上海宏力半導體制造有限公司 (宏力半導體)，專注于差異化技術的半導體制造業(yè)領先企業(yè)之一， 開發(fā)了其針對不同應用的多樣化設計方案?；谠撛O計方案，客戶可在宏力半導體經(jīng)過硅驗證的技術平臺上進行設計，從而更為有效，同時減少風險。

　　豐富的高性能、通過硅驗證的IP模塊系列，對客戶現(xiàn)有的IC設計起到了優(yōu)勢互補的作用。該系列可提供各種混合信號IP，內嵌ESD保護電路的高性能IO，以及嵌入式閃存IP模塊 (包括BIST和flash macros等)。

　　宏力半導體是唯一一家由SST授權擁有0.25-0.13微米系列SuperFlash ?技術、包括設計和生產(chǎn)服務的晶圓代工廠。其最新的設計成果是通過閃存 IP的硅片結果驗證了0.13微米基于SST自對準分裂柵單元。該器件性能卓越，可重復擦寫10萬次以上，數(shù)據(jù)可保留100年。宏力半導體的閃存IP具有低功耗、可快速編程擦除、以及設計靈活、面積小的等特點。IP擴展度高達16M bit，適用高端和低端不同嵌入式系統(tǒng)的需求，包括智能卡，汽車系統(tǒng)等。

　　“宏力已經(jīng)建立了一支擁有閃存 IP 設計專家的團隊，而此次硅驗證的數(shù)據(jù)很好地證明了這支團隊的杰出設計能力。這次0.13微米閃存芯片的IP取得如此之好的測試結果，遠遠超出我們的預期。在這次成功的基礎上，我們將繼續(xù)拓寬宏力半導體的0.18微米和0.13微米的Flash IP系列。”宏力半導體銷售市場服務單位資深副總Peter Weigand表示，“除了我們現(xiàn)有眾多的IP設計模塊，宏力現(xiàn)在還能為客戶提供快速、靈活的定制服務，以滿足嵌入式閃存的應用需求，從而提高客戶產(chǎn)品的競爭力，并降低設計風險。”