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解決補能焦慮，安森美SiC方案助力800V車型加速發(fā)布
- 800V車型刷屏，高壓SiC車載應用加速普及。實際上，近期有越來越多的國內(nèi)外車企開始加速800V電壓架構車型的量產(chǎn)，多款20-25萬元價格段的標配SiC車型上市。2024年，隨著車企卷價格卷性能戰(zhàn)略推進，將進一步拉動SiC滲透。SiC迎來800V高壓平臺風口◆ 800V架構成為電動汽車主流電動化進程持續(xù)推進，安森美（onsemi）電源方案事業(yè)部汽車主驅方案部門產(chǎn)品總監(jiān)Jonathan Liao指出預計到2030年將有1.5億輛新能源汽車駛上道路。但從消費者角度看購買電動車的兩大顧慮是續(xù)航里程和充電便利性
- 關鍵字： SiC 逆變器 功率模塊
優(yōu)晶科技8英寸電阻法SiC單晶生長設備通過技術鑒定
- 6月7日，蘇州優(yōu)晶半導體科技股份有限公司（以下簡稱“優(yōu)晶科技”）宣布8英寸電阻法SiC單晶生長設備獲行業(yè)專家認可，成功通過技術鑒定評審。鑒定委員會認為，優(yōu)晶科技8英寸電阻法SiC晶體生長設備及工藝成果技術難度大，創(chuàng)新性強，突破了國內(nèi)大尺寸晶體生長技術瓶頸，擁有自主知識產(chǎn)權，經(jīng)濟效益顯著。資料顯示，優(yōu)晶科技成立于2010年12月，專注于大尺寸（6英寸及以上）導電型SiC晶體生長設備研發(fā)、生產(chǎn)及銷售。該公司于2019年成功研制出6英寸電阻法SiC單晶生長設備，經(jīng)持續(xù)工藝優(yōu)化，目前已推出至第四代機型——UKIN
- 關鍵字： 優(yōu)晶科技 8英寸 SiC 單晶生長設備
MOSFET在服務器電源上的應用
- 服務器電源主要用在數(shù)據(jù)中心場景中，主要應用于服務器、存儲器等設備。它和PC電源一樣，都是一種開關電源。服務器電源按照標準可以分為ATX電源和SSI電源兩種。ATX標準是Intel在1997年推出的一個規(guī)范，使用較為普遍，輸出功率一般在125瓦～350瓦之間主要用于臺式機、工作站和低端服務器。SSI（Server System Infrastructure）規(guī)范是Intel聯(lián)合一些主要的IA架構服務器生產(chǎn)商推出的新型服務器電源規(guī)范，SSI規(guī)范的推出是為了規(guī)范服務器電源技術，降低開發(fā)成本，延長服務器的使用壽命
- 關鍵字： MOSFET 服務器電源
恩智浦與采埃孚合作開發(fā)基于SiC的牽引逆變器
- 6月4日，NXP Semiconductors NV（恩智浦半導體）在官網(wǎng)披露，其與ZF Friedrichshafen AG（采埃孚）公司合作，為電動汽車（EV）開發(fā)基于碳化硅（SiC）的下一代牽引逆變器解決方案。通過利用恩智浦GD316x高壓（HV）隔離柵極驅動器，該解決方案旨在加速800V平臺和SiC功率器件的推廣應用。據(jù)介紹，GD316x產(chǎn)品系列支持安全、高效和高性能的牽引逆變器，可延長電動汽車的續(xù)航里程、減少充電停車次數(shù)、同時降低OEM廠商的系統(tǒng)級成本。據(jù)了解，牽引逆變器是電動汽車電力傳動系統(tǒng)的
- 關鍵字： 恩智浦 SiC 逆變器
意法半導體與吉利汽車簽署SiC長期供應協(xié)議
- 6月4日，意法半導體（ST）與吉利汽車集團宣布，雙方簽署碳化硅（SiC）器件長期供應協(xié)議，在原有合作基礎上進一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規(guī)定，意法半導體將為吉利汽車旗下多個品牌的中高端純電動汽車提供SiC功率器件，幫助吉利提高電動車性能，加快充電速度，延長續(xù)航里程，深化新能源汽車轉型。此外，吉利和ST還在多個汽車應用領域的長期合作基礎上，建立創(chuàng)新聯(lián)合實驗室，交流與探索在汽車電子/電氣（E/E）架構（如車載信息娛樂、智能座艙系統(tǒng)）、高級駕駛輔助（ADAS）和新能源汽車等相關領域的創(chuàng)新解決方案。據(jù)數(shù)據(jù)顯
- 關鍵字： ST 吉利汽車 SiC
吉利汽車與ST簽署SiC長期供應協(xié)議，深化新能源汽車轉型；成立創(chuàng)新聯(lián)合實驗室，推動雙方創(chuàng)新合作
- 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體（簡稱ST）與全球汽車及新能源汽車龍頭制造商吉利汽車集團宣布，雙方簽署碳化硅（SiC）器件長期供應協(xié)議，在原有合作基礎上進一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規(guī)定，意法半導體將為吉利汽車旗下多個品牌的中高端純電動汽車提供SiC功率器件，幫助吉利提高電動車性能，加快充電速度，延長續(xù)航里程，深化新能源汽車轉型。此外，吉利和ST還在多個汽車應用領域的長期合作基礎上，建立創(chuàng)新聯(lián)合實驗室，交流與探索在汽車電子/電氣（E/E）架構（如車載信息娛樂、智能座艙系統(tǒng)）、
- 關鍵字： SiC ADAS 新能源汽車
構建新型能源體系，充電樁市場將迎來高增長
- ? ?能源是人類生存和發(fā)展的重要物質(zhì)基礎，能源轉型則是當今國際社會關注的焦點問題，隨著全球對環(huán)境保護意識的增強和能源危機的擔憂，新能源市場的需求正在快速增長?！ ‘斍叭蚱嚠a(chǎn)業(yè)電動化正在深度推進，在新能源革命浪潮下，新能源汽車產(chǎn)業(yè)成為各國重點發(fā)力方向。隨著新能源汽車技術的日趨成熟，充電基礎設施快速發(fā)展。近年來，我國已建成世界上數(shù)量最多、服務范圍最廣、品種類型最全的充電基礎設施體系。目前按照1公樁=3個私樁的測算，中國2023年增量市場的純電動車的車樁比已經(jīng)1：1，領先世界其它國家數(shù)倍
- 關鍵字： 充電樁 新能源汽車 SIC
功率MOSFET的工作原理
- 功率MOSFET的開通和關斷過程原理(1)開通和關斷過程實驗電路(2)MOSFET 的電壓和電流波形：(3)開關過程原理：開通過程[ t0 ~ t4 ]：-- 在 t0 前，MOSFET 工作于截止狀態(tài)，t0 時，MOSFET 被驅動開通;-- [t0-t1]區(qū)間，MOSFET 的GS 電壓經(jīng)Vgg 對Cgs充電而上升，在t1時刻，到達維持電壓Vth，MOSFET 開始導電;-- [t1-t2]區(qū)間，MOSFET 的DS 電流增加，Millier 電容在該區(qū)間內(nèi)因DS 電容的放電而放電，對GS 電容的充電
- 關鍵字： 功率 MOSFET 工作原理
Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來越受歡迎的D2PAK-7封裝
- Nexperia近日宣布，公司現(xiàn)推出業(yè)界領先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面貼裝器件(SMD)封裝，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供選擇。這是繼Nexperia于2023年底發(fā)布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的又一新產(chǎn)品，它將使其SiC MOSFET產(chǎn)品組合迅速擴展到包括RDSon值為17、30、40、60和80 mΩ 且封裝靈活的器件。隨著NSF0xx120D7A0的發(fā)布，Nexperia正在滿足市場對采用D2
- 關鍵字： Nexperia SiC MOSFET D2PAK-7
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