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        IGBT核心技術(shù)及人才缺失 工藝技術(shù)缺乏

        作者: 時間:2009-12-17 來源:中國電子報 收藏

          新型電力半導體的代表,的產(chǎn)業(yè)化在我國還屬空白。無論技術(shù)、設備還是人才,我國都處于全方位的落后狀態(tài)。應當認識到,電力半導體和集成電路在國民經(jīng)濟發(fā)展中地位同樣重要,因此,政府應該對產(chǎn)業(yè)予以大力扶持。

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/101490.htm

          眾所周知,電力電子技術(shù)可以提高用電效率,改善用電質(zhì)量,是節(jié)省能源的王牌技術(shù)。當今以絕緣柵雙極晶體管()為代表的新型電力半導體是高頻電力電子線路和控制系統(tǒng)的核心開關元器件,它的性能參數(shù)將直接決定著電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。IGBT已成為新型電力半導體器件的代表性器件,對大功率高頻電力電子裝置和系統(tǒng)的技術(shù)發(fā)展起著十分重要的推動作用。

          認識不足導致IGBT受冷落

          IGBT的產(chǎn)業(yè)化在我國還屬空白。雖然國家在“八五”和“九五”期間分別立項支持了IGBT的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化,但是由于各種客觀原因,這些攻關的成果只是做出了技術(shù)樣品,而沒能把技術(shù)樣品變?yōu)楣こ坍a(chǎn)品并且實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。

          很長時間以來,在半導體行業(yè)中有相當一部分人認為我們國家已掌握了0.15微米、8英寸的集成電路技術(shù),IGBT的0.5微米、6英寸的技術(shù)應沒有太大難度。事實上它們的差別在于:集成電路的技術(shù)難點在于拓撲結(jié)構(gòu)及版圖設計,其生產(chǎn)工藝較為規(guī)范化和標準化,只要版圖設計好了,在一條常規(guī)的線寬合適的IC流水線上流片應不會有太大的問題;而IGBT正好相反,其設計技術(shù)相對而言不太復雜,但由于其大電流、高電壓、高頻和高可靠的要求,加工工藝十分特殊和復雜。目前,全國還沒有一條較完備的IC工藝線可以從頭到尾完成IGBT的生產(chǎn)。另外,對于不同電壓等級和頻率范圍的IGBT,其主要工藝也有較大差異,從而增加了IGBT生產(chǎn)的特殊性和復雜性。

          我國的IGBT器件之所以沒能最終實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化還有一個重要原因是缺少產(chǎn)業(yè)化的技術(shù)經(jīng)驗和人才。隨著近幾年來海歸派回國創(chuàng)業(yè),這一狀況在某種程度上得到了改善。此外,國內(nèi)高校和研究機構(gòu)的興趣大多轉(zhuǎn)移到SiC和GaN寬禁帶半導體器件及電源管理芯片方向,目前國內(nèi)只有兩三家高校及院所還在進行與IGBT器件相關的研發(fā),并且主要限于計算機仿真研究。這就導致了我國在IGBT設計和研發(fā)方面的人才奇缺。

          缺少核心產(chǎn)業(yè)化技術(shù)

          IC的電熱學特點是電流小、電壓低、對散熱沒有太高要求,因此,IC的工藝特點是淺結(jié)、薄膜和片厚。而IGBT正好相反,其特點是電流大、電壓高和頻率高,因此對散熱的要求非常高,這樣,就必然導致IGBT的工藝特點是結(jié)深、膜厚和片薄。另外,應用系統(tǒng)對IGBT器件的可靠性要求也很高。

          為了實現(xiàn)大電流,IGBT采用了多原胞并聯(lián)技術(shù),每個原胞的開通和關斷性能要求高度一致,因此,要求IGBT的工藝一致性也很高。而且,為了盡量減少IGBT的并聯(lián)個數(shù),希望IGBT在有源區(qū)面積一定的情況下其電流容量越大越好,即器件的電流密度越高越好。

          為了實現(xiàn)高電壓,在IGBT芯片上采用了高壓終端技術(shù)及鈍化技術(shù)。終端的面積約占IGBT芯片總面積的20%。另外,有些應用場合還需將幾個IGBT進行串聯(lián)以滿足耐壓要求,IGBT的串聯(lián)技術(shù)必須考慮動態(tài)均壓問題,從而對IGBT的工藝和參數(shù)控制的一致性要求也較高。為了提高器件的工作頻率,需要對IGBT漂移區(qū)厚度、結(jié)構(gòu)、少子壽命及集電極發(fā)射效率進行精確的控制。為了提高散熱效率,除了盡可能地降低器件的通態(tài)和開關損耗之外,還需要對IGBT芯片進行減薄。另外,IGBT的材料和工藝對其散熱效率的影響也很明顯。

          針對上述IGBT器件的特點,國內(nèi)缺少此類器件的產(chǎn)業(yè)化設計、生產(chǎn)、和可靠性試驗等一套完整的技術(shù)。即使有些部門掌握了部分技術(shù),但也不系統(tǒng)、不完整。而國外公司在IGBT的產(chǎn)業(yè)化技術(shù)方面對我國還是實行嚴密的封鎖政策。這就嚴重制約了IGBT器件在我國的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。


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