SK海力士于26日宣布，將量產(chǎn)全球首款128層的1Tb（Terabit） TLC 4D NAND閃存，并計(jì)劃下半年開(kāi)始銷(xiāo)售。

這是SK海力士去年10月發(fā)表96層4D NAND后，時(shí)隔8個(gè)月再次發(fā)表新產(chǎn)品。據(jù)韓媒《朝鮮日?qǐng)?bào)》報(bào)導(dǎo)，SK海力士為使用TLC設(shè)計(jì)（每個(gè)Cell單元上安裝3bit）開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品，應(yīng)用垂直蝕刻、多層薄膜顆粒形成、低電力回路設(shè)計(jì)等技術(shù)，制造出堆棧3600億以上NAND顆粒、128層的1Tb產(chǎn)品，不僅達(dá)到業(yè)界最高堆棧數(shù)，也超越三星電子量產(chǎn)的90層NAND。

雖然先前已有96層QLC 1Tb規(guī)格的產(chǎn)品，但TLC的性能、處理速度皆?xún)?yōu)于QLC，在NAND市場(chǎng)中，TLC產(chǎn)品市占率更達(dá)85％。因此SK海力士首次以TLC技術(shù)開(kāi)發(fā)出高容量NAND，備受外界關(guān)注。

特別的是，雖然該產(chǎn)品將原本96層NAND產(chǎn)品增加32層，制程手續(xù)卻減少5％，加上128層4D NAND的每硅片位元生產(chǎn)率比96層4D NAND高4成，即使不使用PUC技術(shù)（外圍電路），128層4D NAND的位元生產(chǎn)率仍然能提高15％以上。SK海力士對(duì)此說(shuō)明，通過(guò)此方式能節(jié)省轉(zhuǎn)換新制程的花費(fèi)，和上一代轉(zhuǎn)換投資費(fèi)用相比，約能減少6成。《朝鮮日?qǐng)?bào)》指出，這是SK海力士活用去年10月開(kāi)發(fā)的4D NAND工藝平臺(tái)，并優(yōu)化制程的成果。

SK海力士計(jì)劃下半年開(kāi)始銷(xiāo)售128層4D NAND閃存。SK海力士相關(guān)人士表示，該產(chǎn)品即使在低電壓（1.2V）環(huán)境，也能達(dá)到1400Mbps數(shù)據(jù)傳輸速度，適合應(yīng)用在高性能、低耗電的移動(dòng)解決方案，以及企業(yè)用SSD（固態(tài)硬盤(pán)）中。