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        博客專欄

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        東芝新12英寸功率半導(dǎo)體廠完工,MOSFET和IGBT產(chǎn)能將提升2.5倍

        發(fā)布人:芯智訊 時間:2024-06-10 來源:工程師 發(fā)布文章

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        日本東芝電子元件及存儲裝置株式會社(TOSHIBA)于5月23日正式宣布,旗下的12英寸功率半導(dǎo)體制造工廠和寫字樓完工。

        東芝在新聞稿中表示,該12英寸晶圓廠現(xiàn)階段正在進(jìn)行安裝相關(guān)設(shè)備,力拼能在2024財年的下半年開始量產(chǎn)。一旦工程完工進(jìn)入全面量產(chǎn)階段,以MOSFET和IGBT為主的東芝功率半導(dǎo)體產(chǎn)能,預(yù)計將達(dá)到2021財年產(chǎn)能的2.5倍規(guī)模。至于該晶圓廠第二期工程建設(shè)和開始運(yùn)營時程,則將根據(jù)市場情況再進(jìn)一步進(jìn)行決定。

        東芝表示,該新晶圓廠具有吸收地震沖擊的隔震結(jié)構(gòu)和電源供應(yīng)功能,將遵循東芝的業(yè)務(wù)連續(xù)性計劃(BCP),并將為東芝的業(yè)務(wù)連續(xù)性計劃做出重大貢獻(xiàn)。而在整體工廠投入量產(chǎn)之后,通過可再生能源和建筑物屋頂太陽能電池板的能源,將可以讓該設(shè)施能夠通過可再生能源滿足100%的電力要求。

        編輯:芯智訊-林子


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