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低待機功耗電源方案選擇
- 歐盟EUP環(huán)保指令你知道嗎?你知道此指令對靜態(tài)能耗有什么要求嗎?我們產(chǎn)品上需要怎樣應(yīng)對呢?下面給你解決此問題的電源供電方案。 2009年1月6日，歐盟電子類產(chǎn)品待/關(guān)機模式之EuP能耗指令執(zhí)行措施已正式生效，其生態(tài)化設(shè)計要求與去年7月經(jīng)歐盟生態(tài)化設(shè)計管理委員會批準(zhǔn)的工作草案相同。廠商需在2010年1月6日前達到第一階段的要求，2013年1月6日達到第二階段要求。 圖1 Eup圖標(biāo) 我們來了解一下EuP能耗指令第二階段的具體要求， 1、產(chǎn)品在關(guān)機或待機
- 關(guān)鍵字： MOS AC-DC
怎樣用最小的代價降低MOS的失效率？
- 【前言】在高端MOS的柵極驅(qū)動電路中，自舉電路因技術(shù)簡單、成本低廉得到了廣泛的應(yīng)用。然而在實際應(yīng)用中，MOS常莫名其妙的失效，有時還伴隨著驅(qū)動IC的損壞。如何破?一個合適的電阻就可搞定問題。 【問題分析】 上圖為典型的半橋自舉驅(qū)動電路，由于寄生電感的存在，在高端MOS關(guān)閉后，低端MOS的體二極管鉗位之前，寄生電感通過低端二極管進行續(xù)流，導(dǎo)致VS端產(chǎn)生負(fù)壓，且負(fù)壓的大小與寄生電感與成正比關(guān)系。該負(fù)壓會把驅(qū)動的電位拉到負(fù)電位，導(dǎo)致驅(qū)動電路異常，還可能讓自舉電容過充電
- 關(guān)鍵字： MOS SCR
場效應(yīng)管工作原理- -場效應(yīng)管工作原理也瘋狂
- 一、場效應(yīng)管的工作原理- -概念 場效應(yīng)管(FET)是場效應(yīng)晶體管(field-effect transistor)的簡稱，由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，也稱為單極性場效應(yīng)管，是一種常見的利用輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種電壓控制性半導(dǎo)體器件，場效應(yīng)管不但具有雙極性晶體管體積小、重量輕、壽命長等優(yōu)點，而且輸入回路的內(nèi)阻高達107~1012Ω，噪聲低，熱穩(wěn)定性好，抗輻射能力強，且比后者耗電省，這些優(yōu)點使之從20世紀(jì)60年代誕生起就廣泛地應(yīng)用于各種電子電路之中。 二、
- 關(guān)鍵字： 場效應(yīng)管 MOS JFET 場效應(yīng)管工作原理
高增益高線性度CMOS偶次諧波混頻器設(shè)計
- 混頻器是無線收發(fā)機中的核心模塊， 對整個系統(tǒng)的性能具有很大影響。線性度、轉(zhuǎn)換增益是衡量一個混頻器性能的重要指標(biāo)。 在接收機中， 混頻器具有一定的轉(zhuǎn)換增益可以降低混頻器后面各級模塊設(shè)計的難度， 有利于提高系統(tǒng)噪聲性能和靈敏度。線性度決定了混頻器能處理的最大信號強度。隨著現(xiàn)代通訊系統(tǒng)對性能要求越來越高， 無論是應(yīng)用于接收機系統(tǒng)的下變頻器(本文指的混頻器) ， 還是應(yīng)用于發(fā)射機系統(tǒng)中的上變頻器都要求具有較高的線性度。因此設(shè)計具有高增益和高線性度的混頻器就成為業(yè)界一直研究的熱點。 在CMOS電路設(shè)
- 關(guān)鍵字： MOS 諧波混頻器
你造嗎？ 四大MOSFET實用技巧
- MOSFET是一個時代產(chǎn)物,隨著MOSFET技術(shù)的進展，特別是大電流、小封裝、低功耗的單芯片MOSFET出現(xiàn)，它的開關(guān)速度快/輸入阻抗大/熱穩(wěn)定性好等等優(yōu)點,已經(jīng)成為工程師們的首選。 在EEPW論壇呆久了，看了好多網(wǎng)友問起MOS管的事情，有很多童靴對MOS管的使用不是很熟悉，今天有空給大家說幾個關(guān)于MOSFET的技巧的幾個實用技巧的事情。 為了把問題說的明白些，還是有必要把MOS管的身世先介紹一下。 MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道
- 關(guān)鍵字： MOSFET MOS
LED驅(qū)動設(shè)計小Tips：不可不知的5大關(guān)鍵點
- 1、芯片發(fā)熱 這主要針對內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當(dāng)然會引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動芯片的最大電流來自于驅(qū)動功率MOS管的消耗，簡單的計算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益，實際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導(dǎo)通時的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低c、v和f.如果c、v和f不能改變，那么請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。再簡單一點，就是考慮更好的
- 關(guān)鍵字： LED MOS 變壓器
一種低電壓、低功耗模擬電路設(shè)計簡介
- 因為MOS晶體管的襯底或者與源極相連，或者連接到VDD或VSS,所以經(jīng)常被用作一個三端設(shè)備。由于未來CMOS技術(shù)的閾值電壓并不會遠(yuǎn)低于現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)，于是采用襯底驅(qū)動技術(shù)進行模擬電路設(shè)計就成為較好的解決方案[1].襯底驅(qū)動技術(shù)的原理是：在柵極和源極之間加上足夠大的固定電壓，以形成反型層，輸入信號加在襯底和源極之間，這樣閾值電壓就可以減小或從信號通路上得以避開。襯底驅(qū)動MOS晶體管的原理類似于結(jié)型場效應(yīng)晶體管，也就是一個耗盡型器件，它可以工作在負(fù)、零、甚至略微正偏壓條件下[2].由于襯底電壓影響與反型層(即導(dǎo)電溝
- 關(guān)鍵字： MOS CMOS
移動電源方案技術(shù)深度剖析連載一：小米10400
- 引言： 鑒于目前網(wǎng)絡(luò)上移動電源方案知識甚少，而移動電源最核心的技術(shù)恰恰就在方案，從今開始特在移動電源網(wǎng)開設(shè)移動電源方案技術(shù)篇連載，對目前市面主流品牌，暢銷產(chǎn)品等移動電源方案一一深度剖析，與移動電源設(shè)計師和技術(shù)迷們一起分享!我們首款產(chǎn)品就選目前最熱門的小米10400mAh移動電源吧?！ ≌模骸 ∫苿与娫淳W(wǎng)獨家撰稿，轉(zhuǎn)載請保留出處鏈接?！ 〈蠹液?我是來福，移動電源資深技術(shù)愛好者，鑒于目前網(wǎng)絡(luò)上移動電源方案知識甚少，而移動電源最核心的技術(shù)恰恰就在方案，從今開始特在移動電源網(wǎng)開設(shè)移動電源方案技術(shù)篇連載，
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