據了解，日商爾必達已決定來臺設立研發(fā)中心，且選定投入高階技術NAND Flash領域。爾必達來臺投資研發(fā)中心金額約在50、60億新臺幣，未來將與力晶等日系半導體業(yè)者進一步合作。

　　據悉，爾必達與臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)合作雖然破局，但爾必達與臺灣業(yè)者聯(lián)合抗韓的意圖依舊存在，政府單位與爾必達互動密切，爾必達已于日前向經濟部遞出在臺設立研發(fā)中心的初步計劃書，經濟部正進行審查中。

　　官員透露，爾必達來臺設立研發(fā)中心的計劃相當成熟，已進入實質合作內容洽談中，研發(fā)中心切入的產品并非一般的動態(tài)存儲器(DRAM)，而是切入高階的NAND Flash產品的研發(fā)。

　　NAND Flash技術領先DRAM一個世代，目前全球前五大制造廠被三星、東芝、美光、海力士、英特爾囊括全球96.8%市占率，臺灣廠商在這一塊缺席，原本在NAND Flash技術上相對薄弱的爾必達，在買下飛索(Spansion)NAND技術資產后，規(guī)劃在明年投入NAND Flash量產。