國內目前的半導體生產線絕大多數(shù)是IC產品生產線，少數(shù)分立器件的生產線也主要生產常規(guī)三極管和肖特基二極管，缺少IGBT所需要的柵極形成、隔離、背面減薄和注入工藝等技術。

　　政策應加大扶持力度

　　微電子技術是對信號的處理和轉換，可以提高人們的工作效率和生活質量;而電力電子是對電能的控制和變換，可以提高用電效率和改善用電質量，也是工業(yè)化和信息化融合的關鍵技術。集成電路和電力半導體器件在國民經濟發(fā)展中地位同樣重要，兩者相輔相成。然而，同樣重要的技術并沒有得到同樣的重視，國家在2000年出臺了18號文件，重點支持集成電路和軟件技術的發(fā)展，沒有將新型電力半導體器件列入其中。國家十一五重大專項中，新型電力半導體器件又未能進入支持目錄。

　　針對IGBT產業(yè)，必須運用系統(tǒng)工程打造產業(yè)化體系。在設計領域，應重點利用海歸技術人員所掌握的國際先進技術和國內部分高校和研究所的前期經驗;在芯片制造領域，應充分利用國內已有的IC和分立器件生產線，補充必要的生產設備;在封裝領域，應重點發(fā)展單管大尺寸封裝(TO-220以上)、標準功率模塊、智能化功率模塊和用戶定制功率模塊;在測試領域，應發(fā)展新型器件的動靜態(tài)特性測試、可靠性試驗及失效分析手段;在原材料領域，應重點發(fā)展高阻外延單晶、區(qū)熔單晶和磁場直拉單晶;在設備領域，應重點發(fā)展大面積減薄、微細刻蝕、大束流離子注入等設備;針對應用特性，應重點研究器件和電路接口方面的技術問題，如驅動和保護電路的設計等;針對人才培養(yǎng)，短期可以從國外引進一批有著豐富實踐經驗的高層次技術人才，長期則需要在國內高校培養(yǎng)新型電力半導體器件的設計和制造人才。

　　根據(jù)我國IGBT產業(yè)化的特點和需要，在產業(yè)化的進程中要給予相關政策支持，如政府采購、財政補貼、稅收優(yōu)惠、關稅保護、國產化率考核、國產裝備的風險補償、大型節(jié)能減排項目示范工程等。不僅要對器件的研發(fā)給予重點支持，而且應在系統(tǒng)應用的源頭利用政策的杠桿來輔助，才會使國內的器件制造從弱勢成長為強勢。

　　此外，我們還應制定IGBT產業(yè)化各環(huán)節(jié)和全程目標，設置和控制關鍵點，建立對產業(yè)化全程的反饋和優(yōu)化控制流程。要把我國IGBT產業(yè)化與節(jié)能減排規(guī)劃、新能源發(fā)展規(guī)劃、裝備制造、電子信息及其他產業(yè)調整振興規(guī)劃銜接，加強IGBT產業(yè)化的配套設施建設。(本文作者趙善麒為江蘇宏微科技有限公司總經理，陸劍秋為中國電器工業(yè)協(xié)會電力電子分會理事長，畢克允為中國半導體行業(yè)協(xié)會特聘副理事長、中國電子節(jié)能技術協(xié)會副理事長。)

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　　IGBT技術及應用

　　IGBT是在MOSFET(金屬氧化物場效應晶體管)和雙極晶體管基礎上發(fā)展起來的一種新型復合功率器件，主要用于通信、工業(yè)、醫(yī)療、家電、照明、交通、新能源、半導體生產設備、航空、航天及國防等諸多領域。IGBT既具有MOSFET易于驅動、控制簡單、開關頻率高的優(yōu)點，又具有功率晶體管的導通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點。自問世以來，IGBT以其優(yōu)越的動靜態(tài)性能，在6500V以下的中大功率高頻領域逐漸取代了晶閘管和功率MOSFET器件。目前，尚無任何其他器件可以在短期內代替IGBT器件。