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國產(chǎn)128層QLC閃存問世 武漢基地二期開工
- 4年前的2016年，國家在武漢建設(shè)了國家存儲器基地項目一期，不僅量產(chǎn)了64層閃存，今年初還研發(fā)成功128層QLC閃存。昨天國家存儲器基地項目二期也在武漢東湖高新區(qū)未來科技城正式啟動，整個項目投資高達(dá)240億美元，約合1697億元。在開工儀式上，紫光集團(tuán)、長江存儲董事長趙偉國介紹了項目有關(guān)情況。他表示，國家存儲器基地項目一期開工建設(shè)以來，從一片荒蕪之地變成了一座世界領(lǐng)先的存儲器芯片工廠，實現(xiàn)了技術(shù)水平從跟跑到并跑的跨越。趙偉國表示，國家存儲器基地項目于2016年12月30日開工，計劃分兩期建設(shè)3D NAND
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