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        英飛凌節(jié)能芯片以出色性能幫助全球降低能耗

        —— 產品節(jié)能效果高于國際標準
        作者: 時間:2011-06-02 來源:電子產品世界 收藏

          如欲了解更多信息,敬請登錄www.infineon.com/canpak

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/120050.htm

          碳化硅肖特基二極管thinQ!™——采用TO封裝的高能效1200V器件

          隨著時間的推移,推出的第二代碳化硅肖特基二極管,已經成為不成文的行業(yè)標準?,F在,進一步擴充了這個本已十分廣博的產品組合,推出了采用新的TO-247HC(長爬電距離)封裝的1200V碳化硅二極管。

          這種新的封裝完全兼容行業(yè)標準TO-247,因而可輕松用于現有的設計,而無需付出額外的努力。更長爬電距離,可提高系統安全性,有效防止系統內部的灰塵或污垢導致的短路,特別是電弧。這樣,就不需要使用額外的化學(硅膠或硅霜)或機械(護套或箔)手段來避免封裝引線之間存在任何污染,從而充分發(fā)揮快速的精益生產工藝的所有優(yōu)勢。碳化硅肖特基二極管thinQ™系列的目標應用包括太陽能系統、UPS、SMPS和電機逆變器等,可全面滿足客戶不斷提高能效和功率密度的需求。

          如欲了解更多信息,敬請登錄http://www.infineon.com/cms/en/product/discretes-and-standard-products/diodes/silicon-carbide-schottky-diodes/channel.html?channel=ff80808112ab681d0112ab6a50b304a0

          全新60V邏輯電平OptiMOS“606”系列小信號MOSFET

          以提供適用于汽車(AEC Q101)的品質優(yōu)異的小信號MOSFET而聞名于世?,F在,新推出的60V邏輯電平OptiMOS“606”家族,進一步豐富了這個產品組合。這種60毫歐姆邏輯電平器件,具備出類拔萃的單位面積RDSon,并且具有很低的Qg,可以實現更好的輕載效率。這種產品采用流行的SOT89、TSOP6和SC59封裝,特別適于強調節(jié)省空間、降低功耗的應用。目標應用包括,作為低功率DC/DC電源轉換器的外接FET、在用于電動汽車、混合動力汽車和外充電式混合動力汽車的電池能量控制模塊(BECM)中發(fā)揮平衡作用,以及用作多種微控制器的外接FET。


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