11月7日，富士電機株式會社電子元件事業(yè)本部CTO藤平龍彥博士一行到訪青銅劍科技。這是繼今年5月應(yīng)用技術(shù)部部長五十嵐征輝博士來訪之后，富士電機高層再次蒞臨青銅劍科技商談合作事宜，標(biāo)志著雙方合作進入新階段。 青銅劍科技總工程師高躍博士和市場總監(jiān)蔡雄飛對藤平龍彥博士一行的來訪表示熱烈歡迎，詳細介紹了公司的核心產(chǎn)品以及與富士電機的合作進展。藤平龍彥博士對青銅劍科技最新的IGBT驅(qū)動產(chǎn)品非常關(guān)注，仔細詢問了產(chǎn)品的性能優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域，對青銅劍科技的研發(fā)實力表示充分肯定。會談期間，雙方對下一步的合作重點和計劃達成一致。

　　青銅劍科技是富士電機長期合作伙伴，雙方在產(chǎn)品開發(fā)和市場拓展方面擁有良好合作基礎(chǔ)。青銅劍科技針對富士電機IGBT模塊推出了多款定制產(chǎn)品，其中光伏T型三電平并聯(lián)方案4QP0430T12-FUJI是針對富士4MBI900VB-120R1-50模塊設(shè)計，汽車級驅(qū)動方案6AP0215T07-M653針對富士M653 模塊設(shè)計，產(chǎn)品一經(jīng)推出銷量火爆，市場反響熱烈。

　　富士電機目前主推第7代IGBT系列、碳化硅系列、HPnC系列、汽車級系列、IPM系列以及單管系列等產(chǎn)品，憑借多項創(chuàng)新技術(shù)實現(xiàn)了更低損耗和結(jié)構(gòu)小型化。其中第7代X系列IGBT采用了極薄的晶元制造技術(shù)(更薄的漂移層)和細微的溝槽柵結(jié)構(gòu)，進一步降低了導(dǎo)通電壓和開關(guān)損耗，比第6代V系列IGBT損耗有了突飛猛進的提升。

　　青銅劍科技將繼續(xù)發(fā)揮IGBT驅(qū)動技術(shù)的領(lǐng)先優(yōu)勢，配合富士電機IGBT和碳化硅模塊，開發(fā)高性能和高可靠性的驅(qū)動產(chǎn)品，加強在新能源發(fā)電、電動汽車等領(lǐng)域的合作。