測試原理與測試線路設計

　　該測試線路是在傳統(tǒng)的相位控制電路的基礎上增加了兩個配置，利用該線路當可控硅的控制端觸發(fā)導通時可產(chǎn)生一個高的上升和下降斜率的電流波通過可控硅的T1和T2，從而可以測量電流的變化率，當可控硅的電特性(靜態(tài)參數(shù))發(fā)生變化時說明該器件已經(jīng)受損，此前測量的dIT/dt值即為該可控硅能承受的最大導通電流變化率。

　　測試電路原理圖見圖1，一個配置是隔離變壓器，可用來產(chǎn)生一個39V左右的交流電壓來控制可控硅的觸發(fā)導通，同時我們可以通過上下兩個單刀雙擲開關來改變控制端的電壓極性，從而可用來測量可控硅的四個導通象限：1+，1-，3+，3-。220k的可調電阻R2用來控制導通的相位角，我們可以設置這個可調電阻使得在交流電的尖峰點觸發(fā)使得可控硅導通，這樣可以得到一個高的dIT/dt?！　?/p>

 

　　另一種配置是220歐姆的可調電阻R6與12歐姆R5和0.1μF的電容C2構成的阻尼電路，調整該電阻可改變流經(jīng)可控硅的電流的變化率，即dIT/dt，當我們需要加一個50A/μs的電流在可控硅上時，我們需要調高電阻值，而當我們加一個大于100A/μs的電流在可控硅上，我們就需要使該變阻器的阻值變得很小，這樣可以得到高的dIT/dt。

　　需要說明的是，該測試電路中的燈泡，從40W到1000W的范圍可選，通常我們可以使用市場上常有的40W的燈泡。

　　測試線路原理圖

　　測試線路原理圖如圖1所示。

　　測試的步驟及注意事項

　　(1)在測量可控硅的dIT/dt前，需要先測量它的各項靜態(tài)參數(shù)，確保它是一個好的器件，以便后面進行dIT/dt的測試。

　　(2)測量前操作：①1+和3-象限：開關向上撥;②1-和3+象限：開關向下?lián)?③在第一次測試時，為了得到最高的dIT/dt能力，需要調整220k可調電阻器，直到可控硅在交流電的尖峰時刻導通，以后的測量，我們就可以固定此電阻的阻值，無需調整了。

　　(3)開始測試：通過調整220歐姆的可調電阻R6得到某個dIT/dt值，我們規(guī)定不間斷的測試時間至少大于3秒鐘。

　　(4)測量完dIT/dt后，再測試該器件的各項靜態(tài)參數(shù)，從而判斷在某個dIT/dt值下，該器件是否受損或失效。

　　(5)增加施加在可控硅上的dIT/dt，重復步驟3和步驟4直到發(fā)現(xiàn)該器件的電特性發(fā)生改變，此時可以測試出dIT/dt的最大能力。