Infineon Technologies 開發(fā)了用于固態(tài)保護和配電設計的新型碳化硅 JFET 系列。這是繼 2012 年推出的 1200V 4mΩ SiC JFET 系列之后的又一產品。

JFET 通過反向偏置 PN 結上的電場來控制電導率，而不是 MOSFET 中使用的絕緣層上的橫向電場。

G1“第一代”CoolSiC JFET 具有 1.5 mΩ （750 V BDss） 和 2.3 mΩ （1200 V BDss） 的超低 R DS（ON），可顯著降低導通損耗。大體通道優(yōu)化的 SiC JFET 在短路和雪崩故障條件下提供高穩(wěn)健性。

在熱應力、過載和故障條件下可預測的開關行為可在連續(xù)運行中提供最大的長期可靠性。

CoolSiC JFET 最大限度地減少了導通損耗，提高了固體關斷能力，并提供了高穩(wěn)健性。強大的短路能力、線性模式下的熱穩(wěn)定性和精確的過壓控制可實現(xiàn)可靠和高效的系統(tǒng)性能。

這可用于廣泛的工業(yè)和汽車應用，包括固態(tài)斷路器 （SSCB）、AI 數(shù)據(jù)中心熱插拔、電子保險絲、電機軟啟動器、工業(yè)安全繼電器和汽車電池斷路開關。

“憑借 CoolSiC JFET，我們滿足了對更智能、更快速、更強大的配電系統(tǒng)日益增長的需求，”英飛凌科技綠色工業(yè)電源部門總裁 Peter Waver 博士說。“這種應用驅動的功率半導體技術經過專門設計，旨在為我們的客戶提供解決這個快速發(fā)展的領域中復雜挑戰(zhàn)所需的工具。我們很自豪地推出實現(xiàn)一流 R DS（ON） 的器件，為 SiC 性能樹立了新標準，并再次肯定了英飛凌在寬帶隙技術領域的領導地位。

這些器件使用 Q-DPAK 頂部冷卻封裝，可輕松并聯(lián)和擴展電流處理，從而實現(xiàn)具有靈活布局和集成選項的緊湊型高功率系統(tǒng)。英飛凌 .XT 互連技術采用擴散焊接技術，可應對惡劣應用環(huán)境的熱和機械挑戰(zhàn)。這顯著提高了工業(yè)電力系統(tǒng)典型的脈沖和循環(huán)負載下的瞬態(tài)熱阻和穩(wěn)健性。

CoolSiC JFET 系列的工程樣品將于 2025 年晚些時候提供，并于 2026 年開始量產。產品組合將進一步擴展，提供各種封裝和模塊。