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        MOS管短溝道效應及其行為建模
        
                                                            
          
                    	
        • 1　引　言　　目前,實現(xiàn)微電路最常用的技術是使用MOS晶體管。隨著科學技術的發(fā)展,集成電路的集成密度不斷地在提高,MOS晶體管器件的尺寸也逐年縮小, 當MOS管的溝道長度小到一定值之后,出現(xiàn)的短溝道效應將對器件的特性
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        行為  建模  及其  效應  管短溝  MOS                          
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        電源變壓器的MOS場效應管逆變器制作
        
                                                            
          
                    	
        • 這里介紹的逆變器(見圖1)主要由MOS場效應管，普通電源變壓器構成。其輸出功率取決于MOS場效應管和電源變壓器的功率，免除了煩瑣的變壓器繞制，適合電子愛好者業(yè)余制作中采用。下面介紹該變壓器的工作原理及制作過程。
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        逆變器  制作  效應  MOS  變壓器  電源                          
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        舞臺功放MOS管改裝方法
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 以ODL牌QSA-2400專業(yè)功放為例(電路見中圖)。改裝后對應電路見下圖。由于MOS管與三極管驅動電壓差異。為了保證電壓推動管靜態(tài)工作點基本保持不變，要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發(fā)射極電阻上的電壓為3V.現(xiàn)改
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        方法  改裝  MOS  功放  舞臺                          
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        基于MOS開關的高頻高壓脈沖源中電磁兼容問題研究
        
                                                            
          
                    	
        • 摘要：本文研究了基于MOS固態(tài)開關的高頻高壓脈沖源中的電磁兼容問題，通過分析其干擾信號頻譜分布及傳播路徑，制定了以屏蔽和濾波為主的電磁兼容方案，最終實現(xiàn)了重復頻率80kHz，4kV脈沖源，實驗驗證了電磁兼容措施的
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        電磁兼容  問題  研究  脈沖  高壓  MOS  開關  高頻  基于                          
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        MOS-FET與電子管OTL功放的制作
        
                                                            
                    
        
                
        
                                
        
                    
        MOS—FET末級無負反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器
        
                                                            
                    
        
                
        
                                
        
                    
        MOS—FET甲乙類功率放大器
        
                                                            
                    
        
                
        
                                
        
                    
        MOS管驅動電路綜述連載（三）
        
                                                            
          
                    	
        • 相對通用的電路電路圖如下：圖1用于NMOS的驅動電路圖2用于PMOS的驅動電路這里只針對NMOS...
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        • 關鍵字：
                        MOS  驅動電路                          
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        MOS管驅動電路綜述連載（二）
        
                                                            
          
                    	
        • 現(xiàn)在的MOS驅動，有幾個特別的應用1、低壓應用當使用5V電源，這時候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結構，由于...
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        • 關鍵字：
                        MOS                          
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        MOS管驅動電路綜述連載（一）
        
                                                            
          
                    	
        • 在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很...
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        • 關鍵字：
                        MOS                          
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        MOSFET分析：選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET
        
                                                            
          
                    	
        • 前不久，能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求，同時進一步降低待機功耗要求。...
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        • 關鍵字：
                        mos                          
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        MOSEFT分析：理解功率MOSFET的開關損耗
        
                                                            
          
                    	
        • 本文詳細分析計算開關損耗，并論述實際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程，從而使電子工程師知...
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        • 關鍵字：
                        mos/開關損耗                          
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        開關電源設計之MOS管反峰及RCD吸收回路
        
                                                            
          
                    	
        • 對于一位開關電源工程師來說，在一對或多對相互對立的條件面前做出選擇，那是常有的事。而我們今天討論的這個話題就是一對相互對立的條件。（即要限制主MOS管最大反峰，又要RCD吸收回路功耗最小）  在討論前我們先做
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        • 關鍵字：
                        吸收  回路  RCD  管反峰  設計  MOS  開關電源                          
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        MOS-FET開關電路
        
                                                            
          
                    	
        • MOS-FET雖然與JFET結構不同，但特性極為相似，N溝道和P溝道各分增強型和耗盡型，可在許多電路中代替J-FET，如圖5.4-97所示，電路用MOS-FET代替J-FET更簡單，如釁5.4-100所示短路開關對應圖5.4-96中的A、C、D三個電路
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        MOS-FET  開關電路                            
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        采用C-MOS與非門的發(fā)光二極管脈沖驅動電路
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 電路的功能如使用發(fā)光二極管直流發(fā)光，正向偏流只能在數(shù)10MA以下，允以獲得大的發(fā)光輸出，若采用縮小導通時的占空比，則可獲得大的峰值電流。本電路發(fā)光頻率為1KHZ，脈沖載頻為38KHZ，受發(fā)光電路很容易分辯外來光。電
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        驅動  電路  脈沖  發(fā)光二極管  C-MOS  與非門  采用                          
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