半導體產(chǎn)業(yè)是電子信息產(chǎn)業(yè)的基礎，代表著當今世界最先進的主流技術發(fā)展。

　　半導體產(chǎn)業(yè)于上世紀五十年代起源于美國，之后共經(jīng)歷了三次大規(guī)模產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移。

　　第一次是在 1970s 末期，從美國轉(zhuǎn)移到了日本，第一次轉(zhuǎn)移后日本成為世界半導體的中心;

　　第二次是上世紀八十年代末期至九十年代初，產(chǎn)業(yè)從日本轉(zhuǎn)移到了韓國、 中國臺灣和新加坡等地，形成了世界范圍內(nèi)美國、韓國、臺灣等國家和地區(qū)多頭并 立的局面。

　　第三次是二十一世紀以來，我國由于具備勞動力成本等多方面的優(yōu)勢， 正在承接第三次大規(guī)模的半導體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移。

　　日本半導體企業(yè)發(fā)展階段概述日本半導體企業(yè)的發(fā)展依次經(jīng)歷了崛起(1970s)、鼎盛(1980s)、衰落(1990s)、轉(zhuǎn)型(2000s)四個階段。

1、崛起：1970s，VLSI 研發(fā)聯(lián)合體帶動技術創(chuàng)新

　　上世紀 70 世紀初，日本半導體產(chǎn)業(yè)整體落后美國十年以上。

　　70 世紀中期，日 本本土半導體企業(yè)受到兩件事的嚴重沖擊。

　　一件事是日本 1975、1976 年在美國壓 力下被迫開放其國內(nèi)計算機和半導體市場;另一件事是 IBM 公司開發(fā)的被稱為未來 系統(tǒng)(Future System，F(xiàn)/S)的新的高性能計算機中，采用了遠超日本技術水平的一 兆的動態(tài)隨機存儲器。

　　1976-1979 年在政府引導下，日本開始實施具有里程碑意義的，超大規(guī)模集成 電路的共同組合技術創(chuàng)新行動項目(VLSI)。

　　該項目由日本通產(chǎn)省牽頭，以日立、 三菱、富士通、東芝、日本電氣五大公司為骨干，聯(lián)合了日本通產(chǎn)省的電氣技術實 驗室(EIL)、日本工業(yè)技術研究院電子綜合研究所和計算機綜合研究所，共投資了720 億日元，用于進行半導體產(chǎn)業(yè)核心共性技術的突破。

　　VLSI 項目是日本“官產(chǎn)學”一體化的重要實踐，將五家平時互相競爭的計算 機公司以及通產(chǎn)省所屬的電子技術綜合研究所的研究人才組織到一塊進行研究工 作，不僅集中了人才優(yōu)勢，而且促進了平時在技術上互不通氣的計算機公司之間的 相互交流 、相互啟發(fā)，推動了全國的半導體、集成電路技術水平的提高，為日本 半導體企業(yè)的進一步發(fā)展提供平臺，令日本在微電子領域上的技術水平與美國并駕 齊驅(qū)。

　　項目實施的四年內(nèi)共取得了約 1000 多項專利，大幅度提升了成員企業(yè)的 VLSI制作技術水平，日本公司借此搶占了 VLSI 芯片市場的先機。

　　同時政府在政策方面也給予了大力支持。

　　日本政府于 1957 年頒布《電子工業(yè) 振興臨時措施法》，支持日本企業(yè)積極學習美國先進技術，發(fā)展本國的半導體產(chǎn)業(yè)。1971 年、1978 年分別頒布了《特定電子工業(yè)及特定機械工業(yè)振興臨時措施法》、《特 定機械情報產(chǎn)業(yè)振興臨時措施法》，進一步鞏固了以半導體為核心的日本信息產(chǎn)業(yè) 的發(fā)展。

　　鼎盛：1980s，依靠低價戰(zhàn)略迅速占領市場 該階段，日本半導體產(chǎn)業(yè)的主要競爭力是產(chǎn)品的成本優(yōu)勢和可靠性。

　　日本半導體業(yè)的崛起以存儲器為切入口，主要是 DRAM(Dynamic RandomAccess Memory，動態(tài)隨機存取記憶體)。

　　到上世紀 80 年代，受益于日本汽車產(chǎn)業(yè) 和全球大型計算機市場的快速發(fā)展，DRAM 需求劇增。

　　而日本當時在 DRAM 方面 已經(jīng)取得了技術領先，日本企業(yè)此時憑借其大規(guī)模生產(chǎn)技術，取得了成本和可靠性 的優(yōu)勢，并通過低價促銷的競爭戰(zhàn)略，快速滲透美國市場，并在世界范圍內(nèi)迅速取 代美國成為 DRAM 主要供應國。

　　隨著日本半導體的發(fā)展，世界市場快速洗牌，到1989 年日本芯片在全球的市場占有率達 53%，美國僅 37%，歐洲占 12%，韓國 1%， 其他地區(qū) 1%。

　　80 年代，日本半導體行業(yè)在國際市場上占據(jù)了絕對的優(yōu)勢地位。

　　截至 1990 年， 日本半導體企業(yè)在全球前十中占據(jù)了六位，前二十中占據(jù)十二位。日本半導體達到 鼎盛時期。

       衰落：1990s，技術和成本優(yōu)勢喪失，市場份額迅速跌落

　　從微電子行業(yè)的世界技術發(fā)展趨勢來看，進入上世紀九十年代，在美國掀起了 以 downsizing 為核心的技術革命，以 PC 為代表的新型信息通信設備快速發(fā)展，但 日本在該領域未有足夠準備。

　　同時日本在 DRAM 方面的技術優(yōu)勢也逐漸喪失，成 本優(yōu)勢也被韓國、臺灣等地取代。

　　PC 取代大型主機成為計算機市場上的主導產(chǎn)品，也成為 DRAM 的主要應用下 游。不同于大型主機對 DRAM 質(zhì)量和可靠性(可靠性保證 25 年)的高要求，PC對 DRAM 的主要訴求轉(zhuǎn)變?yōu)榈蛢r。D

　　RAM 的技術門檻不高，韓國、臺灣等地通過 技術引進掌握了核心技術，并通過勞動力成本優(yōu)勢，很快取代日本成為了主要的供 應商。

　　1998 年韓國取代日本，成為 DRAM 第一生產(chǎn)大國，全球 DRAM 產(chǎn)業(yè)中心 從日本轉(zhuǎn)移到韓國。

　　之后，韓國一面繼續(xù)維持 DRAM 的生產(chǎn)大國地位，一面開發(fā) 用于數(shù)字電視、移動電話等的 SOC，雙頭并進;而臺灣通過不斷增加投資，建成了 世界一流的硅代工公司——臺積電和聯(lián)電，開發(fā)了一種新的半導體制作模式，同時 積極研發(fā)，在部分尖端技術上已經(jīng)可以與日本齊頭并進。

　　該階段，日本半導體產(chǎn)品品種較為單一(過于集中在 DRAM 上)，產(chǎn)品附加值 低;同時未跟上世界技術潮流，日本半導體產(chǎn)業(yè)在該階段受到重創(chuàng)。截止 2000 年， 日本 DRAM 份額已跌至不足 10%。

轉(zhuǎn)型：2000s，合并整合與轉(zhuǎn)型 SOC

　　為挽回半導體產(chǎn)業(yè)的頹敗之勢，日本半導體企業(yè)首先進行了結構性改革。除Elpida 外所有其他的日本半導體制造商均從通用 DRAM 領域中退出，將資源集中到 了具有高附加值的系統(tǒng)集成芯片等領域。

　　2000 年 NEC、日立的 DRAM 部門合并， 成立 Elpida，東芝于 2002 年賣掉了設在美國的工廠，2003 年 Elpida 合并了三菱電 機的記憶體部門。

　　但 Elpida 于 2012 年宣告破產(chǎn)，2013 年被美光購并，標志著日本 在 DRAM 的競爭中徹底被淘汰。

　　另一方面，日本重新開啟了三個較大型的“產(chǎn)官學”項目——MIRAI、ASUKA和 HALCA。三個項目都于 2001 年開啟，以產(chǎn)業(yè)技術綜合研究所的世界級超凈室 (SCR)作為研發(fā)室，“ASUKA”項目由 NEC、日立、東芝等 13 家半導體廠家共 同出資 700 億日元，時間為 2001-2005，主要研制電路線寬為 65 納米的半導體制造

　　目前世界半導體產(chǎn)業(yè)進入到寡頭時代，競爭格局相對穩(wěn)定。盡管日本企業(yè)在半導體設備行業(yè)份額日益減少，但在半導體的一些其他細分行業(yè)以及半導體材料領域， 日本企業(yè)仍保持著優(yōu)勢地位。

　　DRAM 領域主要的生產(chǎn)商是三星、Hynix 和 Micron(包括收購的原日本 Elpida);NAND 領域是東芝(與 Sandisk 合資的四日市工廠)， 三星和 Micron;半導體制造設備是 TEL，Screen，日立高科等;半導體材料是 JSR，TOK，信越等;晶圓有信越，SUMCO 等。

　日本半導體材料行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

　　生產(chǎn)半導體芯片需要 19 種必須的材料，缺一不可，且大多數(shù)材料具備極高的 技術壁壘，因此半導體材料企業(yè)在半導體行業(yè)中占據(jù)著至關重要的地位。

　　而日本企 業(yè)在硅晶圓、合成半導體晶圓、光罩、光刻膠、藥業(yè)、靶材料、保護涂膜、引線架、 陶瓷板、塑料板、TAB、COF、焊線、封裝材料等 14 中重要材料方面均占有 50%及以上的份額，日本半導體材料行業(yè)在全球范圍內(nèi)長期保持著絕對優(yōu)勢。

　　作為全球最大的半導體材料生產(chǎn)國，2014 年日本國內(nèi)的半導體材料消費占 22%， 日本同時也是全球最主要的半導體材料輸出國。

　　大部分半導體材料出口到了亞太地 區(qū)的其他國家。目前雖然半導體產(chǎn)業(yè)開始了第三次轉(zhuǎn)移，逐步轉(zhuǎn)移到以中國為主的 更具備生產(chǎn)優(yōu)勢的地區(qū)，但是我國目前配套半導體材料生產(chǎn)能力有待提升。