旨在減少高壓和接地焊盤之間溝槽中的最大電場。

封裝也是一個(gè)關(guān)鍵的創(chuàng)新領(lǐng)域，安森美已經(jīng)申請了倒裝芯片和預(yù)成型夾片功率模塊的專利，日立的高溫下具有高鍵合可靠性的芯片貼裝專利，以及賽米控丹佛斯的低電感布局的三電平功率模塊的專利。