安森美(onsemi) 最新發(fā)布第 7 代 1200V QDual3 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 功率模塊，與其他同類產(chǎn)品相比，該模塊的功率密度更高，且提供高10%的輸出功率。這800 安培 (A) QDual3 模塊基于新的場截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術(shù)，帶來出色的效能表現(xiàn)，有助于降低系統(tǒng)成本并簡化設計。在用于 150 千瓦的逆變器中時，QDual3 模塊的損耗比同類競品少 200 瓦（W），從而大大縮減散熱器的尺寸。
QDual3模塊專為在惡劣條件下工作而設計，非常適合用于大功率變流器如太陽能發(fā)電站中央逆變器、儲能系統(tǒng) (ESS)、商用農(nóng)業(yè)車輛（CAV）和工業(yè)電機驅(qū)動器。目前，根據(jù)不同的應用需求，有兩種產(chǎn)品可供選擇——NXH800H120L7QDSG 和SNXH800H120L7QDSG。