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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> sic-mosfet

        PCIM2024論文摘要|離網(wǎng)場景下SiC MOSFETs應用于三相四橋臂變流器的優(yōu)勢

        • 梗概隨著全球低碳化的進程,可再生能源發(fā)電占比及滲透率越來越高,此種背景下,儲能系統(tǒng)的引入有效抑制了新能源發(fā)電的波動性,PCS作為儲能系統(tǒng)的核心裝置應用廣泛。在工商業(yè)應用里,存在單相負載與三相不平衡負載,為了滿足單相供電需求以及對三相不平衡電壓的抑制,三相四線變流器拓撲是非常必要的,常見的拓撲形式有以下幾種:a)三橋臂分裂電容式拓撲b) 平衡橋臂拓撲圖一分裂電容式拓撲,由于N線電流流過母線電容,電容容量需求增大,且直流電壓利用率較低,諧波畸變較大,抑制三相不平衡能力相對有限,平衡橋臂式拓撲通過硬件電路增強中
        • 關鍵字: 英飛凌  MOSFET  

        新潔能SiC/GaN功率器件及封測研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目延期

        • 8月13日,新潔能發(fā)布公告稱,擬將此前募投項目中的“第三代半導體 SiC/GaN 功率器件及封測的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目達到預定可使用狀態(tài)日期延期至2025年8月。此次延期是受宏觀環(huán)境等不可控因素的影響,項目的工程建設、設備采購及人員安排等相關工作進度均受到一定程度的影響,無法在計劃時間內完成。據(jù)悉,此次延期項目屬新潔能二廠區(qū)擴建項目,項目總投資約2.23億元,2022年開建,原計劃2024年建設完成。項目建成后,將實現(xiàn)年產(chǎn) SiC/GaN 功率器件2640萬只。新潔能稱,本次募投項目延期僅涉及項目進度的
        • 關鍵字: 新潔能  SiC  GaN  功率器件  封測  

        Nexperia最新擴充的NextPower 80/100V MOSFET產(chǎn)品組合可提供更高的設計靈活性

        • Nexperia近日宣布,公司正在持續(xù)擴充其NextPower 80 V和100 V MOSFET產(chǎn)品組合,并推出了幾款采用行業(yè)標準5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。這些新型NextPower 80/100 V MOSFET針對低RDS(on)和低Qrr進行了優(yōu)化,可在服務器、電源、快速充電器和USB-PD等各種應用以及各種電信、電機控制和其他工業(yè)設備中提供高效率和低尖峰。設計人員可以從80 V和100 V器件中進行選擇,RDS(on)選型從1.8 mΩ到15 mΩ不等。許多MOSFET
        • 關鍵字: Nexperia  NextPower  MOSFET  

        ROHM開發(fā)出安裝可靠性高的車載Nch MOSFET,非常適用于汽車車門、座椅等所用的各種電機以及LED前照燈等應用!

        • ~符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101,有助于車載應用的高效運行和小型化~全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出具有低導通電阻*1優(yōu)勢的車載Nch MOSFET*2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新產(chǎn)品非常適用于汽車門鎖和座椅調節(jié)裝置等所用的各種電機以及LED前照燈等應用。目前,3種封裝10種型號的新產(chǎn)品已經(jīng)開始銷售,未來會繼續(xù)擴大產(chǎn)品陣容。在汽車領域,隨著安全性和便捷性的提高,電子產(chǎn)品逐漸增加,使得所安裝的電子元器件數(shù)量也
        • 關鍵字: ROHM  Nch MOSFET  汽車車門  座椅  電機  LED前照燈  

        很基礎的MOS管知識

        • 半導體三極管中參與導電的有兩種極性的載流子,所以也稱為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管,這種三極管只有一種載流子參與導電,所以也稱為單極型三極管,因為這種管子是利用電場效應控制電流的,所以也叫場效應三極管(FET),簡稱場效應管。場效應管可以分成兩大類,一類是結型場效應管(JFET),另一類是絕緣柵場效應管(MOSFET)。在如果你在某寶里搜索“場效應管”你會發(fā)現(xiàn),搜索出來的基本上是絕緣柵場效應管。即使搜索“結型場效應管”,出來的也只有幾種,你是不是懷疑結型場效應管已經(jīng)被人類拋棄了的感覺,沒錯,JFE
        • 關鍵字: 三極管  MOSFET  JFET  

        實現(xiàn)3.3KW高功率密度雙向圖騰柱PFC數(shù)字電源方案

        • 隨著社會經(jīng)濟發(fā)展、能源結構變革,近幾年全球對家用儲能系統(tǒng)的需求量一直保持相當程度的增長。2023年,全球家用儲能系統(tǒng)市場銷售額達到了87.4億美元,預計2029年將達到498.6億美元,年復合增長率(CAGR)為33.68%(2023-2029);便攜儲能市場經(jīng)過了一輪爆發(fā)式增長的狂歡后,現(xiàn)在也迎來了穩(wěn)定增長期,從未來看,預計在2027年便攜儲能市場將達到900億元;AI Server市場規(guī)模持續(xù)增長,帶來了數(shù)字化、智能化服務器所需的高功率服務器電源的需求,現(xiàn)在單機3KW的Power也成為了標配。對于
        • 關鍵字: Infineon  XMC1400  CoolSiC  Mosfet   高功率密度  雙向圖騰柱  PFC  數(shù)字電源  

        羅姆將亮相2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會

        • 全球知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市)將于8月28日~30日參加在深圳國際會展中心(寶安新館)舉辦的2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(以下簡稱PCIM Asia)(展位號:11號館D14)。屆時,將聚焦碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體,展示其面向工業(yè)設備和汽車領域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。同時,羅姆工程師還將在現(xiàn)場舉辦的“寬禁帶半導體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動汽車論壇”等同期論壇上發(fā)表演講,分享羅姆最新的功率電子技術成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進的碳化硅
        • 關鍵字: 羅姆  SiC  氮化鎵  GaN  

        還分不清結型場效應管與絕緣柵?看這一文就夠了,圖表展現(xiàn)

        • JFET 與 MOSFET的區(qū)別JFET 和 MOSTFET 之間的主要區(qū)別在于,通過 JFET 的電流通過反向偏置 PN 結上的電場引導,而在 MOSFET 中,導電性是由于嵌入在半導體上的金屬氧化物絕緣體中的橫向電場。JFET 與 MOSFET的區(qū)別兩者之間的下一個關鍵區(qū)別是,JFET 允許的輸入阻抗比 MOSFET 小,因為后者嵌入了絕緣體,因此漏電流更少。JFET?通常被稱為“ON 器件”是一種耗盡型工具,具有低漏極電阻,而?MOSFET?通常被稱為“OFF 器件”,
        • 關鍵字: 結型場效應管  jfet  MOSFET  電路設計  

        第三代半導體,距離頂流差了什么

        • 潮流就是即便你放棄了我,也不妨礙我越來越火。距離特斯拉宣布放棄碳化硅已經(jīng)過去了一年,這個市場非但沒有被拋棄,反而以 GaN、SiC 為代表的第三代半導體發(fā)展備受關注:Yole 數(shù)據(jù)顯示,2026 年 GaN 市場規(guī)模預計可達 6.72 億美元。SiC 碳化硅 2027 年全球 SiC 功率半導體市場規(guī)模有望突破 60 億美元。預測是人算不如天算,第三代半導體優(yōu)勢已經(jīng)被講的翻來覆去了,市場的反饋是最真實和殘酷的—很火但不是主流。碳化硅與新能源車能不能齊飛?新能源是第三代半導體應用的重要驅動力。新能源車的最大
        • 關鍵字: GaN  SiC  

        悉智科技首顆DCM封裝8并SiC產(chǎn)品量產(chǎn)下線

        • 7月22日,蘇州悉智科技有限公司(以下簡稱“悉智科技”)宣布,其首批車規(guī)級功率模塊量產(chǎn)產(chǎn)品正式下線投產(chǎn)。悉智科技表示,此次下線的首批量產(chǎn)模塊,是悉智科技自研的高端電驅SiC塑封功率模塊產(chǎn)品。在SiC DCM塑封功率模塊的定制化開發(fā)上,悉智科技取得了顯著進展,目前該產(chǎn)品已獲取到客戶的量產(chǎn)訂單,并會在今年四季度實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。資料顯示,悉智科技自2022年1月1日正式運營以來,始終專注于車規(guī)級功率與電源模塊的研發(fā)與生產(chǎn),致力于為智能電動汽車、光儲新能源等客戶提供深度定制化的解決方案。目前,該公司已在蘇州建成具
        • 關鍵字: 悉智科技  DCM封裝  8并  SiC  

        貿(mào)澤開售適合能量轉換應用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET

        • 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權代理商貿(mào)澤電子?(Mouser Electronics)?即日起開售英飛凌公司的CoolSiC? G2 MOSFET。CoolSiC? G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅?(SiC) MOSFET溝槽技術,開啟了電力系統(tǒng)和能量轉換的新篇章,適用于光伏逆變器、能量儲存系統(tǒng)、電動汽車充電、電源和電機驅動應用。貿(mào)澤供貨的英飛凌CoolSiC? G2?MOSFET可在所有常見電源方案組合(AC-DC、DC-DC和DC-A
        • 關鍵字: 貿(mào)澤  英飛凌  CoolSiC G2  MOSFET  

        電動汽車和光伏逆變器的下一項關鍵技術

        • 圖1 半導體對許多新興綠色科技至關重要毋庸置疑,從社會發(fā)展的角度,我們必須轉向采用可持續(xù)的替代方案。日益加劇的氣候異常和極地冰蓋的不斷縮小,清楚地證明了氣候變化影響的日益加劇。但有一個不幸的事實是,擺脫化石燃料正被證明極其困難,向綠色技術的轉變也帶來了一系列技術挑戰(zhàn)。無論是生產(chǎn)要跟上快速擴張的市場步伐,還是新解決方案努力達到現(xiàn)有系統(tǒng)產(chǎn)出水平,如果我們要讓化石燃料成為過去,這些難題都必須被克服。對于電動汽車(EV)和太陽能電池板等應用,工程師面臨著更多的挑戰(zhàn),因為敏感的電子元件必須在惡劣的環(huán)境中持續(xù)可靠地運
        • 關鍵字: 電動汽車  光伏逆變器  SiC  

        英飛凌OptiMOS? 7 40V 車規(guī)MOSFET ,助力汽車控制器應用

        • OptiMOS? 7 40V 車規(guī)MOSFET概況采用OptiMOS? 7 技術的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列,進一步提升比導通電阻,減小RDSON*A,即在同樣的晶圓面積下實現(xiàn)更低的RDSON,或者說在更小的晶圓面積下實現(xiàn)相同的RDSON。如下圖所示,英飛凌40V MOSFET不同代際產(chǎn)品在比導通電阻的演進。英飛凌40V MOSFET比導通電阻代際演進英飛凌OptiMOS? 7 技術是英飛凌開發(fā)的第五代溝槽技術,是當今領先的雙多晶硅溝槽技術。無引腳封裝結合銅夾技術的使用,大幅提高了產(chǎn)品的電流能
        • 關鍵字: OptiMOS  MOSFET  英飛凌  

        碳化硅模塊在太陽能逆變器中的應用

        • 碳化硅場效應晶體管(SiC FET)接近于理想的開關,具有低損耗、寬帶隙技術和易于集成設計等優(yōu)勢。Qorvo的SiC FET技術如今以高效模塊化產(chǎn)品的形式呈現(xiàn);本文探討了這種產(chǎn)品形態(tài)如何使SiC FET成為太陽能逆變器應用的理想之選。
        • 關鍵字: 202407  太陽能  PV  SiC FET  寬帶隙  碳化硅  光伏  

        用先進的SPICE模型模擬MOSFET電流-電壓特性

        • 在本文中,我們使用90nm CMOS的SPICE模型來繪制NMOS晶體管的關鍵電學關系。在前一篇文章中,我解釋了如何獲得集成電路MOSFET的高級SPICE模型,并將其納入LTspice仿真中。然后,我們使用這個模型來研究NMOS晶體管的閾值電壓。在本文中,我們將使用相同的模型來生成直觀地傳達晶體管電氣行為的圖。繪制漏極電流與漏極電壓我們將從生成漏極電流(ID)與漏極-源極電壓(VDS)的基本圖開始。為此,我們將柵極電壓設置為遠高于閾值電壓的固定值,然后執(zhí)行直流掃描模擬,其中VDD的值逐漸增加。圖1顯示了
        • 關鍵字: LTspice  MOSFET  NMOS  
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