大陸強(qiáng)力提升芯片自制率政策，吸引全球半導(dǎo)體大廠紛齊聚大陸蓋12吋廠，三星電子(Samsung Electronics)西安3D NAND廠在2016年產(chǎn)值已超越大陸本土的中芯國際，首次登上大陸半導(dǎo)體制造一哥，2016年大陸整體半導(dǎo)體產(chǎn)值達(dá)人民幣4,335.5億元(約新臺(tái)幣1.95兆元)，相較于臺(tái)灣產(chǎn)值新臺(tái)幣2.43兆元已是一步之遙，面對(duì)大陸猛烈追趕態(tài)勢(shì)，業(yè)界憂心臺(tái)灣在全球僅次美國的半導(dǎo)體二哥地位，恐將被大陸一舉超越。

　　大陸這一波半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起，從產(chǎn)業(yè)政策、中央和地方資金、半導(dǎo)體人才等全數(shù)到位，全球半導(dǎo)體大廠紛到大陸設(shè)廠，2016年大陸前十大半導(dǎo)體制造晶圓廠中，外資企業(yè)占5成，包括三星、SK海力士(SK Hynix)、英特爾(Intel)、臺(tái)積電、聯(lián)電，未來3年內(nèi)還有臺(tái)積電南京12吋廠、聯(lián)電廈門12吋廠、GlobalFoundries成都12吋廠加入大陸生產(chǎn)行列。

　　三星憑藉3D NAND技術(shù)及市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)，2016年西安廠產(chǎn)值達(dá)人民幣237.5億元，一舉超越中芯產(chǎn)值人民幣202.2億元，首度登上大陸半導(dǎo)體制造一哥，臺(tái)積電在大陸排名第七大，預(yù)計(jì)南京廠將在2018年量產(chǎn)，該座廠產(chǎn)能雖不大，但集中火力在16納米高階制程，產(chǎn)值相當(dāng)可觀，可望讓臺(tái)積電在大陸半導(dǎo)體廠排名大躍進(jìn)。

　　值得注意的是，大陸2016年半導(dǎo)體總產(chǎn)值約新臺(tái)幣1.95兆元，對(duì)照臺(tái)灣2016年半導(dǎo)體產(chǎn)值約2.43兆元，臺(tái)灣贏得十分驚險(xiǎn)，保住全球第二大半導(dǎo)體經(jīng)濟(jì)體地位，僅次于美國，但在大陸猛烈追趕下，難保未來三年內(nèi)大陸不會(huì)取代臺(tái)灣半導(dǎo)體二哥地位。

　　臺(tái)積電全球年?duì)I收高達(dá)新臺(tái)幣8,434.97億元，但大陸比重仍十分低，待瞄準(zhǔn)16納米高階制程的南京12吋廠量產(chǎn)后，可望擠入大陸前五大半導(dǎo)體大廠，至于聯(lián)電廈門12吋廠則將以28納米制程加入大陸高階制程戰(zhàn)局，臺(tái)廠布局大陸十分積極。

　　2016年大陸IC設(shè)計(jì)產(chǎn)值為人民幣1,644.3億元，年增率為24.1%，其中以海思為首，年?duì)I收貢獻(xiàn)為人民幣260億元，其次為清華紫光展銳年?duì)I收規(guī)模約人民幣125億元，第三名中興微電子年?duì)I收約人民幣56億元，大陸IC設(shè)計(jì)公司規(guī)模與臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)龍頭聯(lián)發(fā)科距離仍十分遙遠(yuǎn)。

　　另外，根據(jù)大陸海關(guān)統(tǒng)計(jì)，2016年大陸半導(dǎo)體進(jìn)口金額約2,270.7億美元，年減1.2%，出口半導(dǎo)體金額約613.8億美元，減少11.1%。

　　事實(shí)上，國際半導(dǎo)體大廠早在2000年之前便十分盛行在大陸蓋晶圓廠，包括日本NEC、美國摩托羅拉(Motorola)、荷蘭飛利浦(Philips)等，但當(dāng)時(shí)并沒有找出好的商業(yè)模式，因此并未成功。

　　這次由大陸官方強(qiáng)力主導(dǎo)成立半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金，加上各地方政府也成立多個(gè)扶植基金，這一波大陸半導(dǎo)體強(qiáng)力逆襲，臺(tái)灣業(yè)者已看出嚴(yán)重性，紛期待政府盡速拿出因應(yīng)對(duì)策。